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默克於韓國安城揭幕旋塗式介電材料應用中心 深化下一代晶片技術支持 (2024.10.24)
默克，正式宣布在韓國安城揭幕最先進的旋塗式介電材料（Spin-on-Dielectric, SOD）應用實驗室。為因應半導體產業中人工智慧蓬勃發展的趨勢，該應用中心將加速開發用於先進記憶體和邏輯晶片的SOD材料 |
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延續摩爾定律 默克大力研發創新半導體材料 (2016.09.14)
摩爾定律正面臨技術瓶頸，半導體業者微縮製程日益困難，先進的封裝技術日益重要。看準此一機會，先進半導體材料供應商Merck（默克）近年來積極研發先進製程材料，且大舉併購了AZ Electronic Materials（安智電子材料）、SAFC Hitech（賽孚思科技），以及Ormet Circuits，以提供客戶更完整的解決方案 |
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Voltaix獲得Intel Capital的1250萬美元投資 (2008.07.31)
提高半導體晶片和太陽能電池性能的材料供應商Voltaix宣布，已經從Intel旗下的全球投資部門Intel Capital獲得1250萬美元的投資。這項投資將加速該公司製造能力的擴張。Voltaix製造整合電路晶圓廠的前段半導體製程所用的電子化學品和氣體 |
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百克拉超級人造鑽石可能成真 (2006.07.11)
根據經濟日報消息，中央研究院院士毛河光利用高壓技術讓「沼氣變鑽石」，希望在兩年內研發生產一百克拉的人工鑽石。毛河光表示，我們正處在鑽石科技大革命的尖端，比拳頭還大的鑽石可能成真 |
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應材CVD系統廣受全球12吋晶圓廠採用 (2004.08.04)
國際半導體設備大廠應用材料宣布該公司Applied Producer化學氣相沉積（CVD）系統已出貨超過750套，這些客戶並採用其黑鑽石低介電常數（Black Diamond low dielectric）技術來進行沉積作業 |
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應用材料新式CVD技術 適用65奈米以下製程 (2004.07.29)
半導體設備大廠應用材料宣布推出應用於65奈米及以下製程的化學氣相沉積（CVD）技術Producer HARP（high aspect ratio process；高縱深比填溝製程）系統；該系統技符合淺溝隔離層（Shallow Trench Isolation；STI）和前金屬介質沉積（Pre-Metal Dielectric；PMD）等製程設備所需之大於7:1高縱深比的填溝技術條件 |
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半導體薄膜沉積市場復甦 (2002.07.24)
綜合外電消息，整體薄膜沉積市場正如預期般復甦中，特別是新興市場ALD（Atomic Layer Deposition；原子層沉積）最為顯著。
根據Information Network指出，由於去年半導體產業景氣低迷，連帶使整體薄膜沉積設備市場僅達到34億美元，整整衰退了46.1％，預計今年將有4％的成長率，整體市場可望成展至36億美元 |
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台積電完成0.13微米銅製程產 (2000.07.18)
台積電內部透露，已利用4Mb SRAM為載具，成功完成各項製程設備的0.13微米銅製程試產，包括CVD、FSG與Spin On等3種不同的製程方式，良率都已達高水準。由於各項製程數據正在最後收集階段，待完整的數據彙整後，台積電將於近期正式對外宣佈 |
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淺談Audio壓縮技術發展現況 (2000.04.01)
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