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联电将与新加坡IME合作90奈米以下制程 (2006.10.03)
联电宣布，将与新加坡微电子研究所IME合作，研发高频噪声射频模型解决方案，这项合作案将发展出新设计法则，并应用在90奈米以下的先进制程技术。
这项新的共同研发计划包含二个研究领域，一是奈米制程技术的高频噪声产品特性分析与射频应用产品模型，二是以IME射频电路与测试为基础的电路模型验证与验证流程研发 |
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中芯12吋晶圆产能 明年超越特许及联电 (2006.09.29)
上海晶圆代工厂中芯国际无惧晶圆代工市场产能过剩疑虑，在中国大陆兴建十二吋厂动作已经加速，除了北京十二吋厂持续扩产外，上海十二吋厂已完成厂房兴建，年底就会开始装机 |
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台积电将与NXP共同出资认股SSMC (2006.09.28)
NXP半导体宣布，在完成由皇家飞利浦独立程序后的三个月内，将购买新加坡晶圆代工厂SSMC（System on Silicon Manufacturing）目前由新加坡经济发展投资私人有限公司所持有的17.5％股权，总交易金额为1亿8500万美元 |
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Qualcomm与中芯国际签署BiCMOS制程协议 (2006.09.27)
全球最大无晶圆厂设计业者高通（Qualcomm）宣布与中芯国际（SMIC）签署协议，未来中芯天津厂将以BiCMOS制程为高通代工，预估1年内生产5万颗芯片，未来3～5年订单总额逾1.2亿美元 |
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明年Q2台积电将推出55奈米制程 (2006.09.26)
晶圆代工市场65奈米制程竞争激烈，为了拉开与竞争对手间的差距，台积电已开始加速进行先进制程研发。根据台积电的逻辑制程技术蓝图，明年第二季后将会推出65奈米的半制程55奈米制程，可应用在绘图芯片或芯片组等一般性逻辑组件上，至于已开始与客户合作的四五奈米低功率（Low Power）制程，将于明年第三季末开始进行风险生产 |
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经部「业界科专」绩优厂商公布多项研发成果 (2006.09.25)
经济部技术处在台北举行「业界科专」成果发表会，依计划绩效重点设置12项表扬奖项如：研发联盟、产业升级、产业贡献、研发成果、产学合作、信息应用、杰出创意等，鼓励各级产业相关厂商投入专利研发设计工作 |
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跨领域设计概念整合 新离子植入技术诞生 (2006.09.25)
Epion Corporation为气体团簇离子束（Gas Cluster lon Beam；GCIB）设备开发商，日前与代理商帆宣系统科技合作，推广透过GCIB新的制程技术而开发出来的离子植入仪器－nFusion，功能在于使硅晶圆的掺杂过程（Doping）中 |
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至2008年 中国半导体支出将达98亿美元 (2006.09.18)
国际半导体设备暨材料组织（SEMI）指出，包括建厂、研发、设备等费用在内，中国半导体资本支出（今年至2008年）估计将超过98亿美元，高过2001年到2005年87亿美元的水平，不过若单就设备投资一项来看，中国半导体设备支出估计约66亿美元，较稍早公布的74亿美元略低，可能原因包括中国晶圆厂扩产不如预期 |
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Xilinx推出新版PlanAhead 8.2设计套件 (2006.09.17)
Xilinx(美商赛灵思)宣布推出全新PlanAhead 8.2版的层级化设计与分析软件，可支持其最新Virtex-5 LX的65奈米FPGA系列产品。搭配使用Xilinx ISE设计工具，PlanAhead 8.2软件可提供比同级竞争产品多出两个速度等级的效能与成本优势 |
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茂德十月将试产Flash (2006.09.15)
茂德在DRAM与Flash市场将持续传出好消息，茂德副总曾邦助表示，中科一厂将在十月进行70奈米的试投产，最快明年初70奈米投片量可达上万，至于Nand Flash，茂德入股韩系设计业者Terrasemicon后，在双方技术合作下，茂德可望在十月中揭露自行研发1G SLC NANDFlash的试产好成绩 |
