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聯電將與新加坡IME合作90奈米以下製程 (2006.10.03)
聯電宣佈，將與新加坡微電子研究所IME合作，研發高頻雜訊射頻模型解決方案，這項合作案將發展出新設計法則，並應用在90奈米以下的先進製程技術。
這項新的共同研發計劃包含二個研究領域，一是奈米製程技術的高頻雜訊產品特性分析與射頻應用產品模型，二是以IME射頻電路與測試為基礎的電路模型驗證與驗證流程研發 |
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中芯12吋晶圓產能 明年超越特許及聯電 (2006.09.29)
上海晶圓代工廠中芯國際無懼晶圓代工市場產能過剩疑慮，在中國大陸興建十二吋廠動作已經加速，除了北京十二吋廠持續擴產外，上海十二吋廠已完成廠房興建，年底就會開始裝機 |
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台積電將與NXP共同出資認股SSMC (2006.09.28)
NXP半導體宣佈，在完成由皇家飛利浦獨立程序後的三個月內，將購買新加坡晶圓代工廠SSMC（System on Silicon Manufacturing）目前由新加坡經濟發展投資私人有限公司所持有的17.5％股權，總交易金額為1億8500萬美元 |
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Qualcomm與中芯國際簽署BiCMOS製程協議 (2006.09.27)
全球最大無晶圓廠設計業者高通（Qualcomm）宣佈與中芯國際（SMIC）簽署協議，未來中芯天津廠將以BiCMOS製程為高通代工，預估1年內生產5萬顆晶片，未來3～5年訂單總額逾1.2億美元 |
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明年Q2台積電將推出55奈米製程 (2006.09.26)
晶圓代工市場65奈米製程競爭激烈，為了拉開與競爭對手間的差距，台積電已開始加速進行先進製程研發。根據台積電的邏輯製程技術藍圖，明年第二季後將會推出65奈米的半製程55奈米製程，可應用在繪圖晶片或晶片組等一般性邏輯元件上，至於已開始與客戶合作的四五奈米低功率（Low Power）製程，將於明年第三季末開始進行風險生產 |
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經部「業界科專」績優廠商公布多項研發成果 (2006.09.25)
經濟部技術處在台北舉行「業界科專」成果發表會，依計畫績效重點設置12項表揚獎項如：研發聯盟、產業升級、產業貢獻、研發成果、產學合作、資訊應用、傑出創意等，鼓勵各級產業相關廠商投入專利研發設計工作 |
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跨領域設計概念整合 新離子植入技術誕生 (2006.09.25)
Epion Corporation為氣體團簇離子束（Gas Cluster lon Beam；GCIB）設備開發商，日前與代理商帆宣系統科技合作，推廣透過GCIB新的製程技術而開發出來的離子植入儀器－nFusion，功能在於使矽晶圓的摻雜過程（Doping）中 |
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至2008年 中國半導體支出將達98億美元 (2006.09.18)
國際半導體設備暨材料組織（SEMI）指出，包括建廠、研發、設備等費用在內，中國半導體資本支出（今年至2008年）估計將超過98億美元，高過2001年到2005年87億美元的水準，不過若單就設備投資一項來看，中國半導體設備支出估計約66億美元，較稍早公布的74億美元略低，可能原因包括中國晶圓廠擴產不如預期 |
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Xilinx推出新版PlanAhead 8.2設計套件 (2006.09.17)
Xilinx(美商賽靈思)宣布推出全新PlanAhead 8.2版的層級化設計與分析軟體，可支援其最新Virtex-5 LX的65奈米FPGA系列產品。搭配使用Xilinx ISE設計工具，PlanAhead 8.2軟體可提供比同級競爭產品多出兩個速度等級的效能與成本優勢 |
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茂德十月將試產Flash (2006.09.15)
茂德在DRAM與Flash市場將持續傳出好消息，茂德副總曾邦助表示，中科一廠將在十月進行70奈米的試投產，最快明年初70奈米投片量可達上萬，至於Nand Flash，茂德入股韓系設計業者Terrasemicon後，在雙方技術合作下，茂德可望在十月中揭露自行研發1G SLC NANDFlash的試產好成績 |
