意法半導體（STMicroelectronics，簡稱ST），和涵蓋LED、碳化矽、光通訊、RF、濾波器和氮化鎵等產品之中國化合物半導體領導企業三安光電宣布，雙方已簽署協定，將在中國重慶建立一個新的8吋碳化矽元件合資製造廠。

新廠計畫將於2025年第四季開始生產，並預計在2028年全面落成，屆時將支援中國日益成長的電動汽車、工業電力和能源等應用的需求。同時，三安光電將利用自有SiC基板製程，單獨建造和營運一個新的8吋 SiC基板製造廠，以滿足該合資廠的基板需求。

該合資廠將採用ST的SiC專利製程技術，專注於為ST生產SiC元件，成為ST專用晶圓代工廠以支援其中國客戶之需求。該合資廠建設總金額預計約32億美元，包含其中未來5年的資本支出約為24億美元，資金來源包括意法半導體和三安光電的資金投入、重慶政府的支援以及由合資企業向外貸款。

意法半導體總裁暨執行長Jean-Marc Chery表示：「中國的汽車和工業領域正朝向電氣化全速前進，在此一市場，ST已經成功獲得多項客戶專案。對ST來說，與中國當地重要的合作夥伴一起成立一個專門的晶圓廠，將幫助我們以最高效的方式滿足中國客戶不斷成長的需求。三安光電未來的8吋基板製造廠，加上雙方新成立的前段合資製造廠，以及ST在中國深圳現有的後段製造廠相結合，ST有能力為中國客戶提供一個完全垂直整合的SiC價值鏈。此舉將成為繼ST在義大利和新加坡持續重大的投資外，進一步擴大其全球SiC製造業務的重要一步。新合資廠將協助ST達到2030年SiC營收逾50億美元的目標。這項計畫亦與之前向金融市場傳遞之公司在2025年到2027年達成200億美元以上的營收目標，以及相關的財務模式一致。」

三安光電執行長林科闖則表示：「該合資廠的成立將有助於推動SiC元件在中國市場廣泛的採用。成為一家國際知名的高品質SiC晶圓代工企業，三安還將新建一個SiC基板工廠，專為新成立的合資廠提供SiC基板。這是三安光電朝向成為SiC專業晶圓代工廠之目標所邁出的重要一步。隨著新合資廠的成立和新SiC基板工廠的產能擴張，我們有信心三安將繼續在SiC專業晶圓代工市場佔據優勢地位。」

完成該專案之流程仍待監管部門審核。