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中芯反控告台积电违反协议 并要求赔偿 (2006.09.14)
中芯国际发布声明，除了否认台积电日前在美所提出的指控外，也已向美国法院提出反诉，指控台积电不但违反和解协议，也违反双方应遵守的诚信义务及公平处理协议，所以连带要求台积电赔偿 |
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Nvidia计划将移转一成订单至特许 (2006.09.13)
新加坡特许半导体继取得博通（Broadcom）、迈威（Marvell）等通讯客户订单后，近期业界传出，台积电绘图芯片大客户恩维迪亚（Nvidia），把0.11微米低阶绘图芯片部分订单，转移至特许生产，并计划明年将10％的绘图芯片订单移至特许，另外，超威（AMD）在合并ATI后，ATI部份芯片组产品有机会于明年下半年交由特许代工 |
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高通2007年底前将与台积电合作45奈米制程 (2006.09.11)
手机芯片大厂高通（Qualcomm）表示，已经开始着手45奈米先进制程研发，虽然仍有许多材料上或制程上的问题有待解决，不过整个进展速度仍十分顺利，预计2007年下旬就可开始与台积电等晶圆代工伙伴进入试产阶段，与台积电在2007年下半年将进入45奈米制程的预估十分符合 |
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以Smart Cut技术站稳全球薄型SOI市场 (2006.09.06)
绝缘层上覆硅（Silicon on Insulator；SOI）是一种基板技术。传统的硅晶圆正逐渐被含有三层结构的工程基板所取代，采用以SOI为基板的设计，芯片制造商可在半导体制程中，继续使用传统的制程与设备 |
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12吋晶圆厂成为DRAM市场竞争关键 (2006.09.05)
个人计算机发展至今，一直在追求最快的指令周期，所以相关核心芯片如CPU、芯片组、绘图芯片、DRAM等，就跟着摩尔定律（Moore’sLaw）走，单一芯片内晶体管数量每18个月增加一倍，所以对个人计算机芯片供货商来说，追求愈快的运算频率，就是刺激消费者换机的唯一方法 |
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良率不佳及产能延迟 DRAM供给Q4吃紧 (2006.08.30)
第四季DRAM需求大好，但供给面恐不如预期，继先前华亚爆出90奈米良率不佳的问题后，近期也传三星80奈米良率不稳，及三星新十二吋DRAM厂Fab15产能要等到明年以后才开出，此举恐导致第四季DRAM供给告急压力将再度升高 |
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12吋厂效益高 茂德Q3毛利率近35％ (2006.08.28)
茂德十二吋厂效益发酵积极推展，继7月营收大幅成长15％后，8月营收成长力道仍可望逾10％，续创新高。由于第三季DRAM现货价、合约价持续走扬，茂德目前毛利率突破30％，逼近35％水平，在第三季位成长率超越20％的前提下，获利空间不错 |
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以Smart Cut技术站稳全球薄型SOI市场 (2006.08.25)
绝缘层上覆硅（Silicon on Insulator；SOI）是一种基板技术。传统的硅晶圆正逐渐被含有三层结构的工程基板所取代，采用以SOI为基板的设计，芯片制造商可在半导体制程中，继续使用传统的制程与设备 |
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复制中芯模式 未来恐导致DRAM崩盘 (2006.08.21)
全球最大的芯片市场中国，挟其庞大内需市场带领中国IC设计业者快速成长，但是整体IC设计厂商对晶圆厂产能的需求量仍不高，所以就算是中芯在中国当地IC设计客户占其营收比重还不到两成，主要的客户如TI、奇梦达（Qimonda）、尔必达（Elpida）、博通（Broadcom）等，都是国外芯片厂 |
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模拟芯片填补八吋晶圆代工产能 (2006.08.18)
由于个人计算机、网络通讯等核心逻辑组件的库存调整问题，上游客户第三季对晶圆代工厂的下单量减少，造成台积电、联电等代工大厂八吋厂产能利用率下滑，不过包括稳压、电源管理等模拟IC |
