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安森美推出TOLL封裝SiC MOSFET 小尺寸封裝高性能低損耗 (2022.05.11)
安森美（onsemi）， 在PCIM Europe展會發佈全球首款To-Leadless（TOLL）封裝的碳化矽（SiC）MOSFET。該電晶體滿足了對適合高功率密度設計的高性能開關元件迅速增長的需求。直到最近，SiC元件一直採用明顯需要更大空間的D2PAK 7接腳封裝 |
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安森美將於2022 PCIM Europe展示高能效電源方案 (2022.04.28)
安森美（onsemi），將在2022年5月10日至12日於德國紐倫堡舉行的PCIM Europe推出一系列全新的電源方案。
安森美於PCIM Europe的展示攤位將有不同最新技術的現場展示，展示這些技術如何賦能開發領先市場的電動車、能量儲存、智能電源等解決方案 |
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英飛凌CoolMOS C7 650 V Gold 採用TO-Leadless封裝 (2016.05.20)
【德國慕尼黑訊】英飛凌科技（Infineon）CoolMOS系列推出新產品：採用 TO-Leadless 封裝的 CoolMOS C7 Gold 650 V。本產品結合改良的超接面 (SJ) 半導體製程與先進 SMD 封裝設計，為硬式切換應用帶來優異效能 |
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IR新款FastIRFET雙功率MOSFET採用4×5 PQFN功率模塊封裝 (2014.12.17)
國際整流器公司（International Rectifier；IR）推出採用高效能4×5 PQFN功率模塊封裝的IRFH4257D FastIRFET 雙功率MOSFET。此項新的封裝選擇使IR的功率模塊產品系列效能得以延伸至更低功率的設計 |
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IR推出電池保護應用MOSFET系列 (2014.12.02)
國際整流器公司 (International Rectifier；IR) 針對鋰離子電池保護應用推出一系列IR最新低電壓MOSFET矽技術元件，包括IRL6297SD雙通道DirectFET MOSFET。
全新功率MOSFET備有極低的導通電阻，藉以大幅減少導通損耗，提供20V和30V N通道及P通道組態元件 |
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IR堅固耐用600V IR25750 SOT-23電流感測IC (2014.03.31)
國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出堅固耐用的IR25750通用電流感測IC，並以極纖巧的SOT23-5L封裝，為高電流應用提升整體系統效率及大幅節省空間。
要量測流過功率MOSFET或IGBT的高電流 (10到100A)，往往需要大的電阻器，因而產生過量的功率損耗 (10到30W) |
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IR堅固耐用100V FastIRFET PQFN 5×6功率MOSFET 為電訊電源應用提供基準效能 (2014.03.17)
國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出IRFH7185TRPbF 100V FastIRFET功率MOSFET，為電訊應用內的DC-DC電源提供基準效能。
IRFH7185TRPbF利用IR全新100V FastIRFET製程，提供基準的導通電阻閘極電荷品質因數 (Rds(on)*Qg figure of merit)，以實現更高效率和功率密度，並且提高系統可靠性 |
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IR 全新300V功率MOSFET配備基準導通電阻 (2013.01.23)
國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出配備了IR最新功率MOSFET的300V元件陣營，藉以為各種高效率工業應用提供基準導通電阻 (RDS(on))，包括110-120交流電壓線性調節器和110-120交流電壓電源，以及太陽能逆變器與不斷電供應系統 (UPS) 等直流-交流逆變器 |
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Infineon汽車電源管理40V P通道 可提升能源效率 (2011.09.07)
英飛凌（Infineon）昨（6）日宣佈，推出採用溝槽技術製程的最新單一P通道40V汽車電源MOSFET系列產品。英飛凌表示，新型40V OptiMOS P2產品為提升能源效率、減少CO2排放及節省成本設立新的基準 |
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IR新款25 V及30 V高性能PQFN功率MOSFET系列 (2010.12.08)
