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IR新款FastIRFET双功率MOSFET采用4×5 PQFN功率模块封装
 

【CTIMES/SmartAuto 編輯部报导】   2014年12月17日 星期三

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国际整流器公司(International Rectifier;IR)推出采用高效能4×5 PQFN功率模块封装的IRFH4257D FastIRFET 双功率MOSFET。此项新的封装选择使IR的功率模块产品系列效能得以延伸至更低功率的设计,适用于先进的电讯与网路通讯设备、伺服器、显示卡、桌上型电脑、超轻薄笔电( Ultrabook) 及笔记型电脑等12V输入DC-DC同步降压应用,为DC-DC应用提供高密度精密解决方案。

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IRFH4257D配备IR新一代矽技术和专用封装技术,以精密的4×5功率模块提供温度效能、低导通电阻(RDS(on))与闸极电荷(Qg),带来一流的功率密度和更低的开关损耗。

IR亚太区销售副总裁潘大伟表示:「IRFH4257D与IR其他FastIRFET组件一样,可与各种控制器或驱动器搭配操作,为单相位或多相位应用提供设计灵活性,同时实现更高的电流、效率和频率。现在产品系列增添了 IRFH4257D,设计人员便可选择4×5或5×6 PQFN封装以满足其设计要求。」

IRFH4257D符合工业级和第一级湿度敏感度(MSL1)标准,其物料清单不但环保亦不含铅,符合电子产品有害物质限制指令(RoHS)。产品现正接受批量订单。 (编辑部陈复霞整理)

關鍵字: MOSFET  双功率  PQFN  功率模块  FastIRFET  相位应用  IR  封装材料类 
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