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茂德產能提升 70奈米試產上看萬片 (2007.03.15)
記憶體大廠茂德將中科一廠單月最大產能提升到60,000萬片，今年總產量將較去年成長6.至7成。此外茂德興建中的中科二廠，第三季可完工移入機台，並陸續導入量產設備。茂德也確定年底前單月能有10,000片的產出是直接採70奈米試產，至於竹科廠方面，雖然月產能僅20,000片，但已經開始著手進行95奈米的試產 |
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台積電成功為客戶生產65奈米嵌入式DRAM (2007.03.15)
台積電成功為客戶產出65奈米嵌入式動態隨機存取記憶體（embedded DRAM）客戶產品，此一產品的DRAM容量達數百萬位元級，並且首批產出晶片就通過功能驗證。
台積電過去已於2006年第二季為客戶量產65奈米產品 |
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南亞最快明年達成DRAM全球市佔一成目標 (2007.03.12)
據南亞科技總經理連日昌表示，南亞首座十二吋廠三A廠明年底便將達到每月6萬2000片的產能，到時候南亞將擁有超過一成的全球市佔率，並且也將正式進軍NAND Flash市場。而第二座十二吋廠三B廠也會在今年下半開始動工興建 |
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奇夢達擴建蘇州封測廠 (2007.03.09)
奇夢達（Qimonda）於2007年3月8日表示，未來的三年將投資2億5000萬歐元資金擴建位於蘇州的封測廠，保守估計產能可擴增一倍。奇夢達的後端記憶體IC（DRAM）封裝測試廠，在擴建過程中，奇夢達將建置第2座廠房，使其產能擴增1倍 |
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富士通推出256Mbit Mobile FCRAM產品 (2006.11.28)
香港商富士通微電子台灣分公司，宣佈推出全新Mobile 256Mbit FCRAMTM(快速循環隨機存取記憶體)。此款Mobile FCRAM採用富士通FCRAM核心技術，是一個擁有SRAM介面的虛擬靜態隨機記憶體(PSRAM)，具高速運算及低功耗，適用於手機等各種手持式裝置之應用 |
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Hynix、ST在中國合資記憶體製造廠舉行開業典禮 (2006.10.11)
意法半導體和海力士半導體正式為在中國江蘇省無錫市合資建立的記憶體前端製造廠舉行開業典禮。中國中央及地方政府的高階官員皆出席了此盛大的典禮。將負責製造NAND快閃記憶體和DRAM記憶體產品 |
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Cypress推出位址/資料多路傳輸雙埠RAM元件 (2006.09.22)
Cypress推出全新六款以非同步雙埠RAM系列元件為基礎的跨處理器通訊解決方案，可應用於下一世代智慧型手機。新款More Battery Life(MoBL)雙埠RAM元件率先整合位址/資料多路傳輸(Address/Data Mulplexed；ADM)介面 |
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奇夢達與南亞科技獲得75奈米DRAM技術之驗證 (2006.09.19)
奇夢達公司和南亞科技公司宣佈已成功獲得75奈米DRAM溝槽式（Trench）技術之驗證，最小之製程尺寸為70奈米，第一個75奈米之產品將為512Mb DDR2記憶體晶片。此項新的技術平台和產品是雙方共同在德國德勒斯登（Dresden）和慕尼黑（Munich）的奇夢達開發中心所開發的 |
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奇夢達正式公開發行股票 每股13美元 (2006.08.10)
英飛凌科技(Infineon Technologies AG)和奇夢達(Qimonda AG)公司與主辦承辦商，今天在紐約共同確定奇夢達公司首次公開發行(IPO)的價格及發行規模。首次公開發行的價格為每股美國存託股票(American Depository Share, ADS)13美元，每股ADS對應一股奇夢達普通股 |
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日本爾必達將在明年初決定新廠落腳何處 (2006.08.01)
根據路透社消息指出，全球第五大動態隨機存取記憶體（DRAM）晶片製造商－日本爾必達記憶體（Elpida Memory）於2006年8月1號表示，將在明年初以前決定新晶片廠，在海外選擇方面，考量過稅率和補貼事宜後，目標縮小到三個地方，考量的建廠地點包括台灣、中國和新加坡 |
