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筑波分享WBG半導體材料測試方案 助力低碳SiC晶圓技術創新 (2022.09.23)
工研院「循環低碳碳化矽晶圓製程技術創新講座」，邀請碳化矽晶圓材料與製程廠商代表與會，期望藉由此課程交流機會，提升產業低碳碳化矽長晶技術能量。筑波集團董事長許深福分享「WBG半導體材料測試挑戰與方案」，如何提升測試技術、確保製程品質、降低成本及加速產品上市時間為需克服的挑戰 |
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安森美在捷克擴建碳化矽工廠 未來兩年SiC產能提高16倍 (2022.09.22)
安森美(onsemi)，慶祝其在捷克共和國Roznov擴建的碳化矽「SiC」工廠的落成。以工業和貿易部科長Zbynek Pokorny、茲林州州長Radim Holis和市長Jiri Pavlica以及其他當地政要為首的多位嘉賓出席了剪綵儀式，突顯此事件和半導體製造在捷克共和國的重要性 |
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碳化矽SiC良率提升不易 恐牽連電動車與綠能發展進度 (2022.09.15)
基於其耐高溫與耐高壓的特色，使得碳化矽（SiC）的功率元件，成為電動車與綠能相關應用的首選電源解決方案。但由於本身材料的特性難以駕馭，使得其晶圓與元件的產能和良率偏低，短期間內將難以滿足持續高漲的市場需求，甚至有可能因此限制了相關應用的發展進度 |
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TI：氮化鎵電源管理設計將被加速採用 (2022.09.15)
隨著全球技術不斷升級，電源設計人員對功率密度和系統級效率的關注也隨之提高，從而帶動更高效的寬能隙功率半導體應用由以往的資料中心擴展至測試和測量、儲能系統 (ESS) 及消費性電子等應用領域 |
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碇基半導體獲4.56億元投資 加速開發氮化鎵功率半導體 (2022.09.14)
台達子公司碇基半導體，宣布已完成新一輪4.56億新台幣的增資合約簽訂，且在這次增資的同時，獲得了與力智電子（uPI）、中美矽晶（SAS）、日商羅姆半導體（Rohm），以及母公司台達等夥伴建立策略合作關係，共同加速GaN功率半導體技術的發展 |
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Transphorm獲得美國能源部合約 提供新型四象限氮化鎵開關管 (2022.09.05)
Transphorm宣布贏得一份美國能源部先進能源研究計畫署(ARPA-E)的合約。該專案是ARPA-E CIRCUITS計畫的一部分，透過與伊利諾理工學院的轉包合約展開，包括提供採用氮化鎵的四象限雙向開關管(FQS) |
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SiC牽引逆變器降低功率損耗和熱散逸 (2022.08.25)
本文說明如何在EV牽引逆變器中驅動碳化矽（SiC）MOSFET，透過降低電阻和開關損耗來提高效率，同時增加功率和電流密度。 |
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EPC推出ePower功率級積體電路 實現更高功率密度和簡化設計 (2022.08.11)
宜普電源轉換公司（EPC）推出ePower功率級積體電路，它整合了整個半橋功率級，可在1 MHz工作時實現高達35 A的輸出電流，為高功率密度應用提供更高的性能和更小型化的解決方案，包括DC/DC轉換、馬達控制和D類音頻放大器等應用 |
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TI：SiC MOSFET可減少功率損耗和熱散逸 (2022.08.11)
隨著電動車（EV）製造商之間為了開發成本更低、續航里程更長的車型所進行的競爭日益激烈，電力系統工程師必須設法藉由降低功率損耗和提高牽引逆變器系統效率，來提升續航里程並增加競爭優勢 |
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EPC推出高功率密度100V抗輻射電晶體 滿足嚴格航太應用 (2022.07.05)
EPC推出100V、7mΩ、160 APulsed的抗輻射GaN FET EPC7004。尺寸小至6.56 mm2，其總劑量等級大於1 Mrad，線性能量轉移的單一事件效應抗擾度為85 MeV/(mg/cm2)。EPC7004與EPC7014、EPC7007、EPC7019和EPC7018元件都是採用晶片級封裝，這與其他商用的氮化鎵場效應電晶體（eGaN FET）和IC相同 |
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ST攜手MACOM 達成射頻矽基氮化鎵原型晶片性能新里程 (2022.06.14)
