根據統計,今年11月份全球DRAM總產出量,已經正式突破7億顆256Mb約當顆粒大關,約來到7億400萬顆,若分析11月各地區的產出量成長情況,此次主要成長動力來自於日本爾必達(Elpida),產能月成長率約達14%,其它地區則有1~3%不等的成長幅度。整體來看,全球DRAM月產出量仍呈現逐月成長趨勢,DRAM及NAND快閃記憶體間的產能排擠效應看來並不明顯。
雖然今年以來NAND快閃記憶體需求暢旺,讓三星、Hynix、美光、英飛凌等一線大廠,持續調撥DRAM產能生產NAND晶片,但實際上這個產能排擠效應,一直沒有明顯的壓抑住全球DRAM產出量的成長,反而是下半年隨著力晶、華亞科、中芯、Hynix等新十二吋廠產能陸續開出,全球DRAM產出量還在9月、10月出現一成左右的高月成長率。
根據統計,今年一月份全球DRAM總產出量,還不到4億5000萬顆水準,但至11月份,全球總產出量已正式突破7億顆關卡,來到7萬顆規模,光是以今年1~11月份的產出量來比較,DRAM月產能已成長了近六成幅度,也難怪今年下半年DRAM行情一直不佳,因為DRAM供給量十分充足。
由11月份各地區的DRAM產出量來分析,日本爾必達的月出貨量逼近6000萬顆,較前一個月成長14%幅度,與美國、歐洲、韓國、台灣等四地約1~3%的月成長率相較,有了很大的對比。而爾必達產出量大躍進,除了代工夥伴力晶、中芯的十二吋廠產能持續增加外,自建的十二吋廠E300新生產線於十月份正式投產,亦是重要因素之一。
除了日本之外,其它地區的DRAM廠現在沒有太積極的擴產動作,產出量的成長只能依賴製程技術微縮及良率提升,不過因為部份DRAM廠明年新廠即將量產,包括華邦、茂德等中科十二吋廠將於明年量產,英飛凌位於美國Richmond的十二吋廠明年亦將擴大投片量,Hynix在大陸的八吋廠及十二吋廠亦將於明年底開出新產能,所以市場認為明年DRAM市場供給量的成長幅度仍將驚人,最快明年底全球月產出量就會突破十億顆大關。