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台灣寬能隙技術專家 瀚薪科技聚焦SiC與GaN元件開發
 

【作者: 王景新】   2019年07月15日 星期一

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功率半導體元件(power semiconductor device)又稱電力電子元件(power electronic device)係一高度競爭市場,外有國外大廠雄踞,內也有不少台廠投入,從工研院分拆出來的瀚薪科技設立於台灣新竹,是聚焦寬能隙(wide band-gap)材料基礎的高功率半導體設計公司,長期致力於碳化矽(silicon carbide; SiC)與氮化鎵(gallium nitride; GaN)功率半導體技術與產品開發,專注投入於SiC與GaN材料特性、製程工藝與功率半導體設計及電力電子應用相關研究。



圖一 : 瀚薪碳化矽已研發至1700V,未來將往更高功率邁進(攝影/王景新)
圖一 : 瀚薪碳化矽已研發至1700V,未來將往更高功率邁進(攝影/王景新)

「車用將是寬能隙功率半導體的一個重要應用市場,新能源汽車裡面的DC/DC轉換器,或是車載電源系統(onboard charger; OBC),透過SiC功率半導體的應用,可提升應用系統的電力轉換效率,讓行駛里程數增加或更有效的配置電池。」瀚薪科技行銷與業務處處長楊雅嵐表示。


她指出,行駛里程數增加意謂行車續航力延伸,對於電動車發來說,碳化矽(Silicon Carbide; SiC)是很關鍵的零件;包括去年特斯拉(Telsla)就在旗下新車使用碳化矽的金屬氧化物半導體場效電晶體(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor ; MOSFET),也帶動SiC功率半導體在電動車輛應用市場中快速前進。
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