CTIMES - Sic

打造SiC走廊科銳將於紐約州建造最大SiC工廠 (2019.09.24)
科銳（Cree）計畫在美國東海岸創建碳化矽走廊，建造全球最大的碳化矽製造工廠。科銳將在美國紐約州Marcy建造一座全新的採用最先進技術並滿足車規級標準的200mm（8吋）功率和射頻（RF）晶圓製造工廠，而與之相輔相成的超級材料工廠（mega materials factory）的建造擴產正在公司特勒姆總部開展進行

ROHM推出4引腳封裝SiC MOSFET SCT3xxx xR系列 (2019.09.24)
半導體製造商ROHM推出6款溝槽閘結構SiC MOSFET「SCT3xxx xR系列」產品（耐壓650V／1200V），適用於有高效率需求的伺服器電源、太陽能變流器及電動車充電站等應用。此次新研發的系列產品採用4引腳封裝（TO-247-4L），可充分發揮SiC MOSFET本身的高速開關性能

科銳將在紐約州建造全球最大SiC製造工廠 (2019.09.24)
作為碳化矽（SiC）技術全球領先企業的科銳（Cree, Inc.），於今日宣佈計畫在美國東海岸創建碳化矽走廊，建造全球最大的碳化矽製造工廠。科銳將在美國紐約州Marcy建造一座全新的採用最先進技術並滿足車規級標準的200mm功率和射頻（RF）晶圓製造工廠

ST提供先進SiC功率電子元件協助雷諾/日產/三菱聯盟研發下一代電動汽車快充技術 (2019.09.16)
意法半導體（STMicroelectronics，簡稱ST）被雷諾－日產－三菱聯盟指定為高效能碳化矽（SiC）技術合作夥伴，為即將推出之新一代電動汽車的先進車載充電器（On-Board Charger，OBC）提供功率電子元件

Cree與德爾福科技開展汽車SiC元件合作 (2019.09.15)
科銳（Cree）與德爾福科技（Delphi Technologies）宣佈開展汽車碳化矽（SiC）元件合作。雙方的此次合作將通過採用碳化矽（SiC）半導體技術，為未來電動汽車（EV）提供更快、更小、更輕、更強勁的電子系統

台灣寬能隙技術專家瀚薪科技聚焦SiC與GaN元件開發 (2019.07.15)
從工研院分拆出來的瀚薪科技設立於台灣新竹，是聚焦寬能隙（wide band-gap）材料基礎的高功率半導體設計公司。

SiC量產差臨門一腳尚需進一步降低成本並提升材料質量 (2019.06.21)
隨著微電子技術的發展，傳統的Si和GaAs半導體材料由於本身結構和特性的原因，在高溫、高頻、光電等方面越來越顯示出其不足和侷限性，目前，人們已將注意力轉移到SiC材料，這將是最成熟的寬能帶半導體材料

英飛凌 CoolGaN e-mode HEMT 獲 Computex Best Choice Award 類別獎 (2019.05.21)
英飛凌科技今日宣布，旗下氮化鎵功率元件CoolGaN e-mode HEMT 系列憑藉其高功率密度、同級最佳效率及降低系統成本等優勢，榮獲 2019年度Computex BC Award 類別獎。同時，英飛凌也是目前市場上唯一一家專注於高壓功率器件，涵蓋矽（Si）、碳化矽（SiC）和氮化鎵（GaN）材料的全方位供應商

英飛凌擴大量產並加速推出CoolSiC MOSFET分離式封裝產品組合 (2019.05.17)
英飛凌科技1200 V CoolSiC MOSFET 產品組合進入大量生產階段。這些產品的額定值從 30 m? 至 350 m? ，並採用 TO247-3 與 TO247-4 封裝。另更延伸產品系列，即將推出的新產品包括表面黏著裝置 (SMD) 產品組合及 650 V CoolSiC MOSFET 產品系列

Microchip宣佈推出全新碳化矽（SiC）產品 (2019.05.16)
Microchip Technology Inc. 透過其子公司Microsemi（美高森美）宣佈推出一系列SiC功率元件。該系列元件具有良好的耐用性，以及寬能隙(wide-bandgap)半導體技術優勢。它們將與Microchip各類微控制器和類比解決方案形成產品的互補優勢，加入Microchip不斷壯大的SiC產品組合，滿足了電動汽車和其它大功率應用領域迅速發展的市場需求

