記憶晶片產業的競爭加劇在即，東芝和三星皆傳出調整記憶晶片生產線的消息。日經產業新聞報導指出，東芝試圖使該公司NAND晶片的讀寫速度於明年提高一倍，用以增強東芝與龍頭廠商三星電子競爭的實力，而三星電子同日對外宣布，擬斥資6370億韓元（約合新台幣208億元）擴張包括NAND在內的記憶晶片產能。

另外，英特爾與美光也宣布，將成立一家NAND快閃記憶體合資企業，產品主要將用於消費電子產品、移動數據儲存與可攜式通訊設備。其產品主要將供應蘋果使用。

三星表示，該公司計畫在華城廠增添DRAM和NAND的生產線。三星曾於今年九月宣布七年資本支出計畫，計畫投入330億美元（約合新台幣1.1兆元）擴張半導體產能。

東芝所生產的NAND晶片之記憶單元係採用一項多層單元（MLC）專利設計，此一設計能讓每個記憶單元儲存二位元的數據資料，容量是目前一般記憶單元的兩倍，也就是說，採用前述設計，資料儲存量一樣的快閃晶片大小是一般快閃晶片的一半。

但前述MLC技術有個缺點，即數據資料讀寫速度因此減慢，由於購買錄影照相機等電子產品的消費者較注重速度，如此一來，東芝的快閃晶片恐怕競爭力不足，為此，東芝決定重新設計MLC記憶單元，好讓該公司快閃晶片的讀寫速度具備與三星快閃晶片較勁的本錢。

東芝目前販售的是70奈米製程NAND晶片，其讀寫速度為每秒6MB，東芝訂於2006年推出55奈米製程NAND晶片，該公司並試圖促新款晶片的讀寫速度達每秒12MB，即速度提升一倍。