CTIMES - 半導體晶圓製造業

多晶矽產能吃緊影響太陽能產業發展 (2006.02.22)
由於政府力倡太陽能，加上晶片業自網路泡沫破滅後逐日恢復元氣，導致兩方產業必須用到的元件多晶矽（polysilicon）供應十分緊俏。在供應大幅吃緊下，也讓多晶矽價格較兩年前增加逾一倍，恐將影響太陽能產業發展

以創業精神再出發聯電南科大樓破土 (2006.02.17)
台灣兩大晶圓廠雙雄南北較勁，有別於台積電公司研發團隊，一直固守新竹總公司，聯華電子董事長胡國強表示，「將以創業精神再出發」，座落於台南科學工業園區內的聯華電子南科研發大樓，預定2007年三月中旬完工

產能低於需求八吋晶圓缺貨 (2006.02.16)
北美半導體設備暨材料協會（SEMI）旗下研究單位矽材料製造業團體（Silicon Manufacturers Group；SMG）公佈去年全球矽晶圓（silicon wafer）出貨統計資料，總出貨面積較前年增加6％，總營收金額則增加8％，均創下新高紀錄

Maxim新推低電源電流升壓型直流/直流轉換器 (2006.02.16)
Maxim推出的MAX1674是個高效率，體積小(μMax 封裝)的升壓的直流/直流轉換器。內建一顆同步MOSFET取代外接的蕭基二極體使得效率有所提升且低雜訊，更省成本，靜態電流也只有16μA

Maxim推出高效率 36V升壓轉換器 (2006.02.16)
Maxim推出的MAX8595X/MAX8596X高效率36V升壓轉換器，可以定電流驅動到9顆白光LED而且提供高效率給手持裝置，手機，PDA的背光模組。串連連接模式可讓LED的電流相同且得到相同亮度

蔣尚義：65奈米進度手機晶片跑的快 (2006.02.15)
根據工商時報表示，台積電積極部署的65奈米製程，目前以手機晶片進度最快，台積電研發副總蔣尚義表示，目前雖在試產階段，但是已經有樣品送出（deliver）給客戶；台積電內部預估，45奈米製程則可能在2007年底有所進展

跌價聲中大廠持續投資NAND快閃記憶體 (2006.02.15)
儘管全球記憶體大廠一片看好NAND快閃記憶體，但今年以來NAND晶片現貨價卻呈現崩跌走勢，以目前主流的2Gb NAND晶片為例，今年開春均價仍高達15美元，但昨日收盤價已接近10美元，等於在一個月餘期間，價格已重挫近五成幅度

美光標準型DRAM比重將降至四成 (2006.02.14)
美國DRAM大廠美光科技（Micron）舉行法人說明會，總裁暨執行長愛波頓（SteveAppleton）對外宣示，未來美光將以「提升企業價值（Increasing Company Value）」為營運首要目標，藉由與英特爾、蘋果電腦的合作，提高非標準型DRAM的產能比重

國際大廠減少DRAM產能比重 (2006.02.14)
去年第四季應為傳統標準型DRAM旺季，但是不論是DDR或DDR2，價格均面臨嚴重向下修正壓力，然今年開春以來，因晶片組缺貨問題紓解，去年第四季的需求遞延到今年，DDR及DDR2價格均有不錯反彈，毛利率也明顯提高不少

易立達讀書會-第一讀 ﹕《圖解半導體》科技業的黑色鍊金術。 (2006.02.13)
易立達讀書會-第一讀 ﹕《圖解半導體》科技業的黑色鍊金術。

東芝密集合縱連橫，力抗日立與英特爾 (2006.02.08)
東芝密集合縱連橫，力抗日立與英特爾

東芝密集合縱連橫，力抗日立與英特爾 (2006.02.08)
日本東芝（TOSHIBA）近日密集地公布與其他知名半導體廠商、合作設計開發先進半導體製造技術的計畫，有意與日立（Hitachi）、三星（Samsung）及英特爾（Intel）相互抗衡。據報導，2月初東芝、NEC與新力（SONY）共同宣布將整合研發資源，計畫繼Intel之後聯合開發0.045微米晶片製造工藝技術

Linear推出針對手持應用的電源管理解決方案 (2006.02.06)
Linear Technology發表一款針對手持應用之高效率、精簡電源管理解決方案LTC3550-1，具備雙電源輸入的鋰電池充電器以及一組高效率同步降壓穩壓器，並全數內裝於一個低高度16接腳3mm x 5mm DFN封裝中

爾必達提高委外代工量力晶、中芯受惠 (2006.01.25)
日本DRAM廠爾必達看好應用在消費性電子產品、伺服器等的利基型DRAM市場，宣佈「首要DRAM事業」（PremierDRAM Business）策略，本身十二吋廠雖然在一月開出5萬4000片月產能，但會以利基型DRAM為投片主力

晶圓供應太陽能電池年後激增 (2006.01.23)
太陽能電池大戰八吋晶圓廠，兩邊搶晶圓態勢越演越烈，日本供應商信越株式會社代理商崇越科技表示，農曆年後對太陽能電池方面供應比例將快速上升，可能超越該公司對晶圓廠的供應量

富士通將興建65奈米12吋晶圓廠投入邏輯晶片生產 (2006.01.20)
富士通株式會社近日宣佈將興建一座採用65奈米先進製程技術的12吋晶圓廠，並投入高量產型邏輯晶片之生產。全新的晶圓廠將建於日本中部三重縣的富士通三重廠區內，成為富士通在日本三重縣的第二座12吋晶圓廠，簡稱為「12吋晶圓二廠」

Vishay推出一款晶片電阻分壓器CDHV (2006.01.19)
Vishay Intertechnology宣佈推出一款小型表面貼裝晶片電阻分壓器CDHV，該器件在高壓下可實現出色的比例穩定性。這款新型電阻分壓器主要用於高壓電源、電源開關設備及變頻器控制

富士通將在日本興建65奈米12吋晶圓廠 (2006.01.19)
富士通宣佈將興建一座採用65奈米先進製程技術的12吋晶圓廠，並投入高量產型邏輯晶片之生產。全新的晶圓廠將建於日本中部三重縣的富士通三重廠區內，成為富士通在日本三重縣的第二座12吋晶圓廠，簡稱為「12吋晶圓二廠」

旺宏出售12吋廠力晶接手 (2006.01.18)
旺宏電子和力晶半導體，分別召開董事會，會中通過雙方簽訂備忘錄(MOU)，主要內容為旺宏電子將於2006年4月1日將晶圓三廠、潔淨室及其附屬設備，售予力晶半導體；雙方同意在90奈米以下之NVM/ Flash先進製程進行合作，力晶並願意提供12吋晶圓廠之產能以滿足旺宏新世代產品成長之需求

國內DRAM廠籌資將超過300億元 (2006.01.16)
雖然包括迪訊（Dataquest）、iSuppli在內的市場調查機構，均對今年DRAM市場景氣抱持保守態度，但包括力晶、茂德、南亞科技、華亞科技在內的四家國內DRAM廠，今年仍積極擴建十二吋廠，四家業者已經開始新一輪的籌資