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imec展示單片式CFET功能元件 成功垂直堆疊金屬接點 (2024.06.21) 於本周舉行的2024年IEEE國際超大型積體電路技術研討會(VLSI Symposium)上,比利時微電子研究中心(imec)首次展示了具備電性功能的CMOS互補式場效電晶體(CFET)元件,該元件包含採用垂直堆疊技術形成的底層與頂層源極/汲極金屬接點(contact) |
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imec展示單片式CFET功能元件 成功垂直堆疊金屬接點 (2024.06.21) 於本周舉行的2024年IEEE國際超大型積體電路技術研討會(VLSI Symposium)上,比利時微電子研究中心(imec)首次展示了具備電性功能的CMOS互補式場效電晶體(CFET)元件,該元件包含採用垂直堆疊技術形成的底層與頂層源極/汲極金屬接點(contact) |
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評比奈米片、叉型片與CFET架構 (2022.04.21) imec將於本文回顧奈米片電晶體的早期發展歷程,並展望其新世代架構,包含叉型片(forksheet)與互補式場效電晶體(CFET)。 |
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邁向1nm世代的前、中、後段製程技術進展 (2020.12.08) 為了實現1nm技術節點與延續摩爾定律,本文介紹前、中、後段製程的新興技術與材料開發,並提供更多在未來發展上的創新可能。 |