意法半導體（STMicroelectronics；ST）和MACOM已成功製造出射頻矽基氮化鎵（RF GaN-on-Si）原型晶片。意法半導體與MACOM將繼續合作，並加強雙方的合作關係。
射頻矽基氮化鎵為5G和6G基礎建設之應用帶來巨大的發展潛力 |
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Wolfspeed首座8吋SiC晶圓廠投入量產 (2022.05.03)
Wolfspeed宣佈其位於美國紐約州莫霍克谷（Mohawk Valley）的SiC製造工廠正式營業。這座 200mm(8英吋)晶圓廠將助力推進諸多產業從 Si 基產品向 SiC 基半導體的轉型。
紐約州州長 Kathy Hochul 蒞臨現場並預祝 Wolfspeed 在莫霍克谷（Mohawk Valley）大展宏圖 |
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羅姆集團旗下SiCrystal紀念成立25周年 (2022.04.28)
半導體製造商羅姆集團旗下的 SiCrystal GmbH（以下簡稱SiCrystal）迎來了成立25周年紀念日。SiCrystal是一家總部位於德國紐倫堡的SiC（碳化矽）晶圓製造商，經過了25年的發展，目前已將業務範圍擴展到全世界，並擁有200多名員工 |
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Wolfspeed與Lucid Motors簽訂協議 生產和供應SiC裝置。 (2022.04.28)
Wolfspeed於近日宣佈與Lucid Motors達成重要合作。Lucid Motors將在其高性能、純電動車型Lucid Air中採用Wolfspeed SiC功率元件解決方案。同時，Wolfspeed和Lucid Motors簽訂多年協議，將由Wolfspeed生產和供應SiC裝置 |
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EPC新350V氮化鎵功率電晶體 比等效矽元件小20倍且成本更低 (2022.04.08)
宜普電源轉換公司（EPC）推出 EPC2050，這是一款 350 V GaN 電晶體，最大 RDS(on) 為 80 mΩ，?衝輸出電流? 26 A。 EPC2050 的尺寸僅為 1.95 mm x 1.95 mm。與採用等效矽元件的解決方案相比，基於EPC2050的解決方案的佔板面積小十倍 |
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ROHM建立8V閘極耐壓150V GaN HEMT量產體制 (2022.03.29)
半導體製造商ROHM已建立150V耐壓GaN HEMT?GNE10xxTB系列（GNE1040TB）?的量產體制，該系列產品的閘極耐壓（閘極-源極間額定電壓）高達8V，非常適用於基地台、資料中心等工控設備和各類型IoT通訊裝置的電源電路 |
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ST：發展碳化矽技術 關鍵在掌控整套產業鏈 (2022.03.14)
電源與能源管理對人類社會未來的永續發展至關重要。意法半導體汽車和離散元件產品部（ADG）執行副總裁暨功率電晶體事業部總經理Edoardo MERLI指出，由於全球能源需求正在不斷成長，我們必須控制碳排放，並將氣溫上升控制在1 |
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ST第三代碳化矽技術問世 瞄準汽車與工業市場應用 (2022.03.14)
電源與能源管理對人類社會未來的永續發展至關重要，由於全球能源需求正在不斷成長，因此必須控制碳排放，並將氣溫上升控制在1.5度以下，減排對此非常重要，但要實現這些要有科技的支援，包括可再生能源的利用，ST對此也有制定一些具體的目標 |
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下半年8吋基板將量產 第三類功率半導體2025年CAGR達48% (2022.03.10)
據TrendForce研究推估，第三類功率半導體產值將從2021年的9.8億美元，至2025年將成長至47.1億美元，年複合成長率達48%。
SiC適合高功率應用，如儲能、風電、太陽能、電動車、新能源車等對電池系統具高度要求的產業 |
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Ampleon發佈增強效能的第3代GaN-on-SiC電晶體 (2022.02.23)
埃賦隆半導體（Ampleon）推出兩款新型寬頻碳化矽基氮化鎵（GaN-on-SiC）高電子遷移率電晶體（HEMT），功率等級分別為30W的CLF3H0060(S)-30和100W的CLF3H0035(S)-100。這兩款高線性度元件是最近通過認證並投入生產的第3代GaN-SiC HEMT制程的首發產品 |
