 |
安森美推出TOLL封装SiC MOSFET小尺寸封装高性能低损耗 (2022.05.11)
安森美（onsemi）， 在PCIM Europe展会发布全球首款To-Leadless（TOLL）封装的碳化矽（SiC）MOSFET。该电晶体满足了对适合高功率密度设计的高性能开关元件迅速增长的需求。直到最近，SiC元件一直采用明显需要更大空间的D2PAK 7接脚封装 |
|
安森美将於2022 PCIM Europe展示高能效电源方案 (2022.04.28)
安森美（onsemi），将在2022年5月10日至12日於德国纽伦堡举行的PCIM Europe推出一系列全新的电源方案。
安森美於PCIM Europe的展示摊位将有不同最新技术的现场展示，展示这些技术如何赋能开发领先市场的电动车、能量储存、智能电源等解决方案 |
 |
英飞凌CoolMOS C7 650V Gold 采用TO-Leadless封装 (2016.05.20)
【德国慕尼黑讯】英飞凌科技（Infineon）CoolMOS系列推出新产品：采用 TO-Leadless 封装的 CoolMOS C7 Gold 650 V。本产品结合改良的超接面 (SJ) 半导体制程与先进 SMD 封装设计，为硬式切换应用带来优异效能 |
|
IR新款FastIRFET双功率MOSFET采用4×5 PQFN功率模块封装 (2014.12.17)
国际整流器公司（International Rectifier；IR）推出采用高效能4×5 PQFN功率模块封装的IRFH4257D FastIRFET 双功率MOSFET。此项新的封装选择使IR的功率模块产品系列效能得以延伸至更低功率的设计 |
|
IR推出电池保护应用MOSFET系列 (2014.12.02)
国际整流器公司 (International Rectifier；IR) 针对锂离子电池保护应用推出一系列IR最新低电压MOSFET硅技术组件，包括IRL6297SD双信道DirectFET MOSFET。
全新功率MOSFET备有极低的导通电阻，藉以大幅减少导通损耗，提供20V和30V N信道及P信道组态组件 |
|
IR坚固耐用600V IR25750 SOT-23电流感测IC (2014.03.31)
国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 推出坚固耐用的IR25750通用电流感测IC，并以极纤巧的SOT23-5L封装，为高电流应用提升整体系统效率及大幅节省空间。
要量测流过功率MOSFET或IGBT的高电流 (10到100A)，往往需要大的电阻器，因而产生过量的功率损耗 (10到30W) |
|
IR坚固耐用100V FastIRFET PQFN 5×6功率MOSFET 为电讯电源应用提供基准效能 (2014.03.17)
国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 推出IRFH7185TRPbF 100V FastIRFET功率MOSFET，为电讯应用内的DC-DC电源提供基准效能。
IRFH7185TRPbF利用IR全新100V FastIRFET制程，提供基准的导通电阻闸极电荷质量因子 (Rds(on)*Qg figure of merit)，以实现更高效率和功率密度，并且提高系统可靠性 |
|
IR 全新300V功率MOSFET配备基准导通电阻 (2013.01.23)
国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 推出配备了IR最新功率MOSFET的300V组件阵营，藉以为各种高效率工业应用提供基准导通电阻 (RDS(on))，包括110-120交流电压线性调节器和110-120交流电压电源，以及太阳能逆变器与不间断电源 (UPS) 等直流-交流逆变器 |
|
Infineon汽车电源管理40V P信道 可提升能源效率 (2011.09.07)
英飞凌（Infineon）昨（6）日宣布，推出采用沟槽技术制程的最新单一P信道40V汽车电源MOSFET系列产品。英飞凌表示，新型40V OptiMOS P2产品为提升能源效率、减少CO2排放及节省成本设立新的基准 |
|
IR新款25 V及30 V高性能PQFN功率MOSFET系列 (2010.12.08)
