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晶圓級相機技術的關鍵整合優勢 (2008.08.28)
數位相機的相關技術，在過去五年來隨著手機的普及而大幅提升，影像已能夠擺脫時間與空間的限制，即時地傳送到世界任何角落，將人們連結在一起。本文將介紹建構相機模組的創新技術，藉由這些創新技術，使得更小、更價廉的相機模組，得以能整合至手機、筆記型電腦等越來越小巧的電子裝置之中 |
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IDC：2008第二季全球行動電話出貨成長率達15.3% (2008.08.27)
高效能裝置的競爭，令2008年第二季全球行動電話市場持續以雙位數字穩定成長。根據 IDC(國際數據資訊)的全球手機出貨追蹤季報(Worldwide Mobile Phone Tracker)，供應商於2008年第二季的總出貨量為3億6百萬台，跟前一季2億8,970萬相比增加了5.6%，和2007年第二季的2億6,540萬相比則高出15.3% |
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電子產品支出成長放緩 晶片業將受衝擊 (2008.08.26)
外電消息報導，市場研究公司Gartner的一名分析師日前表示，受全球電子產品的消費支出成長速度放緩的影響，今年全球的晶片市場也將連帶受影響，包含中國、印度及俄羅斯等新興市場也將遭受波及 |
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CRI與英飛凌簽署防禦差分電力攻擊授權協議書 (2008.08.25)
密碼系統研究公司Cryptography Research Inc.(CRI）及英飛凌科技宣佈共同簽署一份防竄改(tamper-resistant)半導體的安全技術授權協議書。英飛凌將獲CRI授權防禦差分電力攻擊（Differential Power Analysis，DPA）的專利與技術以及CRI的CryptoFirewall相關專利，以協助其擴展專業及產品組合 |
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英特爾展示無線充電技術 成功點亮60瓦燈泡 (2008.08.24)
外電消息報導，英特爾研究人員日前展示了一種無線充電技術，讓裝置在3英尺遠的距離中，成功點亮了一個60瓦的燈泡。
據報導，英特爾研究人員成功展示了在距離電源3英尺遠的地方，讓一個60瓦的燈泡發光，並且保持了75%的能源 |
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晶圓級與EDOF手機相機模組發展前景探討 (2008.08.22)
雖然手機相機規格不斷推陳出新，但200萬或300萬以下畫素且僅具基本功能的手機仍佔90%以上，顯示相機模組在各種限制下，要推展至高階領域(如具備光學變焦功能)有一定的瓶頸，此也使得高階以外手機相機模組的成本降低與影像品質適度提升，成另一發展重心 |
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英特爾未來Core處理器將引入渦輪加速模式 (2008.08.21)
英特爾資深副總裁暨數位企業事業群總經理Pat Gelsinger在英特爾科技論壇主題演講中詳述英特爾持續推動普及化(pervasive)、高效能與低功耗運算的產品藍圖規畫(roadmap)。Gelsinger探討英特爾下一代處理器系列的新功能，包括新的渦輪加速模式(turbo mode)，該功能可進一步推升處理器效能並避免產生額外熱能 |
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AMD將於Q4推出45奈米的伺服器處理器 (2008.08.20)
外電消息報導，AMD資深副總裁Randy Allen日前表示，AMD預計在今年第四季推出代號上海（Shanghai）的45奈米伺服器處理器。而該產品的推出預計也將會進一步提升AMD在伺服器市場的占有率，同時與英特爾的Nehalem展開正面對決 |
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專訪:Silicon Labs亞太區MCU行銷經理彭志昌 (2008.08.20)
MCU市場在32位元的解決方案推出之後，便開始呈現兩極化的趨勢發展。高階多功需求的應用紛紛轉向32位元MCU的懷抱，而低階且無須大量運算考量的設計便以8位元為主。而隨著32位元MCU的快速演進，此趨勢更形顯著，甚至部分的中低階產品也有往32位元靠齊的動作 |
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業務重整 飛利浦出脫所有台積電持股 (2008.08.20)
飛利浦電子（Philips Electronics）日前（8月14日）出脫了所持有的台積電（TSMC）所有股票。據了解，飛利浦表示出脫股票是依據2007年3月所公布的計劃所施行的。在該計劃中，飛利浦將在2010年之前出脫所持有的台積電所有股票 |
