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ROHM新款SiC蕭特基二極體支援xEV系統高電壓需求
以獨家設計封裝提高絕緣電阻成效

【CTIMES/SmartAuto 陳玨報導】   2024年11月14日 星期四

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半導體製造商ROHM開發出引腳間沿面距離更長、絕緣電阻更高的表面安裝型SiC蕭特基二極體(SBD)。目前產品陣容中已經有適用於車載充電器(OBC)等車載應用的「SCS2xxxNHR」8款機型。另計畫於2024 年12月再發售8款適用於FA設備和PV Inverter等工業設備的「SCS2xxxN」。

ROHM新款SiC蕭特基二極體支援xEV系統高電壓需求,透過獨家封裝開發出確保最小5.1mm的沿面距離、並具有絕緣高性能,表面安裝型亦無需樹脂灌膠封裝絕緣處理。
ROHM新款SiC蕭特基二極體支援xEV系統高電壓需求,透過獨家封裝開發出確保最小5.1mm的沿面距離、並具有絕緣高性能,表面安裝型亦無需樹脂灌膠封裝絕緣處理。

近年xEV快速普及,功率半導體的存在不可或缺,市場上對於發熱量少、開關速度快、耐壓能力強的SiC SBD需求日益高漲。其中小型且可使用機器安裝的表面安裝(SMD) 封裝產品,因可提高應用產品生產效率,需求更為旺盛。另一方面由於施加高電壓容易引發漏電,因此需要確保更長沿面距離的元件。ROHM透過獨家設計封裝形狀,開發出確保最小5.1mm的沿面距離、並具有絕緣高性能的SiC SBD產品。

新產品移除以往封裝底部的中心引腳,採用獨家封裝形狀將沿面距離延長至5.1mm,透過更長的沿面距離,可以抑制引腳之間的漏電(沿面放電),因此在高電壓應用中將元件安裝在電路板上時,無需透過樹脂灌膠封裝進行絕緣處理。

目前有650V耐壓和1200V耐壓共兩種產品,不僅適用於xEV的400V系統,還適用於預計未來會擴大導入的高電壓系統。另外新產品的基板Layout與TO-263封裝的市售產品通用,可以直接在現有電路板上進行替換。此外針對車載應用的「SCS2xxxNHR」,更符合汽車電子產品可靠性標準AEC-Q101。新產品已於2024年11月開始出售樣品,透過電商平台銷售。

關鍵字: SiC SBD  ROHM 
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