国际整流器公司（IR）近日宣布，推出一系列25 V及30 V组件，采用了IR最新的HEXFET MOSFET硅组件和新款高性能PQFN 3 x 3封装，为电讯系统、网络通讯和高端桌上及笔记本计算机应用的DC-DC转换器，带来高密度、可靠，且高效率的解决方案 |
|
IR推出新型-30V电压P-信道功MOSFET (2010.09.21)
国际整流器公司（International Rectifier）近日宣布，推出新-30 V组件系列，采用IR最新的SO-8封装P–信道 MOSFET硅组件，适用于电池充电和放电开关，以及直流应用的系统/负载开关 |
|
IR推出扩展中压功率MOSFET产品系列 (2010.07.06)
IR于日前宣布，推出扩展HEXFETR功率的MOSFET产品系列，提供完整的中压组件阵营。它们采用5x6 mm PQFN封装，并具有经过优化的铜夹和焊接芯片技术。
MOSFET采用了IR最新的硅技术，能够提供开关应用所需要的标准效能，适用于网络和电信设备的DC-DC转换器、AC-DC开关电源（SMPS）及马达驱动开关 |
|
IR推出基准工业级30V MOSFET (2009.08.27)
国际整流器公司（International Rectifier，简称IR） 推出一系列工业认可的30V TO-220 HEXFET功率MOSFET ，为不断电系统（UPS）反相器、低电压电动工具、ORing应用，以及网络通讯和服务器电源等应用，提供非常低的闸电荷（Qg） |
|
IR 150V和200V MOSFET可提供非常低闸电荷 (2009.08.19)
国际整流器公司（International Rectifier，简称IR） 推出一系列150V和200V HEXFET功率MOSFET，为包括开关模式电源（SMPS）、不断电系统（UPS）、反相器以及DC马达驱动器等工业应用，提供非常低的闸电荷（Qg） |
|
IR推出新型逻辑电平沟道MOSFET (2009.05.06)
国际整流器公司（International Rectifier，简称IR）推出一系列新型逻辑电平闸极驱动沟道HEXFET功率MOSFET，它们具有基准通态电阻（RDS（on））及高封装电流额定值，适用于高功率DC马达和电动工具、工业用电池及电源应用 |
|
IR全新基准MOSFET提升60%封装电流额定值 (2008.12.22)
国际整流器公司（International Rectifier，简称IR）推出具备高封装电流额定值的全新沟道型HEXFET功率MOSFET系列，适用于工业用电池、电源、高功率DC马达及电动工具。
新组件的封装电流额定值达到195A，较典型封装电流额定值高出60% |
|
英飞凌全新节能MOSFET系列产品提供行动应用 (2007.10.27)
英飞凌科技近日发表应用于行动电子设备直流/直流转换器的全新功率半导体产品。新款OptiMOS 3 M 30V N信道 MOSFET系列产品锁定只使用5伏特驱动的应用，除了适用于一般行动和手持式装置，还可应用在显示适配器、工业控制、内嵌转换器、切换式电源供应器和笔记本电脑主板上的许多插槽 |
|
Vishay推出获AEC Q101标准认证穿透式光传感器 (2007.05.31)
Vishay Intertechnology, Inc.推出业界首款获得AEC Q101标准认证的穿透式（断续）光传感器，从而扩展了其光电子产品系列。AEC Q101标准是针对汽车电子协会发布的分立半导体的可靠性测试认证程序 |
|
IR新MOSFET组件 为同步整流和动态ORing应用增添效益 (2005.08.31)
功率半导体及管理方案领导厂商–国际整流器公司(International Rectifier，简称IR)推出崭新的160A额定、7脚型IRF2907ZS-7PPbF MOSFET，使其高效能75V和100V HEXFET同步整流MOSFET组件系列更加充实 |
|
Microchip转用符合RoHS标准无铅封装 (2005.01.19)
Microchip十九日宣布，自二零零五年一月起所有产品将采用环保无铅电镀封装，以符合即将于全球实施的政府法规和业界标准。Microchip将采用雾锡（matte tin）作为新的电镀材料，确保所有无铅产品都能向后兼容于业界标准的锡/铅焊接制程，并向前兼容于采用无铅锡/银/铜膏的高温无铅制程 |
