CTIMES - Sic

SiC量產差臨門一腳尚需進一步降低成本並提升材料質量 (2019.06.21)
隨著微電子技術的發展，傳統的Si和GaAs半導體材料由於本身結構和特性的原因，在高溫、高頻、光電等方面越來越顯示出其不足和侷限性，目前，人們已將注意力轉移到SiC材料，這將是最成熟的寬能帶半導體材料

英飛凌 CoolGaN e-mode HEMT 獲 Computex Best Choice Award 類別獎 (2019.05.21)
英飛凌科技今日宣布，旗下氮化鎵功率元件CoolGaN e-mode HEMT 系列憑藉其高功率密度、同級最佳效率及降低系統成本等優勢，榮獲 2019年度Computex BC Award 類別獎。同時，英飛凌也是目前市場上唯一一家專注於高壓功率器件，涵蓋矽（Si）、碳化矽（SiC）和氮化鎵（GaN）材料的全方位供應商

英飛凌擴大量產並加速推出CoolSiC MOSFET分離式封裝產品組合 (2019.05.17)
英飛凌科技1200 V CoolSiC MOSFET 產品組合進入大量生產階段。這些產品的額定值從 30 m? 至 350 m? ，並採用 TO247-3 與 TO247-4 封裝。另更延伸產品系列，即將推出的新產品包括表面黏著裝置 (SMD) 產品組合及 650 V CoolSiC MOSFET 產品系列

Microchip宣佈推出全新碳化矽（SiC）產品 (2019.05.16)
Microchip Technology Inc. 透過其子公司Microsemi（美高森美）宣佈推出一系列SiC功率元件。該系列元件具有良好的耐用性，以及寬能隙(wide-bandgap)半導體技術優勢。它們將與Microchip各類微控制器和類比解決方案形成產品的互補優勢，加入Microchip不斷壯大的SiC產品組合，滿足了電動汽車和其它大功率應用領域迅速發展的市場需求

CREE投資10億美元擴大SiC碳化矽產能 (2019.05.08)
Cree 宣佈，將投資10億美元用於擴大SiC碳化矽產能，在公司美國總部北卡羅萊納州特勒姆市建造一座採用最先進技術的自動化200mm SiC碳化矽生產工廠和一座材料超級工廠。該項目為該公司至今最大的投資，將為Wolfspeed SiC碳化矽和GaN-on-SiC碳化矽基氮化鎵業務提供動能

ROHM推出全球首創內建1700V SiC MOSFET AC/DC轉換IC (2019.04.18)
ROHM今日宣布針對大功率通用變流器、AC伺服器、工業用空調、街燈等工控裝置，研發出內建1700V耐壓SiC MOSFET的AC/DC IC「BM2SCQ12xT-LBZ」。「BM2SCQ12xT-LBZ」是世界首款內建高度節能性的SiC MOSFET AC/DC轉換IC，克服了離散式結構所帶來的設計課題，因此可輕易地研發出節能型AC/DC轉換器

新世代的電力電子將讓電動車更便宜、更有效率 (2019.03.11)
：歐盟的HiPERFORM將推出寬能隙的電力電子，並運用在下世代的電動車之中。

使用SiC技術攻克汽車挑戰 (2019.01.07)
在未來幾年投入使用SiC技術來應對汽車電子技術挑戰是ECSEL JU的WInSiC4AP專案所要達成的目標之一。

ROHM推出1700V全SiC功率模組「BSM250D17P2E004」在高溫高濕環境下實現可靠性 (2018.12.05)
半導體製造商ROHM（總公司：日本國京都市）針對以戶外發電系統和充放電測試儀等評估裝置為首的工業裝置用電源逆變器(Inverter)和轉換器(Converter)，研發出實現可靠性的保證額定值1700V 250A的全SiC功率模組「BSM250D17P2E004」

英飛凌在台發表氮化鎵功率元件新品搶佔GaN市場龍頭 (2018.12.04)
英飛凌（Infineon）今日在台北舉行氮化鎵（GaN）方案CoolGaN新品發表會，宣布推出新一代GoolGaN 600 V增強型HEMT方案，以及專為其氮化鎵晶片所設計的驅動IC EiceDRIVER產品，能為電源產品帶來更佳的電源效率與功率密度，同時也能縮小裝置的體積，並進一步降低整體的設計成本

