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EPC新350V氮化鎵功率電晶體　比等效矽元件小20倍且成本更低 (2022.04.08)
宜普電源轉換公司（EPC）推出 EPC2050，這是一款 350 V GaN 電晶體，最大 RDS(on) 為 80 mΩ，?衝輸出電流? 26 A。 EPC2050 的尺寸僅為 1.95 mm x 1.95 mm。與採用等效矽元件的解決方案相比，基於EPC2050的解決方案的佔板面積小十倍

ROHM建立8V閘極耐壓150V GaN HEMT量產體制 (2022.03.29)
半導體製造商ROHM已建立150V耐壓GaN HEMT?GNE10xxTB系列（GNE1040TB）?的量產體制，該系列產品的閘極耐壓（閘極-源極間額定電壓）高達8V，非常適用於基地台、資料中心等工控設備和各類型IoT通訊裝置的電源電路

ST：發展碳化矽技術關鍵在掌控整套產業鏈 (2022.03.14)
電源與能源管理對人類社會未來的永續發展至關重要。意法半導體汽車和離散元件產品部（ADG）執行副總裁暨功率電晶體事業部總經理Edoardo MERLI指出，由於全球能源需求正在不斷成長，我們必須控制碳排放，並將氣溫上升控制在1

ST第三代碳化矽技術問世瞄準汽車與工業市場應用 (2022.03.14)
電源與能源管理對人類社會未來的永續發展至關重要，由於全球能源需求正在不斷成長，因此必須控制碳排放，並將氣溫上升控制在1.5度以下，減排對此非常重要，但要實現這些要有科技的支援，包括可再生能源的利用，ST對此也有制定一些具體的目標

下半年8吋基板將量產第三類功率半導體2025年CAGR達48% (2022.03.10)
據TrendForce研究推估，第三類功率半導體產值將從2021年的9.8億美元，至2025年將成長至47.1億美元，年複合成長率達48%。 SiC適合高功率應用，如儲能、風電、太陽能、電動車、新能源車等對電池系統具高度要求的產業

Ampleon發佈增強效能的第3代GaN-on-SiC電晶體 (2022.02.23)
埃賦隆半導體（Ampleon）推出兩款新型寬頻碳化矽基氮化鎵（GaN-on-SiC）高電子遷移率電晶體（HEMT），功率等級分別為30W的CLF3H0060(S)-30和100W的CLF3H0035(S)-100。這兩款高線性度元件是最近通過認證並投入生產的第3代GaN-SiC HEMT制程的首發產品

Power Integrations推出1700V SiC MOSFET高壓切換開關 IC (2022.02.15)
Power Integrations在其 InnoSwitch 3-AQ 系列中新增了兩款符合 AEC-Q100 標準、額定電壓為 1700 伏特的 IC。這些新裝置是業界首款採用碳化矽 (SiC) 一次側切換 MOSFET 的汽車級切換電源供應器 IC

ROHM榮獲EcoVadis的2021年永續發展最高評價「白金獎」 (2022.01.10)
半導體製造商ROHM在 EcoVadis（總部位於法國）的2021年永續發展調查中，獲得最高評價「白金獎」，這是ROHM首次榮獲該獎項。「白金獎」是針對約80,000家評價對象中排名前1%企業所頒發的獎項

中美矽晶佈局化合物半導體成功開發各尺寸晶圓產品 (2021.12.22)
中美矽晶集團積極發展化合物半導體，如碳化矽(SiC)、氮化鎵(GaN)、砷化鎵(GaAs)、鉭酸鋰及鈮酸鋰等。在本屆的國際光電大展中，中美矽晶集團攜手旗下半導體子公司環球晶圓及轉投資事業

ST推出第三代碳化矽產品推動電動汽車和工業應用未來發展 (2021.12.15)
意法半導體（STMicroelectronics，ST）推出第三代STPOWER碳化矽（SiC） MOSFET電晶體，推動最先進的技術在電動汽車動力傳動系統功率設備的應用，以及在其他以功率密度、節能、高可靠性為重要目標的應用

