CTIMES - 記憶體/儲存管理

USB3.0 未來是紅海還是藍海？就看創新應用 (2010.01.25)
USB3.0從規格標準制定以來，就一直是話題熱點，在CES展上，相關產品的展示地點更是史無前例地坐落在南館的正中央，足見高速傳輸的魅力。創惟科技走過USB2.0時代，看好USB3.0在儲存領域的發展，不過在此同時，也亟欲替USB3.0的超快速度找到適切的創新應用模式

WD推出My Book 3.0桌上型外接硬碟 (2010.01.20)
WD公司推出My Book外接式硬碟-My Book 3.0桌上型外接硬碟，為市面上第一部支援超快速SuperSpeed USB 3.0介面的儲存裝置。My Book 3.0配備比USB 2.0還要快上10倍的SuperSpeed USB 3.0傳輸介面，可大幅減少開啟與儲存大型檔案的時間

WD認養光華庭園落實節能減碳的綠能趨勢 (2010.01.17)
WD公司於週一（1/11）宣佈，即日起開始認養台北光華商場前的庭園區域，落實節能減碳的綠能趨勢，同時推動社會公民維護環境美化的意識。環境認養期間WD除了定期種植花草綠化環境，淨化空氣外，亦有專人定期維護整理，考量到商圈消費者的特性，特地於庭院當中設置歐風休憩桌椅，提供消費者逛街之餘另可享受自然空間的好去處

Spansion擬收購前日本子公司之經銷業務 (2010.01.14)
Spansion於前日（1/12）宣佈已達成口頭協議，計劃收購前子公司Spansion Japan的經銷業務；根據日本企業重整法的程序，該公司為東京地方法院即將處理的項目之一。Spansion亦口頭核准一項新的晶圓代工服務協議，其中或將包括Spansion Japan的晶圓代工與測試服務

A-DATA推出全新XPG Gaming系列v2.0記憶體模組 (2010.01.11)
A-DATA近日宣佈正式推出全新XPG Gaming系列v2.0記憶體模組，除了提供DDR3-1600、DDR3-1866以及DDR3-2200多種選擇，更提供雙通道包裝及三通道包裝以滿足不同電玩玩家的需求。專為電玩玩家而設計的XPG Gaming 系列v2

CES 2010：芯微和Super Talent展USB3.0儲存方案 (2010.01.07)
芯微科技（Symwave）以及Super Talent於昨日（1/6）共同宣佈，兩家公司將在1月7-10日於拉斯維加斯舉行的CES 2010上展示Super Talent的RAIDDrive，此為首款行動USB 3.0快閃碟。該產品使用Symwave的低功率晶片，具有可攜性並可接上標準USB 2.0埠也無需外部電源的特性

Tessera告輸南科宏碁 DRAM產業明年看俏 (2010.01.04)
美國國際貿易委員會（ITC）跨年前夕送給DRAM產業界一個新年禮物！在去年的12月30日，ITC宣判美商Tessera對台灣DRAM廠商的專利侵權指控敗訴。而DRAM模組廠昨日股價也升高，新的一年可望繼續維持此番營運水準

集邦：明年下半年DRAM可能出現缺貨 (2009.12.28)
記憶體市場研究機構集邦科技（DRAMeXchange）日前表示，隨著消費者對記憶體容量的需求持續增加，以及企業開始替換舊電腦，預計明年下半年起，電腦記憶體晶片將可能會出現缺貨的情況

LaCie與Symwave合推USB 3.0雙硬碟儲存方案 (2009.12.26)
LaCie公司與芯微科技（Symwave）公司於週三（12/23）共同宣佈，推出採新型SuperSpeed USB (3.0)標準設計的雙硬碟磁碟陣列(RAID)儲存方案。其採用Symwave符合USB 3.0標準的雙SATA與RAID橋接控制器，2Big USB 3.0最高容量可達4TB，並將內建Mac或PC適用的備份軟體

CEVA和Gennum為嵌入式儲存應用提供SAS 2.0 IP解決方案 (2009.12.21)
CEVA和Gennum旗下Snowbush IP Group（Snowbush）宣佈雙方結成合作夥伴，提供針對嵌入式儲存應用而優化的完整Serial Attached SCSI（SAS） 2.0 IP解決方案。這款整合式產品結合了Snowbush經矽驗證的6.0Gbps PHY IP和CEVA的SAS 2.0 Controller IP

