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簡介幾個重要的Bus規格標準

總的來說,一系列與時俱進的Bus規格標準,便是不斷提升在電腦主機與周邊設備之間,資料傳輸速度、容量與品質的應用過程。下面我們就簡介幾個重要的匯流排應用規格標準。
行動通訊與高速介面雙主題 安立知年度盛會引領通訊量測技術潮流 (2023.03.23)
Anritsu 安立知年度技術論壇「Anritsu Tech Forum 2023」首度聚焦「行動通訊」與「高速介面」雙主題,結合了豐富精彩的專題演說內容,以及多款最新測試量測儀器與應用的展示,讓現場超過 500 位與會的產業菁英滿載而歸
愛德萬測試:半導體長期趨勢不變 測試維持健康榮景 (2022.12.26)
在2022年,原本市場一片樂觀與看好,不過到了下半年景氣稍有下滑,預期在2023年也會再度出現景氣持續下滑的狀況。儘管短期來看,記憶體與SoC等市場都有下滑的跡象,但長期的成長趨勢則不會有所改變
高通為台灣文化科技5G創新應用開啟全新里程碑 (2022.12.23)
為實現文化科技5G創新應用,在數位發展部數位產業署指導下,資策會結合高通的5G毫米波技術,打造了全台首座「5G行動製播服務系統(簡稱5G行動車)」,近期在兩廳院音樂劇《向左走向右走》展演期間,提供具高互動性的XR沉浸式體驗,充分運用5G毫米波超高速、低延遲、大頻寬的傳輸特性,為表演藝術及相關應用開啟全新視野
愛立信:5G在全球經濟挑戰中持續增長 (2022.12.20)
愛立信最新的《愛立信行動趨勢報告》預測,2022年底全球5G用戶數將達到10億,並將於2028年達到50億。儘管全球經濟前景不明,5G用戶數仍將比4G早2年突破10億大關(自推出年份估算),為迄今成長速度最快的通訊技術
ADI攜手麻州大學 共建全新射頻及微波學習實驗室 (2022.11.11)
麻薩諸塞大學洛厄爾分校(UMass Lowell)、ADI和ADI基金會宣布聯手打造ADI射頻/微波學習實驗室,此先進實驗室並已於近日正式啟用。麻薩諸塞大學洛厄爾分校研究與創新副校長
新思聯合安矽思與是德 針對台積電製程加速5G/6G SoC設計 (2022.11.08)
為滿足 5G/6G系統單晶片(SoC)對效能和功耗的嚴格要求,新思科技、安矽思科技與是德科技宣佈推出用於台積公司 16 奈米FinFET精簡型(16FFC) 技術的全新毫米波(mmWave)射頻 (RF)設計流程
關於台積電的2奈米製程,我們該注意什麼? (2022.07.29)
台積在6月底正式宣布了他們的2nm技術藍圖,有什麼重要性?又會帶出哪些半導體製造技術的風向球?本文就從技術演進,以及市場競爭與成本的角度來切入分析。
應用材料推出EUV延展2D微縮與3D閘極全環電晶體技術 (2022.04.25)
應用材料公司推出多項創新技術,協助客戶運用EUV持續進行2D微縮,並展示業界最完整的次世代3D閘極全環電晶體製造技術組合。 晶片製造商正試圖透過兩個可相互搭配的途徑來增加未來幾年的電晶體密度
英特爾加速製程與封裝創新 驅動領導力產品路線 (2021.07.28)
英特爾首次詳盡揭露其製程與封裝技術的最新路線規劃,並宣布一系列基礎創新,為2025年及其之後的產品注入動力。除了首次發表全新電晶體架構RibbonFET外,尚有稱作PowerVia之業界首款背部供電的方案
加速導入二維材料 突圍先進邏輯元件的開發瓶頸 (2021.05.10)
二維材料是備受全球矚目的新興開發選擇,各界尤其看好這類材料在延續邏輯元件微縮進展方面的潛力。
微縮實力驚人 台積3奈米續沿用FinFET電晶體製程 (2020.06.04)
台積電終於在今年第一季的法人說明會裡,透露了其3奈米將採取的技術架構,而出乎大家意料的,他們將繼續採取目前的「FinFET」電晶體技術。
3奈米製程將是晶圓代工廠的顛峰之戰 (2019.10.01)