800V架構漸近 2025年電動車對6吋SiC晶圓需求將達169萬片 (2021.12.01)
電動車市場對於延長續航里程及縮短充電時間有著極大需求，整車平臺高壓化趨勢愈演愈烈，對此各大車企已陸續推出800V高壓車型，例如Porsche Taycan、Audi Q6 e-tron、Hyundai Ioniq 5等

A*STAR微電子研究所和ST合作研發電動汽車與工業用碳化矽 (2021.11.30)
科學技術研究局（A*STAR）微電子研究所（Institute of Microelectronics，IME）與意法半導體（STMicroelectronics）宣布，在汽車和工業市場功率電子設備用碳化矽（SiC）領域展開研發（R&D）合作

ST隔離式SiC閘極驅動器問世採用窄型SO-8封裝節省空間 (2021.11.04)
意法半導體（STMicroelectronics）新推出之STGAP2SiCSN是為控制碳化矽MOSFET而優化的單通道閘極驅動器，其採用了節省空間的窄體SO-8封裝，具備穩定的效能和精準的PWM控制。 SiC功率技術被廣泛使用於提升功率轉換效率，而STGAP2SiCSN SiC驅動器可簡化節能型電源系統、驅動和控制電路設計以節省空間，並加強穩定性和可靠性

安森美完成收購GT Advanced Technologies 強化碳化矽實力 (2021.11.02)
安森美(onsemi)，於美國時間11月1日宣佈，已完成對碳化矽(SiC)生產商GT Advanced Technologies（「GTAT」）的收購，確保和增加SiC供應的能力。安森美的客戶將受益於GTAT在晶體生長方面的豐富經驗，及其在開發晶圓就緒的SiC方面令人嘆服的技術能力和專業知識

「2021電源管理與電力設計研討會」特別報導 (2021.10.27)
愛德克斯：高整合電驅系統當道電機與電池模擬測試是關鍵電動車產業正如火如荼的發展，包含台灣在內，各國政府也透過法令與補貼政策，全力推動電動車市場的成形

ROHM榮獲UAES SiC功率解決方案優先供應商殊榮 (2021.10.27)
半導體製造商ROHM榮獲中國車界Tier1供應商—聯合汽車電子有限公司（UAES）的SiC功率解決方案優先供應商殊榮。 UAES和ROHM自2015年開始技術交流以來，雙方在採用SiC功率元件的車電應用產品開發方面建立了合作夥伴關係

正海集團與ROHM協議合資公司發展碳化矽功率模組 (2021.10.22)
正海集團與ROHM簽署合資協定，將共同成立一間主要經營功率模組事業的新公司。新公司名為上海海姆希科半導體有限公司（HAIMOSIC (SHANGHAI) CO., LTD.），計畫於2021年12月在中國成立，出資比例為正海集團旗下的上海正海半導體技術有限公司佔80%，ROHM佔20%

中央大學攜手是德建立第三代半導體研發暨測試開放實驗室 (2021.09.28)
是德科技（Keysight）攜手國立中央大學光電科學研究中心（National Central University Optical Sciences Center），共同合作提高了GaN、SiC應用研發及測試驗證之效率，並加速5G基建及電動車創新之步伐

UnitedSiC推出最小導通電阻6mΩ SiC FET 耗損僅競品的一半 (2021.09.14)
碳化矽（SiC）功率元件的應用正快速且廣泛的成長中，尤其是電動車相關的市場，而SiC元件的性能優劣也成為供應商的決勝點。而專注於碳化矽元件技術開發的美商UnitedSiC（聯合碳化矽），今日推出了一款業界最佳的750V SiC FET產品，該元件的導通電阻（RDS on）僅有6mΩ，僅有競爭對手SiC MOSFET產品的一半，並提供了5μs額定短路耐受時間

應用材料助碳化矽晶片製造加速升級至200毫米晶圓 (2021.09.09)
應用材料公司推出新產品，協助全球領先的碳化矽 (SiC) 晶片製造商，從150毫米晶圓製造升級為200毫米製造，增加每片晶圓裸晶 (die) 約一倍的產量，滿足全球對優質電動車動力系統日益增加的需求