SAMSUNG開始供應1Gb XDR DRAM (2009.12.10)
Rambus宣佈三星電子（Samsung Electronics）將開始供應1Gb XDR DRAM記憶體裝置。在Rambus XDR記憶體架構中，XDR DRAM為關鍵元件。Samsung的1Gb XDR DRAM裝置有助於將XDR技術的運用範圍擴展到遊戲機、運算及消費性電子產品等應用

十銓科技推出高速記憶卡 (2009.12.07)
十銓科技（Team Group）瞄準高階記憶卡市場，推出兩款質精、穩定、耐用高速記憶卡Team CF 600X與Team SDHC Class10，CF讀寫速度最高可達90MB/Sec，SDHC也有22MB/Sec的讀取水準。十銓Team CF 600X採用採用新一代控制晶片與獨家Turbo MLC技術，將CF卡的四通道傳輸效能推升到600倍速，搭配CF4

鉅景科技4Gb Memory SiP產品進入量產 (2009.11.30)
鉅景科技推出CT83 Memory SiP（4Gb DDRⅡ; x32bit），於第三季初導入知名日系相機廠商的高速薄型相機，此新款相機已於十一月底正式發售。數位相機輕薄且兼具多功能的市場趨勢，讓日系相機廠在高速連拍與高倍數變焦機種的設計上，也開始走輕薄體積

恆憶與Intel合作研究PCM技術獲關鍵性突破 (2009.11.02)
恆憶（Numonyx）與英特爾（Intel）宣佈，相變化記憶體（PCM）研究的關鍵性突破，此項非揮發性記憶體技術結合了現今多種類型記憶體的優點。研究人員也首度展示可於單一晶片堆疊多層PCM 陣列的64Mb測試晶片

慧榮Q3營收成長14% CDMA收發器Q4出貨 (2009.11.02)
慧榮科技上週五（10/30）公佈2009年第三季營收約2仟3佰萬美元，較第二季成長14%。單季總出貨量6仟7佰萬顆，較前一季成長24%。第三季不含酬勞費用（員工認股權證）毛利率為48.5%，與第二季相比持平

ST發佈內建先進90nm Flash的ARM系列MCU (2009.11.01)
意法半導體（ST）近日宣佈，在基於ARM Cortex-M系列處理器內核的微控制器研發專案上取得突破，推出內建90nm嵌入式快閃記憶體的微控制器。此項新產品的特性包括快作業速度，高周邊設備整合度，節省功耗以及密度極高的片上SRAM和非揮發性記憶體

旺宏電子推出全新256Mbit序列快閃記憶體 (2009.11.01)
旺宏電子於日前宣佈推出256Mbit序列快閃記憶體產品─MX25L25635E。此產品採用32位元定址技術，利用簡單的切換方式，即可讓128Mbit記憶體容量提高至256Mbit或更高，並且還提供了能往後相容於既有24位元定址的模式，使得系統工程師及製造商不需重大改動即可大幅地提高原有產品的功能及效能

ARM 針對低功耗及多媒體SOC 設計推出全新IP (2009.10.29)
ARM在週二(10/27)宣佈推出ARM AMBA系列的新系統IP產品，包AMBA網路互聯與進階QoS、全新的動態記憶體控制器，以及Verification and Performance Exploration工具。 AMBA網路互聯(NIC-301)與進階QoS (QoS-301) 可提供ARM Cortex CPU、Mali GPU及視訊處理器擁有的豐富媒體效果，並可在縮短延遲時間與保證頻寬之間取得極佳平衡

RAMBUS新MMI技術可降低行動記憶體功耗 (2009.10.28)
Rambus宣佈其運用Mobile Memory Initiative（MMI）所開發的最新晶片測試達到突破性功耗效能。最新的晶片測試結果顯示，高頻寬行動裝置的記憶體控制器透過MMI創新技術的運用可達到2.2mW/Gbps功耗效能

Cypress推出65奈米144-Mbit SRAM記憶體 (2009.10.27)
Cypress公司宣布推出單片式(monolithic)SRAM，密度可達144-Mbit，是65奈米 SRAM系列元件的最新成員。此新款144-Mbit QDRII、QDRII+、DDRII、以及DDRII+記憶體，採用與晶圓代工夥伴聯華電子聯手開發的65奈米製程技術