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Tektronix發布雙脈衝測試解決方案 加速SiC和GaN驗證時間 (2023.06.08)
Tektronix今日宣布推出新版雙脈衝測試解決方案（WBG-DPT解決方案）。各種新型的寬能隙切換裝置正不斷推動電動汽車、太陽能和工業控制等領域快速發展，Tektronix WBG-DPT解決方案能夠對SiC和GaN MOSFET等寬能隙裝置提供自動化、可重複和高準確的量測 |
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ST攜手三安光電 在中國重慶建立8吋SiC元件合資製造廠 (2023.06.08)
意法半導體（STMicroelectronics，簡稱ST），和涵蓋LED、碳化矽、光通訊、RF、濾波器和氮化鎵等產品之中國化合物半導體領導企業三安光電宣布，雙方已簽署協定，將在中國重慶建立一個新的8吋碳化矽元件合資製造廠 |
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緯湃科技和安森美簽署SiC長期供應協定 投資碳化矽擴產 (2023.06.01)
緯湃科技（Vitesco Technologies）和安森美（onsemi）宣佈了一項價值19億美元（17.5億歐元）的碳化矽（SiC）產品10年期供應協定，以實現緯湃科技在電氣化技術方面的提升。緯湃科技是國際領先的現代驅動技術和電氣化解決方案製造商，將向安森美提供2 |
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投身車電領域的入門課：IGBT和SiC功率模組 (2023.05.19)
隨著2021年全球政府激勵政策和需求上升，正推動亞太、北美和歐洲地區的電動車市場穩步擴大。作為電能轉換的關鍵核心，IGBT和SiC模組極具市場潛力。 |
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ROHM發佈2022年度財報 營業額續創新高 (2023.05.11)
半導體製造商ROHM公佈2022年度（2022年4月-2023年3月）財報， 2022年度營業額達到5,078億日幣，連續二年刷新歷史記錄。SiC累計投資達5,100億日幣，產能提高35倍。
在車電和工控設備兩大核心領域進一步成長，加上有利的匯率環境，全年營業額同期比成長12.3% |
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PI新型3300V IGBT模組閘極驅動器 可實現可預測性維護 (2023.05.09)
Power Integrations推出全新的單通道隨插即用閘極驅動器，該產品適用於高達 3300 V 的 190mm x 140mm IHM 和 IHV IGBT 模組。1SP0635V2A0D 結合了 Power Integrations 成熟的 SCALE-2 切換效能和保護功能，具有可配置的隔離串列輸出介面，增?了驅動器的可程式性，並提供了全面的遙測報告，以實現準確的使用壽命預估 |
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ROHM 1200V IGBT成功導入SEMIKRON-Danfoss功率模組 (2023.04.26)
SEMIKRON-Danfoss和半導體製造商ROHM在開發SiC（碳化矽）功率模組方面，已有十多年的良好合作關係。此次，SEMIKRON-Danfoss向低功率領域推出的功率模組中，採用了ROHM新產品—1200V IGBT「RGA系列」 |
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TI與光寶合作 以GaN技術和即時MCU打造高效伺服電源供應器 (2023.03.02)
德州儀器（TI）宣布攜手光寶科技（光寶）正式在北美市場推出搭載 TI 高整合式氮化鎵（GaN、Gallium nitride）與 C2000TM 即時微控制器（MCU）的商用化伺服器電源供應器（PSU） |
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安森美與大眾汽車集團就電動車SiC技術達成策略協議 (2023.01.31)
安森美（onsemi）宣佈與德國大眾汽車集團 (VW)簽署策略協定，為大眾汽車集團的下一代平台系列提供模組和半導體元件，以實現完整的電動汽車 (EV) 主驅逆變器解決方案。安森美所提供的半導體將作為整體系統最佳化的一部分，形成能夠支援大眾車型前軸和後軸主驅逆變器的解決方案 |
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德州儀器新任總裁兼執行長Haviv Ilan將於四月走馬上任 (2023.01.30)
德州儀器 （TI） 表示，董事會已遴選 Haviv Ilan 擔任公司新任總裁兼執行長 （CEO），此次人事異動案自 4 月 1 日起生效。在 TI 服務 24 年的 Ilan 將接替現任總裁兼執行長 Rich Templeton，而 Templeton 將在未來兩個月內卸任上述職務，並持續擔任公司董事長 |