有能力將半製程推進到7奈米以下的業者,僅剩三星電子和台積電,誰能在3奈米技術中勝出,誰就有希望取得絕對的市場優勢。
格芯成立獨資ASICs設計子公司 並重整FinFET發展藍圖 (2018.08.28)
格芯(GLOBALFOUNDRIES) 宣布重要的轉型計畫,延續 Tom Caulfield年初就任執行長所訂定的發展方向。格芯依據 Caulfield 訂定的策略方向重整技術組合,以高度成長市場客戶為目標,聚焦在供應真正的差異化方案,將重新調整先進FinFET發展藍圖,並成立獨資子公司設計客製 ASICs
ANSYS解決方案獲台積電先進5奈米製程認證 (2018.05.11)
ANSYS宣布ANSYS RedHawk和ANSYS Totem已獲得台積電(TSMC)最新5奈米FinFET製程認證,台積電的ANSYS認證包括萃取(extraction)、電源完整性和可靠度、以及訊號電子飄移(signal EM)可靠度分析
Mentor強化支援台積電5nm、7nm製程及晶圓堆疊技術的工具組合 (2018.05.02)
Mentor宣佈該公司Calibre nmPlatform 和Analog FastSPICE (AFS) 平台中的多項工具已通過台積電(TSMC)最新版5奈米FinFET和7奈米 FinFET Plus製程的認證,Mentor 亦宣佈,已更新其 Calibre nmPlatform工具,可支援台積電的Wafer-on-Wafer (WoW)晶圓堆疊技術,這些 Mentor工具以及台積電的新製程將能協助雙方共同客戶更快地為高成長市場實現矽晶創新
高通推出 10 奈米製程單晶片視覺智慧平台 增強運算功能 (2018.04.13)
行動處理器大廠高通(Qualcomm)宣布推出高通視覺智慧平台(Qualcomm Vision Intelligence Platform)。在該平台中,搭載了首款採用先進 10 奈米 FinFET 製程技術,專門針對物聯網(IoT)打造的系統單晶片(SoC)系列──QCS605 和 QCS603
聯發科通過7奈米FinFET矽認證 強化ASIC產品布局 (2018.04.10)
IC 設計大廠聯發科宣布,推出業界第一個通過7奈米FinFET矽認證(Silicon-Proven)的 56G PAM4 SerDes 矽智財(IP),進一步擴大其 ASIC 產品陣線。 聯發科表示,56G SerDes 解決方案乃基於數位訊號處理(DSP)技術,採用高速傳輸訊號 PAM4,具備一流的性能、功耗及晶粒尺寸(Die-area)
格羅方德為IBM提供客製化的14奈米FinFET技術 (2017.09.22)
半導體大廠GLOBALFOUNDRIES (格羅方德半導體,GF)表示,其14nm High Performance (HP) 技術現已進入量產,此技術將運用於 IBM 新一代伺服器系統的處理器。在大數據和認知運算時代,這項由雙方共同研發的14HP 製程,將協助IBM為其支援的雲端、商務及企業級解決方案提供高效能及資料處理能力等兩大優勢
新思科技成功完成台積電7奈米FinFET製程IP組合投片 (2017.09.19)
新思科技今日宣布針對台積電7奈米製程技術,已成功完成DesignWare 基礎及介面PHY IP組合的投片。與16FF+製程相比,台積電7奈米製程能讓設計人員降低功耗達60%或提升35%的效能
提升40%的性能 格羅方德將推7奈米FinFET製程技術 (2017.06.15)
為滿足高階移動處理器、雲端伺服器網路基礎設備等應用需求,晶圓代工大廠格羅方德半導體(GLOBALFOUNDRIES)宣布,將推出其具有7奈米領先性能(7nm Leading-Performance,7LP)的FinFET製程技術,且提升了40%的跨越式性能

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