CTIMES - IC設計

富士通針對功率放大器開發CMOS電晶體 (2008.12.29)
富士通微電子近日發表CMOS邏輯高電壓電晶體的最新開發進展，此款電晶體具備高崩潰電壓的特性，適合支援無線裝置所使用的功率放大器。富士通開發此款45奈米世代CMOS電晶體，能支援10V功率輸出，讓電晶體能因應各種高輸出規格，滿足WiMAX與其他高頻應用中功率放大器的規格需求

瑞薩科技智慧型電池IC 可精確偵測電池殘量 (2008.12.29)
瑞薩科技宣佈推出R2J24020F Group IC，適用於支援智慧型電池系統（SBS）之鋰電池。已於2008年12月9日起在日本開始提供樣品。智慧型電池系統是電池與裝置間的資料與通訊標準化規格

Xilinx推出與2.0 PCI Express相容之5Gbps平台 (2008.12.29)
Xilinx(美商賽靈思)公司宣布推出可與2.0版的PCI Express標準完全相容之Virtex-5 FXT FPGA平台，為首款可支援5Gbps版序列連結標準之FPGA產品。Virtex-5 FXT FPGA已通過PCI-SIG第62號相容性工作小組最後一回合的規格測試，並列入PCI-SIG PCI Express的官方Integrator List中，成為賽靈思與其聯盟夥伴所提供可支援PCIe® 2.0應用的廣大設計資源中心

晶詮科技USB 2.0 OTG產品採用MIPS IP核心 (2008.12.29)
美普思科技公司(MIPS)宣佈，晶詮科技公司取得MIPS多種 USB 2.0 OTG (Oo-The-Go) PHY(實體層) IP 核心授權，將應用於特許半導體 (Chartered Semiconductor) 的0.18微米、0.13微米、90奈米泛用型(G) 、90奈米低耗電 (LP)以及65奈米製程

併不併？真有學問? (2008.12.28)
這波的金融風暴再次吹出了台灣記憶體和面板廠的整併問題。有趣的是，所有的人都認為整併是勢在必行，但現在是不是時機點？卻是眾說紛紜。但大家要問的是，如果現在不併

恩智浦將在2009年持續整併和收購擴大業務規模 (2008.12.26)
恩智浦半導體（NXP）在年終記者會中，台灣區總裁王俊堅先生向與會記者介紹了恩智浦在2008年的公司發展狀況以及公司對於未來的展望。2008年發生的一連串金融和經濟危機，為半導體產業整體帶來了很大的挑戰

發揮PCIe交換器架構特性結合Switch Partitioning概念提升高速傳輸效能 (2008.12.24)
由於網路多媒體傳輸應用越來越普及，伺服器、儲存和網通設備對於高速串流傳輸介面的效能要求也越來越高，提升點對點傳輸架構與網路介面交換器設計效能便非常重要，其中PCIe介面和交換器解決方案應用在網通設備及伺服器應用的革新趨勢，更備受業界關注

德州儀器推出第3代數位音訊處理器 (2008.12.24)
德州儀器 (TI)宣佈推出第三代 DA830 與 DA828 Aureus數位音訊處理器。此款高整合度、具雙核心的DA8x 產品系列，不僅結合ARM應用處理器與音訊數位訊號處理器 (DSP) 核心，並同時支援各種豐富周邊

Altera與DDD將2D數位影像帶入3D (2008.12.24)
Altera公司和DDD集團雙方將共同合作，把3D數位劇院的高品質影像送到每個家庭的客廳。DDD的TriDef Core嵌入式3D影像處理器在Altera Arria GX FPGA上運行，已經通過了產品測試。DDD提供的訂製電路板整合了現有的2D視訊電子電路，增強了3D功能，包括自動2D至3D轉換等

MAXIM推出DS3991低價的CCFL控制器 (2008.12.24)
DS3991是一顆控制冷陰極螢光燈管的產品，用來作為液晶顯示器（LCD）的背光板所需。DS3991提供了推-拉和半橋驅動拓撲。 DS3991轉換DC電壓（5V到24V）到需要驅動CCFLs的高電壓（300VRMS to 1400VRMS）AC波型