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立錡科技與宜普電源轉換合作推出小型化140W快充解決方案 (2023.01.18)
宜普電源轉換公司（EPC）和立錡科技（Richtek）?手推出新型快充參考設計，使用RT6190降壓-升壓控制器和氮化鎵場效應電晶體EPC2204，可實現超過98%的效率。
宜普電源轉換公司和立錡科技宣佈推出4開關雙向降壓-升壓控制器參考設計，可將12 V~24 V的輸入電壓轉換?5 V~20 V的穩壓輸出電壓，並提供高達5 A的連續電流和6.5 A的最大電流 |
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重視汽車應用市場 ST持續加速碳化矽擴產 (2023.01.18)
汽車是ST非常重視的市場之一，2022年車用和離散元件產品部（ADG）佔了ST總營收的30%以上。車用和離散元件產品部擁有意法半導體大部分的車用產品，非常全面性的產品組合能夠支援汽車的所有應用 |
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安森美的EliteSiC碳化矽系列方案提供更高能效 (2023.01.04)
安森美(onsemi)宣佈將其碳化矽(SiC)系列命名為「EliteSiC」。在CES上，安森美展示EliteSiC 系列的3款新成員：一款1700 V EliteSiC MOSFET和兩款1700 V雪崩EliteSiC肖特基二極體。這些新的器件為能源基礎設施和工業驅動應用提供可靠、高能效的性能 |
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ROHM第4代SiC MOSFET成功導入日立安斯泰莫電動車逆變器 (2022.12.20)
ROHM第4代SiC MOSFET和閘極驅動器IC已被日本知名汽車零件製造商日立安斯泰莫株式會社（以下簡稱日立安斯泰莫）使用於電動車（以下簡稱EV）逆變器。
在全球實現減碳社會的過程中，汽車的電動化進程持續加速，在此背景下，開發更高效、更小型、更輕量的電動動力總成系統已經成為必經之路 |
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Transphorm按功率段發佈氮化鎵功率管可靠性評估資料 (2022.12.16)
Transphorm發佈了針對其氮化鎵功率管的最新可靠性評估資料。評估可靠性使用的失效率（FIT）是分析客戶現場應用中失效的器件數。迄今為止，基於超過850億小時的現場應用資料，該公司全系列產品的平均失效率(FIT)小於0.1 |
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TI與群光電能合作 將GaN導入節能筆電電源供應器 (2022.12.14)
德州儀器（TI）宣布與群光電能（群電）於其最新款 65W 筆電電源供應器「Le Petit」中導入 TI 高整合式氮化鎵（GaN、Gallium nitride）解決方案。搭載 TI 的整合式閘極驅動器 LMG2610 半橋 GaN FET，群電與 TI 成功縮小電源供應器體積達 1/2 ，並提升電源轉換效率至高達 94% |
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意法半導體與Soitec攜手開發SiC基板製造技術 (2022.12.08)
意法半導體（STMicroelectronics，ST）與半導體材料設計製造公司Soitec宣布下一階段的碳化矽（Silicon Carbide，SiC）基板合作計畫，意法半導體準備於18個月內完成Soitec碳化矽基板技術產前認證測試 |
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工研院與康舒開發SiC馬達驅控器 加速切入國際電動車供應鏈 (2022.10.25)
經濟部透過科技專案，支持工研院與電源大廠康舒科技合作，並在今（25）日於康舒科技淡水廠區宣佈簽約。雙方除了共同開發「碳化矽動力馬達驅控器」，也將利用A+淬鍊計畫補助，整合康舒、富田電機、達信綠能，共同開發六合一碳化矽動力系統切入國際車廠Tire1供應鏈，加速由傳統車用零組件廠商轉型為電動車系統廠商 |
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TI：提高功率密度 有效管理系統散熱問題 (2022.10.21)
幾乎各種應用的半導體數量都在加倍增加，電子工程師面臨的許多設計挑戰都與更高功率密度的需求息息相關。
‧超大規模資料中心：機架式伺服器使用大量的電力，這對於想要因應持續成長需求的公用事業公司和電力工程師構成一大挑戰 |
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ST將於義大利興建整合式碳化矽基板製造廠 (2022.10.06)
意法半導體（STMicroelectronics；ST）將於義大利興建一座整合式碳化矽（Silicon Carbide；SiC）基板製造廠，以支援意法半導體客戶對汽車及工業用碳化矽元件與日俱增的需求，協助其邁向電氣化並追求更高效率 |
