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只有互助合作才能雙贏——從USB2.0沿革談起

USB的沿革歷史充滿曲折,其中各大廠商從本位主義的相互對抗,到嘗盡深刻教訓後的Wintel合作,能否給予後進有意「彼可取而代之」者一些深思與反省?
集邦科技:DRAM價格上揚趨勢將維持至農曆年前 (2006.01.04)
根據DRAM報價網站集邦科技(DRAMeXchange)表示,在耶誕節和新年假期間, DRAM現貨市場交易逐漸趨緩。大多數的買賣雙方對價格的走勢保持觀望的態度,等待年後更明確的價格走勢
DRAM跌價 美光獲利縮水 (2005.12.23)
全美第一大電腦記憶晶片廠商美光公布本會計年度第一季財報,獲利因電腦記憶晶片跌價而縮水六成,但該公司依舊對前景懷抱信心。 美光該季獲利6260萬美元,每股盈餘為9美分,低於分析師預期,也比去年同期減少六成
DRAM現貨價上漲 合約價維持跌勢 (2005.12.21)
雖然DRAM現貨價在近一週內出現反彈,但是十二月下旬合約價卻未因此而止跌。由於OEM電腦大廠的採購補貨動作多於十二月上旬告一段落,在需求量明顯較上旬冷清情況下
iSuppli:明年DRAM市場將出現負成長 (2005.12.16)
儘管市場分析師看壞明年DRAM市場,但實際上今年第四季價格大跌,部份DRAM廠獲利大幅縮減,對明年的擴產動作已轉為謹慎保守,所以明年全球DRAM市場景氣是好是壞,台灣業者的動作將是重要關鍵
下半年DRAM產量充裕 影響市場行情 (2005.12.14)
根據統計,今年11月份全球DRAM總產出量,已經正式突破7億顆256Mb約當顆粒大關,約來到7億400萬顆,若分析11月各地區的產出量成長情況,此次主要成長動力來自於日本爾必達(Elpida),產能月成長率約達14%,其它地區則有1~3%不等的成長幅度
爾必達12吋新廠啟用 目標全球前三大DRAM廠 (2005.12.02)
日本DRAM大廠爾必達(Elpida)宣布,位於日本廣島的十二吋廠E300新建生產線正式落成啟用,除了明年第一季月產能可達5萬4000片外,十二吋廠也將全線導入90奈米製程量產512Mb DDR2及遊戲機用XDR記憶體等高階產品
DRAM廠第四季毛利率將下滑至10~15% (2005.11.24)
第四季以來,國內DRAM廠看好年底歐美傳統旺季需求,認為主流產品256Mb DDR現貨價可望維持在2.5美元,不過十月份主機板廠或筆記型電腦(NB)廠出貨雖再創新高,但DRAM卻由十月初的2.6美元,一路跌至的2.1美元
市場競爭加劇 各廠商提升NAND Flash產能 (2005.11.22)
記憶晶片產業的競爭加劇在即,東芝和三星皆傳出調整記憶晶片生產線的消息。日經產業新聞報導指出,東芝試圖使該公司NAND晶片的讀寫速度於明年提高一倍,用以增強東芝與龍頭廠商三星電子競爭的實力,而三星電子同日對外宣布,擬斥資6370億韓元(約合新台幣208億元)擴張包括NAND在內的記憶晶片產能
茂德第二座十二吋晶圓廠落成啟用 (2005.11.20)
茂德科技於中部科學工業園區舉行第二座十二吋晶圓廠──晶圓三廠落成啟用典禮,宣示茂德正式跨越90奈米製程量產世代。茂德董事長曁總經理陳民良表示,全新啟用的十二吋晶圓三廠為台灣第一家有能力以90奈米製程技術量產的十二吋DRAM晶圓廠,其產能規模於2006年第三季時,將達每月三萬片,推升茂德2006年的位元成長率達80%
十二吋晶圓廠群聚中科 (2005.11.14)
茂德近日將為台中科學園區的十二吋DRAM晶圓廠舉行落成啟用典禮,這是中科第一座量產的十二吋廠。另一家投產DRAM的華邦十二吋廠,也將於2006年第一季進行量產。此外,茂德還計畫2006年下半年動土興建第四座十二吋廠,力晶亦計畫至中科后里基地申請十二吋建廠用地,台中科學園區已然成為十二吋DRAM晶圓廠群聚之處
512Mb DDR2總產量超越256Mb DDR (2005.10.13)
