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宜普:氮化鎵將取代650伏特以下MOFEST市場 規模約數十億美元
 

【CTIMES/SmartAuto 王岫晨 報導】   2023年09月04日 星期一

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隨著氮化鎵 (GaN)技術在各產業中扮演起重要的角色,中國政府已積極透過資助計畫、研發補助以及激勵政策等方式來支持氮化鎵技術在中國的發展。此外,中國近年來出現了許多專注於研發氮化鎵的公司,並且包括復旦大學、南京大學、浙江大學及中國科學院等大學或研究機構也積極地投入氮化鎵相關領域的研究及發展。

目前中國是宜普公司(EPC)的第二大市場,它在企業運算(Enterprise Computing)、進階自動駕駛(Advanced Autonomy)和智慧移動(eMobility)等氮化鎵應用的領域當中具有快速成長的優勢。

宜普公司認為,若企業想在產業中保持領先的競爭優勢,唯有的關鍵就是不斷的創新。此外,氮化鎵在未來必然會取代電壓650伏特以下的金屬氧化物半導體場效電晶體 (MOFEST)市場,而該市場目前價值數十億美元。最後,公司若能夠加速現況的轉變,並且研發出現今矽半導體無法滿足的性能、尺寸以及具有成本優勢的產品,這將能夠維持或增強這些公司在氮化鎵領域上的競爭力。

儘管中國企業在氮化鎵的研發上已經投入大量的資金,但在GaN技術方面卻沒有處於領先地位。至目前為止,中國企業在氮化鎵技術的發展上仍然落後於宜普(EPC)以及納微半導體(Navitas)等公司。

放眼未來,宜普公司一直致力於製造比矽功率元件擁有更高性能、成本更低的氮化鎵功率元件。宜普公司早在 2010 年 3 月就開始生產第一個氮化鎵系列產品,也相當於領先同行業者好幾年。我們作為增強型(常閉型)氮化鎵功率電晶體技術的開創者,並在 2014年首次推出氮化鎵功率集成電路。此外,宜普更是出版了《氮化鎵電晶體–高效功率轉換元件》與《氮化鎵功率元件和應用》兩本教科書,而這兩本教科書也被大學廣泛用於培養下一代的電力電子技術人員。宜普公司目前也正在加速開發對於速度及尺寸特性極為要求的400 伏特以下市場。

關鍵字: SiC  GaN  寬能隙半導體  宜普公司 
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