富士通微電子近日發表CMOS邏輯高電壓電晶體的最新開發進展，此款電晶體具備高崩潰電壓的特性，適合支援無線裝置所使用的功率放大器。富士通開發此款45奈米世代CMOS電晶體，能支援10V功率輸出，讓電晶體能因應各種高輸出規格，滿足WiMAX與其他高頻應用中功率放大器的規格需求。此新技術實現了在同一晶粒（die）中藉由CMOS邏輯控制電路，達到單晶片整合的目標，進而開發出高效能、低成本的功率放大器。

WiMAX等高頻率應用中使用的功率放大器，所需的輸出電壓規格已超過標準CMOS邏輯製程中電晶體的崩潰電壓。想要克服這項障礙並維持與CMOS製程技術的相容性，必須提高電晶體的崩潰電壓。富士通藉由採用45奈米製程技術，把新型電晶體技術套用到3.3V I/O標準電晶體，開發出第一個把崩潰電壓從6V提高到10V的電晶體。在電晶體結構方面，為了讓新電晶體適合用在功率放大器，在最高震盪頻率43 GHz下1mm（0.6 W/mm）閘極寬度達到0.6W功率輸出。

富士通表示，該公司新開發的高電壓電晶體，讓業者更容易開發出具備高崩潰電壓、且適用在功率放大器的CMOS邏輯電晶體。富士通將持續發展這項技術，將功率放大器與控制電路整合在單一晶片中，實現低成本、高效能功率放大器模組的目標。