根據集邦科技全球DRAM產出統計,九月份512Mb DDR2佔全球DRAM總產出量比重已達35%,首度超越256Mb DDR的34%比重,所以若說DDR2已成為DRAM廠出貨主流產品其實並不為過。如今國內DRAM廠看第四季景氣還是樂觀,但來自韓國、日本、台灣三地的十二吋DRAM廠產能仍全速開出,第四季不論是DDR或DDR2,供給過剩的壓力將較第三季更大
TSIA:DRAM製程獎勵應維持0.18微米 (2005.10.03)
經濟部日前正進行兩年一次「新興重要策略性產業屬於製造業及技術服務業部分獎勵辦法」之檢討,其中DRAM部份,擬將獎勵範圍修訂為「DRAM(設計以製程0.13微米以下技術)」
工研院研究DRAM材料獲重大突破 (2005.09.21)
工研院電子所繼日前與國內DRAM大廠力晶、茂德、華邦與南亞等共組「新世代相變化記憶體」技術研發聯盟後,近日則再宣佈DRAM技術獲得關鍵性突破。工研院電子所成功研發出以高介電係數(high-k)材料為主的金屬-絕緣層-金屬(Metal-Insulator-Metal;MIM)電容結構
期許台灣四大DRAM場共同落實研發PCM (2005.07.13)
台灣四大DRAM廠12日在工研院力邀下,簽署一份未來三年內為次世代記憶體技術共同出資新台幣1.2億元的合約,不過歷來所有DRAM大廠每年研發費用動輒數10億元,這樣的資金對於台灣DRAM而言,有如九牛一毛,更何況各家DRAM廠均有其各自的合作夥伴,要達成共同研發次世代記憶體技術的機率,可說是微乎其微
英飛凌將提供業界DDR3裝置及模組 (2005.06.16)
記憶體產品領導廠商英飛凌宣佈將為PC產業之發展廠商提供業界首次採用的DDR3裝置以及模組,與現今市場上最快速的記憶體產品相比較,速度要快上一倍。第一批採用DDR3記憶體技術的系統預計將在2006年的後期推出
12吋廠大幅擴產 DRAM跌價壓力重 (2005.05.25)
根據工商時報報導,DRAM主流規格由256Mb DDR轉換至512Mb DDR2,八吋廠的生產成本優勢已失,十二吋廠成為各家DRAM廠卡位市佔率的重要籌碼,因此雖然今年DRAM價位不佳,但各家業者仍積極擴建十二吋廠生產線
茂德與Hynix合作開發奈米級DRAM製程 (2005.05.24)
根據工商時報消息,儘管茂德90奈米製程仍是向韓國DRAM大廠Hynix以技轉方式取得,但茂德仍希望能開發出自有技術,所以茂德已向竹科管理局提出申請,將在篤行園區內建立茂德的研發設計中心,與Hynix共同開發次世代堆疊式DRAM製程技術
勁永國際將在Computex展舉辦新產品發表會 (2005.05.12)
勁永國際自結94年4月份營業收入為新台幣11.32億元,相較93年同期之新台幣9.07億元,成長24.8%。勁永國際兩大主力產品為DRAM和FLASH,其中FLASH產品佔銷售比例為51%,DRAM產品佔銷售比例為49%
PQI研發記憶體模組產品已有重大突破 (2005.05.11)
PQI勁永國際繼四月初發表PQI TurboMemory DDR2-900桌上型電腦專用高效能記憶體模組之後,10日再度推出PQI TurboMemory DDR2-1000桌上型電腦專用高效能記憶體模組。PQI TurboMemory DDR2-1000桌上型電腦專用高效能記憶體模組採用的是DDR2-667原廠顆粒
業者預估第二季DRAM市場價格走軟 (2005.04.29)
據外電消息,DRAM大廠Hynix預測DRAM第二季現貨價會比第一季下跌逾10%,但透過削減成本應仍能讓Hynix維持獲利。另一家DRAM業者星電子亦曾於稍早前做出DRAM價格走軟的預期 Hynix亦表示,該公司降低生產成本的速度比DRAM平均價格的下跌快得多,應能讓Hynix在市場淡季中保持獲利;該公司目前為全球第二大DRAM供應商,銷售排名僅次於三星

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