LSI針對建置整合式通訊推出新款晶片 (2008.12.23)
LSI公司日前發表一款採用外部資料交換（FXO）晶片組，其中整合了由系統供電的silicon DAA。該解決方案可在各種IP應用之間建構高可用度的連結，包括媒體閘道器、VoIP裝置以及傳統的類比線路

NI將儀器層級的I/O新增至LabVIEW FPGA硬體中 (2008.12.23)
NI發表新款的開放式FPGA架構硬體系列，並適用於PXI平台。NI FlexRIO產品系列，為業界首款商用現貨（COTS）解決方案，可提供NI LabVIEW FPGA技術的彈性，並整合儀器層級的高速I/O

德州儀器0.7 V輸入升壓轉換器支援5 µA工作電流 (2008.12.23)
德州儀器（TI）宣佈推出一款2 MHz DC/DC升壓轉換器，工作靜態電流為5 µA，而且可在輕負載條件下維持極高的效率。該解決方案支援0.7 V至5.5 V的輸入電壓，以及1.8 V至5.5 V的輸出電壓，進一步延長應用低功耗微控制器設計方案的電池使用壽命，例如採用單節AA電池或鹼性鈕釦電池等應用

強化802.11n晶片組技術確保數位家庭高畫質視訊無線傳輸品質 (2008.12.23)
應用在數位家庭和企業網路領域、以Wi-Fi無線傳輸方式傳送高畫質視訊內容的技術，已經越來越成熟。根據 In-Stat的市場研究報告指出，到2012年，網路設備與消費性電子製造商對Wi-Fi 晶片組的需求，預估將達到9.38億個晶片組，銷售總額可達60億美元

虹晶科技採用MIPS類比/混合信號IP (2008.12.23)
美普思科技公司(MIPS)宣佈，虹晶科技公司取得多種製程的MIPS USB 2.0 OTG (Oo-The-Go) PHY(實體層) IP 核心及控制器授權。虹晶科技是專精於系統單晶片﹝SoC﹞設計服務及嵌入式平台以簡化客戶自行研發時程的台灣IC 設計服務公司

Diodes新款自我保護式MOSFET節省85%電路板空間 (2008.12.23)
Diodes公司擴展其IntelliFET產品系列，推出超小型的完全自我保護式低端MOSFET。該ZXMS6004FF元件採用2.3 x 2.8毫米的扁平式SOT23F封裝，能節省85%的電路板空間。扁平式SOT23F封裝雖然小巧，但熱性能卻相當強勁

IR全新基準MOSFET提升60%封裝電流額定值 (2008.12.22)
國際整流器公司（International Rectifier，簡稱IR）推出具備高封裝電流額定值的全新溝道型HEXFET功率MOSFET系列，適用於工業用電池、電源、高功率DC馬達及電動工具。新元件的封裝電流額定值達到195A，較典型封裝電流額定值高出60%

恆憶推出新系列NAND快閃記憶體 (2008.12.22)
恆憶（Numonyx）針對無線通訊、嵌入式設計和資料儲存應用推出新系列NAND快閃記憶體產品，持續為業界提供完整的 NOR、NAND、RAM和PCM（相變化記憶體）解決方案。新系列產品包括高達32Gb（gigabits）的MLC NAND、32GB（gigabytes）的eMMC和高達8 GB的microSD產品，均採用先進的41奈米製程

Silicon Labs發表高效同步乙太網路時脈晶片 (2008.12.22)
類比與混合訊號廠商Silicon Laboratories發表抖動衰減時脈倍頻晶片Si5315，進一步擴充任何速率精密時脈系列產品。新元件可滿足甚至超出1G和10G同步乙太網路市場對於效能、整合度、頻率和抖動的需求

Vishay宣佈推出採用2020封裝尺寸電感器 (2008.12.22)
Vishay宣佈推出採用2020封裝的新型IHLP薄型，高電流電感器。此款小尺寸IHLP-2020CZ-11元件僅有3.0mm厚度，寬泛的電感範圍與低DCR。該新型IHLP電感器成為終端產品穩壓器模組和直流到直流轉換器應用的小型高性能低功耗解決方案，適用於筆電，個人多媒體設備等行動終端產品