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恆憶與海力士將延長5年NAND Flash合作計畫 (2008.08.19)
恆憶（Numonyx B.V.）和海力士半導體（Hynix Semiconductor）日前宣佈，將延長兩公司在NAND快閃記憶體升級產品和技術開發的合作計劃。據了解，兩公司未來將擴大NAND快閃記憶體產品和技術的合作開發範圍，並將為加快開發速度而進行經營資源的一體化 |
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Intermolecular與爾必達合作研發次世代記憶體技術 (2008.08.19)
Intermolecular與爾必達宣布了一項新的合作發展計劃（ CDP）和授權協議，以加速爾必達次世代IC新材料與製程技術的發展。這項合作發展計畫將採用Intermolecular物理氣相沉積（ PVD）與原子層沉積（ ALD ）的工作流程和應用方案 |
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Vishay擴展298D MicroTan產品系列 (2008.08.18)
Vishay Intertechnology, Inc.宣布已擴展其298D系列MicroTan固體鉭芯片電容器，在模塑0402封裝尺寸中提供業界最佳的額定電容電壓值。
Vishay的298D MicroTan電容器充分利用已獲專利的MAP（多陣列封裝）裝配技術以擴展產品系列，現已可在面積為1.0mm×0.5mm、最大濃度為0.60mm的超薄小型0402 K封裝中提供4.7μF-4V至10μF-4V的電容電壓 |
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Maxim推出MAX16816 (2008.08.15)
MAX16816是一顆電流模式的高亮度LED(HB LED)驅動器設計，用來控制兩個外部n通道MOSFETs達到對單線LED電流調節。MAX16816整合所有需要的部份去實現具有高範圍閃爍控制的定頻高亮度LED驅動器和可調變EEPROM LED的電流儲存達到1.6，這顆產品可以調整為降式(buck)、升式(boost)或升/降式(buck-boost)整流器 |
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Maxim推出MAX16046-49 (2008.08.15)
MAX16046/MAX16048 EEPROM可配置系統管理器能夠對多個系統電壓進行監測、排序、跟蹤並可調整裕量。MAX16046可以同時管理高達12個系統的電壓，而MAX16048可以同時管理8個電源供應器電壓 |
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明導國際EDA技術論壇 創意與專業雙管齊下 (2008.08.15)
Mentor Graphics明導國際將於8月27日(星期三)在新竹國賓大飯店舉辦EDA技術論壇，當天活動不僅完全免費，明導國際還特別與日本原廠情商，準備20多台扭蛋機，要讓你帶走目前當紅的扭蛋系列 |
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2010年手機市場的MEMS元件將達25億美元 (2008.08.14)
外電消息報導，市場研究公司Yole Developpement日前公佈一份研究報告指出，至2010年，MEMS微機電技術在手機應用的市場，將會達到25億美元的規模。
Yole表示，矽晶麥克風以及薄膜體聲波諧振(FBAR)在2003年推出時，就已吸引市場的注目，如今邁入成熟階段，應用也將更廣泛 |
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Vishay推出Bulk Metal Z箔卷型表面貼裝電阻 (2008.08.14)
Vishay Intertechnology, Inc.宣布推出新型VSMP0603超高精度Bulk MetalZ箔(BMZF)卷型表面貼裝電阻。該器件採用0603芯片尺寸的產品，當溫度範圍在−55°C至+125°C（參考溫度為+25°C）時，可提供±0.2 ppm/°C的軍用級絕對TCR、±0.01%的容差以及1納秒的快速響應時間（幾乎不可測量），且無振鈴 |
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AMD發表全球運算速度最快的繪圖卡 (2008.08.14)
AMD發表全球速度最快的顯示卡ATI Radeon HD 4870 X2，大幅提升電腦視覺運算極限，帶來接近電玩與電影極逼真高解析度「eye-def」的效果，並擁有2.4 teraFLOPS的驚人處理速度。AMD亦同步推出ATI Radeon HD 4850 X2顯示卡，以極具競爭力的價格，提供令人驚豔的顯示卡效能 |
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爾必達將投資蘇州DRAM新廠 (2008.08.13)
爾必達將繼廣島和台灣之後，在中國蘇州工業園區新設支援12吋晶圓的DRAM廠，這將是爾必達全球第三個生產基地。據了解，該DRAM廠主要用於應付中國市場快速成長的個人電腦等需求 |
