Vishay Intertechnology, Inc.宣佈推出15款採用2 mm×2 mm的PowerPAK SC-70封裝、濃度為0.8 mm的新型功率MOSFET。

Vishay新型Siliconix功率MOSFET為內業首款採用此封裝類型的12V器件，及就額定電壓及封裝尺寸而言，是具有業內最低導通電阻的MOSFET。（ 來源：廠商）

新產品包括用於不同應用的各種配置及額定電壓，除了n通道及p通道的互補對外，還包括n通道及p通道的單路、單路帶肖特基二極體的及雙路的器件。器件的電壓介於8 V至30 V之間，在4.5 V時導通電阻值低至0.011 Ω。

PowerPAK SC-70將SC-70封裝的超小尺寸與較大TSOP-6所對應的導通電阻相結合，可實現極低的功耗。而封裝尺寸是TSOP-6的一半且濃度比TSOP-6薄27%。除有助節能外，PowerPAK SC-70還是100%無鉛、無鹵素且符合RoHS規範的封裝，可滿足國際法規關於消除有害物質的要求。

Vishay Siliconix PowerPAK SC-70 MOSFET的典型應用將包括為手機、PDA、數位相機、MP3播放器、筆記本電腦、便攜式HDD及微型電機驅動等便攜設備負載開關及電池充電。

目前推出的器件包括SiA413DJ，它是業內首款採用此封裝尺寸的12V單路p通道器件。SiA913DJ及SiA912DJ分別是首款12V雙路p及n通道MOSFET，而SiA511DJ是首款12V n通道及p通道互補對。

採用SC-70封裝尺寸的多款器件在導通電阻方面刷新紀錄。新型SiA421DJ在4.5 V時額定電阻為0.056 Ω，在30V單路p通道類別中的導通電阻最低。SiA914DJ的導通電阻為0.053 Ω，是業內導通電阻最低的20 V雙路p通道MOSFET。新產品中的兩款為單板、低壓降（VF）肖特基二極體。SiA810DJ的額定電阻為0.053 Ω，是導通電阻最低的20 V單路n通道帶肖特基二極體的器件，而SiA811DJ的額定電阻為0.094Ω，是導通電阻最低的20 V單路p通道帶肖特基二極體的器件。

SiA413DJ和SIA411DJ MOSFET的額定導通電阻低至1.5V VGS，可實現較低功耗，降低了對電平相移電路的需要，從而節省了電路板空間。之前推出的採用PowerPAK SC-70封裝的器件包括SiA414DJ、SiA417DJ和SiA419DJ，額定導通電阻低至1.2V VGS。另外額定電阻為0.011 Ω的SiA414DJ和額定電阻為0.023 Ω的SiA417DJ是採用此封裝類型的首款器件，其額定擊穿電壓為8V。