UnitedSiC在UF3C FAST FET系列中新增Kelvin連接器件 (2018.12.04)
Sic功率半島製造商UnitedSiC宣布擴展UF3C FAST產品系列，並推出採用TO-247-4L 4引腳Kelvin Sense封裝的全新系列650 V和1200 V高性能碳化矽FET器件，新產品基於高效的共源共柵配置，可為設計人員提供非常快的開關速度和較高的功率，並且其封裝能夠滿足高功率應用的散熱要求

兼具高效能與可靠性英飛凌打造新一代SiC元件 (2018.10.04)
隨著能源議題逐漸被重視，碳化矽絕對是能源產業的明日之星。英飛凌專注於發展碳化矽溝槽式架構，兼顧可靠性與高效能，並不斷精進產能與良率，讓碳化矽功率元件可以進一步普及

看準SiC低耗能、高效率羅姆將其用於賽車逆變器 (2018.10.04)
羅姆於碳化矽製程以有18年的經驗，除了常見的將碳化矽元件使用於新能源及電動車上之外，羅姆於2016年也與Venturi Formula E團隊合作，將SiC功率元件使用於賽車的逆變器中

意法半導體電隔離柵極驅動器控制並保護SiC、MOSGET、IGBT (2018.08.15)
意法半導體（STMicroelectronics）的STGAP2S單路隔離柵極驅動器提供26V的最大柵極驅動輸出電壓，能讓使用者選擇獨立的導通／關斷輸出或內部主動米勒鉗位功能，其可使用於各種開關拓撲控制碳化矽（SiC）或矽MOSFET和IGBT功率電晶體

Wolfspeed推出首個滿足汽車AEC-Q101標準的SiC器件系列 (2018.08.09)
科銳旗下Wolfspeed宣佈推出E-系列碳化矽（SiC）半導體器件，這一新型產品家族針對電動汽車EV和可再生能源市場，能夠為車載汽車功率轉換系統、非車載充電、太陽能逆變器和其它戶外應用提供目前最高的功率密度和長期可靠性

英飛凌發表CoolSiC MOSFET產品兼具高性能與可靠度 (2018.07.24)
德國半導體元件商英飛凌（Infineon）今日在台北宣布推出新一代搭載CoolSiC技術的MOSFET系列產品，透過其獨特的碳化矽 (SiC) 溝槽式 (Trench) 技術，提供高性能、高可靠度、高功率密度，且具成本效益的電源解決方案

Littelfuse SiC蕭特基二極體降低能源成本和空間要求 (2018.06.30)
Littelfuse新推出五款GEN2系列1200 V 3L TO-247蕭特基二極體和三款GEN2系列1200 V 2L TO-263蕭特基二極體，擴充其碳化矽電源半導體產品組合。相比矽二極體，GEN2碳化矽蕭特基二極體可顯著降低開關損耗，並大幅提高電力電子系統的效率和可靠性

Wolfspeed最新1200V SiC MOSFET 促進電動車市場發展 (2018.06.26)
科銳旗下Wolfspeed於近日宣佈推出最新第三代1200V碳化矽SiC MOSFET系列，為電動汽車動力傳動系統帶來性能突破。這一開關元件能夠實現高電壓功率轉換，進一步鞏固Wolfspeed在電動汽車生態系統解決方案領域的領先地位

英飛凌推出車用CoolSiC肖特基二極體結合效能與耐用性 (2018.06.19)
英飛凌科技股份有限公司首款車用碳化矽系列CoolSiC肖特基二極體系列於日前PCIM展會上亮相，該款肖特基二極體已準備就緒，可用於目前和未來油電混合車和電動車中的車載充電器 (OBC) 應用

美高森美推出專門用於SiC MOSFET的極低電感SP6LI封裝 (2018.05.30)
美高森美公司(Microsemi Corporation) 發佈專門用於高電流、低導通阻抗(RDSon) 碳化矽 (SiC) MOSFET功率模組的極低電感封裝。這款全新封裝專為用於其SP6LI 產品系列而開發，提供適用於SiC MOSFET技術的2.9 nH雜散電感，同時實現高電流、高開關頻率以及高效率