CREE投資10億美元擴大SiC碳化矽產能 (2019.05.08)
Cree 宣佈，將投資10億美元用於擴大SiC碳化矽產能，在公司美國總部北卡羅萊納州特勒姆市建造一座採用最先進技術的自動化200mm SiC碳化矽生產工廠和一座材料超級工廠。該項目為該公司至今最大的投資，將為Wolfspeed SiC碳化矽和GaN-on-SiC碳化矽基氮化鎵業務提供動能

ROHM推出全球首創內建1700V SiC MOSFET AC/DC轉換IC (2019.04.18)
ROHM今日宣布針對大功率通用變流器、AC伺服器、工業用空調、街燈等工控裝置，研發出內建1700V耐壓SiC MOSFET的AC/DC IC「BM2SCQ12xT-LBZ」。「BM2SCQ12xT-LBZ」是世界首款內建高度節能性的SiC MOSFET AC/DC轉換IC，克服了離散式結構所帶來的設計課題，因此可輕易地研發出節能型AC/DC轉換器

新世代的電力電子將讓電動車更便宜、更有效率 (2019.03.11)
：歐盟的HiPERFORM將推出寬能隙的電力電子，並運用在下世代的電動車之中。

使用SiC技術攻克汽車挑戰 (2019.01.07)
在未來幾年投入使用SiC技術來應對汽車電子技術挑戰是ECSEL JU的WInSiC4AP專案所要達成的目標之一。

ROHM推出1700V全SiC功率模組「BSM250D17P2E004」在高溫高濕環境下實現可靠性 (2018.12.05)
半導體製造商ROHM（總公司：日本國京都市）針對以戶外發電系統和充放電測試儀等評估裝置為首的工業裝置用電源逆變器(Inverter)和轉換器(Converter)，研發出實現可靠性的保證額定值1700V 250A的全SiC功率模組「BSM250D17P2E004」

英飛凌在台發表氮化鎵功率元件新品搶佔GaN市場龍頭 (2018.12.04)
英飛凌（Infineon）今日在台北舉行氮化鎵（GaN）方案CoolGaN新品發表會，宣布推出新一代GoolGaN 600 V增強型HEMT方案，以及專為其氮化鎵晶片所設計的驅動IC EiceDRIVER產品，能為電源產品帶來更佳的電源效率與功率密度，同時也能縮小裝置的體積，並進一步降低整體的設計成本

UnitedSiC在UF3C FAST FET系列中新增Kelvin連接器件 (2018.12.04)
Sic功率半島製造商UnitedSiC宣布擴展UF3C FAST產品系列，並推出採用TO-247-4L 4引腳Kelvin Sense封裝的全新系列650 V和1200 V高性能碳化矽FET器件，新產品基於高效的共源共柵配置，可為設計人員提供非常快的開關速度和較高的功率，並且其封裝能夠滿足高功率應用的散熱要求

兼具高效能與可靠性英飛凌打造新一代SiC元件 (2018.10.04)
隨著能源議題逐漸被重視，碳化矽絕對是能源產業的明日之星。英飛凌專注於發展碳化矽溝槽式架構，兼顧可靠性與高效能，並不斷精進產能與良率，讓碳化矽功率元件可以進一步普及

看準SiC低耗能、高效率羅姆將其用於賽車逆變器 (2018.10.04)
羅姆於碳化矽製程以有18年的經驗，除了常見的將碳化矽元件使用於新能源及電動車上之外，羅姆於2016年也與Venturi Formula E團隊合作，將SiC功率元件使用於賽車的逆變器中

意法半導體電隔離柵極驅動器控制並保護SiC、MOSGET、IGBT (2018.08.15)
意法半導體（STMicroelectronics）的STGAP2S單路隔離柵極驅動器提供26V的最大柵極驅動輸出電壓，能讓使用者選擇獨立的導通／關斷輸出或內部主動米勒鉗位功能，其可使用於各種開關拓撲控制碳化矽（SiC）或矽MOSFET和IGBT功率電晶體