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爾必達考慮於台灣設立DRAM新廠 (2006.07.20)
根據報導，日本DRAM製造廠爾必達（Elpida）考慮將計畫中的先進工廠設在台灣。該公司將和在日本國內設廠的優劣進行比較之後，再作出最後決定。
據了解，爾必達計畫的新廠設備可製造加工寬度只有70奈米的DRAM半導體回路線，預定月產10萬片，同時也計畫生產下一代的半導體PRAM |
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中國IP侵權第一案可望落幕 (2006.06.20)
根據賽迪網站消息指出，深圳朗科與華旗資訊關於快閃記憶體的智慧財產權（IP）官司可望達成和解，雙方近日已經傳出達成和解協議。
深圳朗科與華旗資訊之間的官司由來已久，被稱為中國IT智慧財產權第一案 |
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DRAM廠鎖定發展高毛利之利基型產品 (2006.06.15)
從2005年第四季起，全球前五大DRAM廠三星、美光、奇夢達（Qimonda）、海力士與爾必達等，已經明確對外表示，未來DRAM事業著重重點，將不再是標準型DRAM，而是鎖定高毛利的利基型DRAM |
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需求浮現 DRAM價格七月將上揚 (2006.06.06)
記憶體大廠南科召開法說會，副總經理白培霖表示，六月份的DRAM合約價見低點，DDRII約小跌3至5％，DDR方面則持平或小漲，然因大陸地區暑期電腦促銷檔期將開始，預期需求會在六月下半出現，因此DRAM合約價可望在七月小反彈 |
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Cypress推出QDR II+ 與 DDRII+ SRAM元件樣本 (2006.04.23)
Cypress Semiconductor宣佈已經開始供應業界首款四倍資料傳輸率（Quad Data Rate II+, QDR II+）與雙倍資料傳輸率（Double Data Rate II+, DDRII+）的SRAM元件樣品。此款全新記憶體晶片比市面上其他競爭產品，多出高達50%的系統頻寬，因此可提供業界最高密度與最高頻寬的效能 |
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受產能排擠影響 DRAM價格大幅上揚 (2006.04.19)
受到DRAM廠的DDR及DDR2產能調配，以及DRAM大廠的DRAM及NAND快閃記憶體的產能排擠等因素影響，四月以來DRAM現貨價格明顯向上拉高，其中又以DDR價格上漲動力最強，有效測試（eTT）256Mb DDR十八日單日就大漲逾5％收2.35美元 |
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力晶中科新廠動土 總投資額3000億元 (2006.04.02)
首家進駐中科后里園區的力晶半導體與中部科學工業園區開發籌備處共同舉行聯合動土典禮。力晶將斥資300億元，興建四座十二吋晶圓廠（Fab 12C/ D/E/F）並創造逾五千個工作機會，結合新竹科學園區既有三座十二吋晶圓廠的龐大產能，更凸顯力晶躋身世界級記憶體大廠的企圖心 |
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集邦科技：DDR3預計2009年才會成為PC市場主流 (2006.03.30)
DDR2自2004年初開始在PC市場應用萌芽，但相繼受到0.11微米制程不順，DDR2 成本居高不下及Intel晶片組缺貨影響下，直至2006年第二季才晉升成為主流的記憶體規格。DDR2成為主流的時程較廠商預期落差達一年左右 |
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DRAMeXchange下修2006年DRAM位元成長率預測 (2006.03.22)
根據DRAMeXchange所調查的3月下旬合約價，DRAM廠已無進一步提高價格，不論DDR模組或DDR2模組，大致以持平成交。一些電腦系統大腦試圖談判更低的價格，但在3月下旬，DDR2缺貨現象雖不若2月份嚴重，仍處吃緊狀態 |
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DRAMeXchange：淡季DDR價格底部即將浮現 (2006.03.21)
DRAMeXchange指數(DRAM總產值綜合指數)於本月份7號到13號，由3007下降至3000，反映DDR與DDR2現貨市場的價格均微幅走跌。現貨市場方面，DRAM價格買氣不振，DDR 256Mb (32Mb*8) UTT價格維持在1.79美元並無太大變化 |