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中芯反控告台積電違反協定 並要求賠償 (2006.09.14)
中芯國際發佈聲明，除了否認台積電日前在美所提出的指控外，也已向美國法院提出反訴，指控台積電不但違反和解協定，也違反雙方應遵守的誠信義務及公平處理協定，所以連帶要求台積電賠償 |
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Nvidia計劃將移轉一成訂單至特許 (2006.09.13)
新加坡特許半導體繼取得博通（Broadcom）、邁威（Marvell）等通訊客戶訂單後，近期業界傳出，台積電繪圖晶片大客戶恩維迪亞（Nvidia），把0.11微米低階繪圖晶片部分訂單，轉移至特許生產，並計畫明年將10％的繪圖晶片訂單移至特許，另外，超微（AMD）在合併ATI後，ATI部份晶片組產品有機會於明年下半年交由特許代工 |
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高通2007年底前將與台積電合作45奈米製程 (2006.09.11)
手機晶片大廠高通（Qualcomm）表示，已經開始著手45奈米先進製程研發，雖然仍有許多材料上或製程上的問題有待解決，不過整個進展速度仍十分順利，預計2007年下旬就可開始與台積電等晶圓代工夥伴進入試產階段，與台積電在2007年下半年將進入45奈米製程的預估十分符合 |
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以Smart Cut技術站穩全球薄型SOI市場 (2006.09.06)
絕緣層上覆矽（Silicon on Insulator；SOI）是一種基板技術。傳統的矽晶圓正逐漸被含有三層結構的工程基板所取代，採用以SOI為基板的設計，晶片製造商可在半導體製程中，繼續使用傳統的製程與設備 |
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12吋晶圓廠成為DRAM市場競爭關鍵 (2006.09.05)
個人電腦發展至今，一直在追求最快的運算速度，所以相關核心晶片如CPU、晶片組、繪圖晶片、DRAM等，就跟著摩爾定律（Moore’sLaw）走，單一晶片內電晶體數量每18個月增加一倍，所以對個人電腦晶片供應商來說，追求愈快的運算時脈，就是刺激消費者換機的唯一方法 |
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良率不佳及產能延遲 DRAM供給Q4吃緊 (2006.08.30)
第四季DRAM需求大好，但供給面恐不如預期，繼先前華亞爆出90奈米良率不佳的問題後，近期也傳三星80奈米良率不穩，及三星新十二吋DRAM廠Fab15產能要等到明年以後才開出，此舉恐導致第四季DRAM供給告急壓力將再度升高 |
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12吋廠效益高 茂德Q3毛利率近35％ (2006.08.28)
茂德十二吋廠效益發酵積極推展，繼7月營收大幅成長15％後，8月營收成長力道仍可望逾10％，續創新高。由於第三季DRAM現貨價、合約價持續走揚，茂德目前毛利率突破30％，逼近35％水準，在第三季位元成長率超越20％的前提下，獲利空間不錯 |
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以Smart Cut技術站穩全球薄型SOI市場 (2006.08.25)
絕緣層上覆矽（Silicon on Insulator；SOI）是一種基板技術。傳統的矽晶圓正逐漸被含有三層結構的工程基板所取代，採用以SOI為基板的設計，晶片製造商可在半導體製程中，繼續使用傳統的製程與設備 |
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複製中芯模式 未來恐導致DRAM崩盤 (2006.08.21)
全球最大的晶片市場中國，挾其龐大內需市場帶領中國IC設計業者快速成長，但是整體IC設計廠商對晶圓廠產能的需求量仍不高，所以就算是中芯在中國當地IC設計客戶佔其營收比重還不到兩成，主要的客戶如TI、奇夢達（Qimonda）、爾必達（Elpida）、博通（Broadcom）等，都是國外晶片廠 |
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類比晶片填補八吋晶圓代工產能 (2006.08.18)
由於個人電腦、網路通訊等核心邏輯元件的庫存調整問題，上游客戶第三季對晶圓代工廠的下單量減少，造成台積電、聯電等代工大廠八吋廠產能利用率下滑，不過包括穩壓、電源管理等類比IC |
