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威世科技推出新款8 mm x 8 mm x 1.8 mm PowerPAK 8x8L封裝 (2015.08.04)
威世科技（VISHAY）推出新款 8 mm x 8 mm x 1.8 mm PowerPAK 8x8L 封裝，旨在針對汽車應用常用的 D2PAK 及 DPAK 器件提供節省空間又節能的高電流替代方案。威世 Siliconix SQJQ402E 40 V TrenchFET功率 MOSFET 是業界首款通過 AEC-Q101 認證且尺寸為 8 mm x 8 mm 的 MOSFET，也是首款採用海鷗腳引線，來消除機械應力的 8 mm x 8 mm 封裝 |
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威世科技VRPower整合DrMOS提供多相於高功率密度調節器POL (2014.12.25)
威世科技（Vishay）推出新型VRPower整合型DrMOS功率級解決方案，提供三種PowerPAK封裝尺寸，以應對高功率高效率多相POL應用領域。威世Siliconix SiC789與SiC788採用MLP66-40L封裝，為Intel 4.0 DrMOS 標準（6 mm x 6 mm）腳位，而SiC620及SiC620R則採用全新的5 mm x 5 mm MLP55-31L封裝，SiC521則是4.5 mm x 3.5 mm的MLP4535-22L封裝 |
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Mouser 供應 Vishay Siliconix TrenchFET 功率 MOSFET (2012.11.23)
Mouser 日前開始供應 Vishay Siliconix的晶片級封裝，並將導通電阻降至 1.2V 的 MOSFET。 Vishay Siliconix 的 Si8802 TrenchFet 功率 MOSFET 是採用最小的 0.8mm x 0.8mm 晶片級封裝，亦即 Vishay 的 MICRO FOOT，將導通電阻降至 1.2V 的 N 通道元件 |
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Vishay推出新款p通道功率MOSFET系列 (2008.08.21)
Vishay推出採用PowerPAK SC-75封裝的p通道功率MOSFET系列，該系列包括額定電壓介於8V～30V的多個器件，這些是採用此封裝類型的首批具有上述額定電壓的器件。
日前推出的這些器件包括首款採用PowerPAK SC-75封裝的-12V(SiB419DK)及-30V(SiB415DK)單p通道功率MOSFET |
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Vishay推出新型Siliconix功率MOSFET (2008.06.05)
Vishay Intertechnology, Inc.宣佈推出15款採用2 mm×2 mm的PowerPAK SC-70封裝、濃度為0.8 mm的新型功率MOSFET。
新產品包括用於不同應用的各種配置及額定電壓，除了n通道及p通道的互補對外，還包括n通道及p通道的單路、單路帶肖特基二極體的及雙路的器件 |
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Vishay推出20V p通道TrenchFET功率MOSFET (2008.04.10)
日前，為滿足對可攜式設備中更小元件的需求，Vishay推出20V p通道TrenchFET功率MOSFET，該元件採用MICRO FOOT晶片級封裝，具有此類元件中最薄厚度及最低導通電阻。
Vishay Siliconix Si8441DB具有0.59mm的超薄厚度，以及1.5mm×1mm的占位面積 |
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Vishay新型控制器IC 針對中間匯流排轉換器應用 (2008.03.02)
Vishay推出針對中間匯流排轉換器（IBC）應用的兩款新型控制器IC，這兩款器件是率先將高壓（75V）半橋 MOSFET驅動器與1.6A峰值電流驅動功能以及各種電流監控功能整合在一起的單晶片器件 |
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Vishay推出新系列汽車用TrenchFET功率MOSFET (2007.11.15)
Vishay推出已通過AEC-Q101認證的新系列汽車用TrenchFET功率MOSFET，該系列包含兩款採用PowerPAK 1212-8封裝且額定結溫為175°C的60V元件。日前推出的元件為在10V柵極驅動時導通電阻為25毫歐的Vishay Siliconix n通道SQ7414EN以及額定導通電阻為65毫歐的p通道SQ7415EN |
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VSH推出三款面向OR-ing應用的功率MOSFET (2007.11.08)
Vishay Intertechnology, Inc.(VSH)推出三款面向OR-ing應用的功率MOSFET，這些器件具有三種封裝選擇，可提供最佳的導通電阻性能，憑借這三款器件，公司將有助於提升固定電信網路的效率 |
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Vishay推出新系列P通道MOSFET (2007.10.11)