國際整流器公司（IR）近日宣布，推出一系列25 V及30 V元件，採用了IR最新的HEXFET MOSFET矽元件和新款高性能PQFN 3 x 3封裝，為電訊系統、網路通訊和高端桌上及筆記本電腦應用的DC-DC轉換器，帶來高密度、可靠，且高效率的解決方案 |
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IR推出新型-30V電壓P-通道功MOSFET (2010.09.21)
國際整流器公司（International Rectifier）近日宣布，推出新-30 V元件系列，採用IR最新的SO-8封裝P–通道 MOSFET矽元件，適用於電池充電和放電開關，以及直流應用的系統/負載開關 |
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IR推出擴展中壓功率MOSFET產品系列 (2010.07.06)
IR於日前宣布，推出擴展HEXFETR功率的MOSFET產品系列，提供完整的中壓元件陣營。它們採用5x6 mm PQFN封裝，並具有經過最佳化的銅夾和焊接晶片技術。
MOSFET採用了IR最新的矽技術，能夠提供開關應用所需要的標準效能，適用於網路和電信設備的DC-DC轉換器、AC-DC開關電源（SMPS）及馬達驅動開關 |
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IR推出基準工業級30V MOSFET (2009.08.27)
國際整流器公司（International Rectifier，簡稱IR） 推出一系列工業認可的30V TO-220 HEXFET功率MOSFET ，為不斷電系統（UPS）反相器、低電壓電動工具、ORing應用，以及網路通訊和伺服器電源等應用，提供非常低的閘電荷（Qg） |
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IR 150V和200V MOSFET可提供非常低閘電荷 (2009.08.19)
國際整流器公司（International Rectifier，簡稱IR） 推出一系列150V和200V HEXFET功率MOSFET，為包括開關模式電源（SMPS）、不斷電系統（UPS）、反相器以及DC馬達驅動器等工業應用，提供非常低的閘電荷（Qg） |
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IR推出新型邏輯電平溝道MOSFET (2009.05.06)
國際整流器公司（International Rectifier，簡稱IR）推出一系列新型邏輯電平閘極驅動溝道HEXFET功率MOSFET，它們具有基準通態電阻（RDS（on））及高封裝電流額定值，適用於高功率DC馬達和電動工具、工業用電池及電源應用 |
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IR全新基準MOSFET提升60%封裝電流額定值 (2008.12.22)
國際整流器公司（International Rectifier，簡稱IR）推出具備高封裝電流額定值的全新溝道型HEXFET功率MOSFET系列，適用於工業用電池、電源、高功率DC馬達及電動工具。
新元件的封裝電流額定值達到195A，較典型封裝電流額定值高出60% |
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英飛凌全新節能MOSFET系列產品提供行動應用 (2007.10.27)
英飛凌科技近日發表應用於行動電子設備直流/直流轉換器的全新功率半導體產品。新款OptiMOS 3 M 30V N通道 MOSFET系列產品鎖定只使用5伏特驅動的應用，除了適用於一般行動和手持式裝置，還可應用在顯示卡、工業控制、內嵌轉換器、切換式電源供應器和筆記型電腦主機板上的許多插槽 |
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Vishay推出獲AEC Q101標準認證穿透式光感測器 (2007.05.31)
Vishay Intertechnology, Inc.推出業界首款獲得AEC Q101標準認證的穿透式（斷續）光感測器，從而擴展了其光電子產品系列。AEC Q101標準是針對汽車電子協會發佈的分立半導體的可靠性測試認證程式 |
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IR新MOSFET元件 為同步整流和動態ORing應用增添效益 (2005.08.31)
功率半導體及管理方案領導廠商–國際整流器公司(International Rectifier，簡稱IR)推出嶄新的160A額定、7腳型IRF2907ZS-7PPbF MOSFET，使其高效能75V和100V HEXFET同步整流MOSFET元件系列更加充實 |
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Microchip轉用符合RoHS標準無鉛封裝 (2005.01.19)
Microchip十九日宣佈，自二零零五年一月起所有產品將採用環保無鉛電鍍封裝，以符合即將於全球實施的政府法規和業界標準。Microchip將採用霧錫（matte tin）作為新的電鍍材料，確保所有無鉛產品都能向後相容於業界標準的錫/鉛焊接製程，並向前相容於採用無鉛錫/銀/銅膏的高溫無鉛製程 |
