帳號:
密碼:
最新動態
產業快訊
CTIMES/SmartAuto / 新聞 /
下半年DRAM產量充裕 影響市場行情
 

【CTIMES/SmartAuto 王岫晨 報導】   2005年12月14日 星期三

瀏覽人次:【783】

根據統計,今年11月份全球DRAM總產出量,已經正式突破7億顆256Mb約當顆粒大關,約來到7億400萬顆,若分析11月各地區的產出量成長情況,此次主要成長動力來自於日本爾必達(Elpida),產能月成長率約達14%,其它地區則有1~3%不等的成長幅度。整體來看,全球DRAM月產出量仍呈現逐月成長趨勢,DRAM及NAND快閃記憶體間的產能排擠效應看來並不明顯。

雖然今年以來NAND快閃記憶體需求暢旺,讓三星、Hynix、美光、英飛凌等一線大廠,持續調撥DRAM產能生產NAND晶片,但實際上這個產能排擠效應,一直沒有明顯的壓抑住全球DRAM產出量的成長,反而是下半年隨著力晶、華亞科、中芯、Hynix等新十二吋廠產能陸續開出,全球DRAM產出量還在9月、10月出現一成左右的高月成長率。

根據統計,今年一月份全球DRAM總產出量,還不到4億5000萬顆水準,但至11月份,全球總產出量已正式突破7億顆關卡,來到7萬顆規模,光是以今年1~11月份的產出量來比較,DRAM月產能已成長了近六成幅度,也難怪今年下半年DRAM行情一直不佳,因為DRAM供給量十分充足。

由11月份各地區的DRAM產出量來分析,日本爾必達的月出貨量逼近6000萬顆,較前一個月成長14%幅度,與美國、歐洲、韓國、台灣等四地約1~3%的月成長率相較,有了很大的對比。而爾必達產出量大躍進,除了代工夥伴力晶、中芯的十二吋廠產能持續增加外,自建的十二吋廠E300新生產線於十月份正式投產,亦是重要因素之一。

除了日本之外,其它地區的DRAM廠現在沒有太積極的擴產動作,產出量的成長只能依賴製程技術微縮及良率提升,不過因為部份DRAM廠明年新廠即將量產,包括華邦、茂德等中科十二吋廠將於明年量產,英飛凌位於美國Richmond的十二吋廠明年亦將擴大投片量,Hynix在大陸的八吋廠及十二吋廠亦將於明年底開出新產能,所以市場認為明年DRAM市場供給量的成長幅度仍將驚人,最快明年底全球月產出量就會突破十億顆大關。

關鍵字: DRAM  動態隨機存取記憶體 
相關新聞
Crucial擴展DDR5 Pro電競記憶體產品組合 為遊戲玩家提供更快速度
美光超高速時脈驅動器DDR5記憶體產品組合 可助新一波AI PC發展浪潮
美光32Gb伺服器DRAM通過驗證並出貨 滿足生成式AI應用要求
台灣美光台中四廠正式啟用 將量產HBM3E及其他產品
美光發布記憶體擴充模組 加速CXL 2.0應用
comments powered by Disqus
相關討論
  相關文章
» SiC MOSFET:意法半導體克服產業挑戰的顛覆性技術
» STM32MP25系列MPU加速邊緣AI應用發展 開啟嵌入式智慧新時代
» STM32 MCU產品線再添新成員 STM32H7R/S與STM32U0各擅勝場
» STM32WBA系列推動物聯網發展 多協定無線連接成效率關鍵
» 開啟邊緣智能新時代 ST引領AI開發潮流


刊登廣告 新聞信箱 讀者信箱 著作權聲明 隱私權聲明 本站介紹

Copyright ©1999-2024 遠播資訊股份有限公司版權所有 Powered by O3  v3.20.1.HK8BT3WNUD4STACUKI
地址:台北數位產業園區(digiBlock Taipei) 103台北市大同區承德路三段287-2號A棟204室
電話 (02)2585-5526 #0 轉接至總機 /  E-Mail: webmaster@ctimes.com.tw