Vishay推出新系列P通道MOSFET，這些元件建立了每單位面積最低導通電阻的新記錄。基於新一代TrenchFET晶片技術的新型Vishay Siliconix元件採用PowerPAK SC-70封裝（2.05 mm×2.05 mm）時最大導通電阻額定值為29毫歐，採用標準SC-70封裝（2.0 mm ×2.1 mm）時為80毫歐，採用SC-89封裝（1.6 mm×1.6 mm）時為130毫歐 |
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Vishay的MOSFET幫助設計人員簡化電源管理電路 (2007.08.16)
Vishay宣佈推出業界首批在1.2V柵源電壓時具有額定導通電阻值的功率MOSFET，這一進步將幫助設計人員簡化電源管理電路，同時延長可擕式電子系統中的電池運行時間。
額定電壓為1.2V的這些新型Vishay Siliconix TrenchFET器件使MOSFET導通電壓與移動電子設備中使用的數位IC的1.2V～1.3V工作電壓保持一致，從而可實現更安全、更可靠的設計 |
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Vishay增添四款新型 Siliconix PolarPAK元件 (2007.01.23)
Vishay在具有雙面冷卻功能的PolarPAK功率MOSFET系列中增添了新型n通道20V、30V及40V元件，從而為設計人員提供了通過更出色的MOSFET散熱性能減小系統尺寸及成本的新方式。
這四款新型Vishay Siliconix PolarPAK元件面向電信及資料通信系統中的同步整流、負載點轉換器及OR-ing應用 |
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Vishay提供免費線上MOSFET熱模擬工具 (2006.12.12)
Vishay Intertechnology, Inc.在其網站上推出一款網上工具，可供設計人員詳細模擬在各種應用中Vishay Siliconix MOSFET在運行時的熱效應情況及其受鄰近元件的影響如何。Vishay新推出的ThermaSim（可從http://www.vishay.com/thermal-modelling下載）是一款免費的工具，通過在原型設計前進行詳細的熱模擬，有助於設計人員縮短產品上市時間 |
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Analogic與Siliconix專利侵權訴訟達成和解 (2006.10.23)
專為行動消費性電子元件提供電源管理半導體之開發廠商Analogic，日前與Vishay子公司Siliconix針對專利侵害訴訟達成和解協議，該訴訟係Siliconix於2004年1月向美國加州北區聯邦地方法院提出關於侵犯trench DMOS技術之三項美國專利 |
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Vishay新型雙光電MOSFET驅動器問世 (2006.02.27)
Vishay Intertechnology,Inc.宣佈推出一款新型固體繼電器——雙光電MOSFET驅動，該器件實現了斷路電壓與短路電流組合。與等同的電機械繼電器設計相比，當與Vishay Siliconix MOSFET相結合時，這款新型VO1263AB可實現更長的產品使用壽命、更高的可靠性及更快速的切換 |
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Vishay新型類比開關實現直接電池運行 (2005.05.26)
Vishay推出一系列可在可擕式應用中實現直接電池運行的新型類比開關。這些新型開關在1.6V～4.3V的整個電壓範圍內具有低導通電阻和低電平邏輯控制，它們主要面向終端產品，包括手機、機頂盒、PDA及媒體播放器 |
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Siliconix incorporated首款n通道MOSFET問世 (2005.04.21)
日前，擁有80.4%股份的Vishay Intertechnology,Inc.子公司Siliconix incorporated宣佈推出將3.4V高閾值電壓與2.7毫歐低導通電阻相結合的首款n通道MOSFET。具有40V和60V版本的這10款新型MOSFET主要用於汽車、工業及固定電信行業中具有電感負載的高溫、高電流應用，例如高端開關、電機驅動及12V板網 |
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ST與Siliconix就雙面冷卻型MOSFET封裝技術達成授權 (2005.03.14)
ST與Siliconix宣佈達成一項合作協議，ST將由Siliconix獲得最新功率MOSFET封裝技術的授權，這項技術使用強制性空氣冷卻方法，透過元件頂端與底部的散熱路徑供了更優良的熱效能 |
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法商艾希隆選擇台灣 力圖攻下亞太版塊 (2005.03.01)
法商Epsilon Ingénierie(法商艾希隆公司)乃是電子元件散熱設計廠商，無論是在系統穩定性、板載系統以及元件領域已擁有12年充分經驗。艾希隆業務涵蓋高科技產業製造鏈中種種環節，不但可確保電子元件和組件的可靠性、更能提高原有的性能 |
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VISHAY SILICONIX推出新型高速半橋式N通道MOSFET驅動器IC (2005.02.01)
擁有80.4%股份的Vishay Intertechnology,Inc.子公司Siliconix incorporated宣佈推出四款新型高速半橋式N通道MOSFET驅動器IC，這些器件主要用於高頻率、高電流、單相及多相直流到直流開關電源，它還包括一個具有面向無刷電機控制應用所需制動功能的驅動器 |
