国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 推出IRFH7185TRPbF 100V FastIRFET功率MOSFET，为电讯应用内的DC-DC电源提供基准效能。

/news/2014/03/17/1454564130S.jpg

IRFH7185TRPbF利用IR全新100V FastIRFET制程，提供基准的导通电阻闸极电荷质量因子 (Rds(on)*Qg figure of merit)，以实现更高效率和功率密度，并且提高系统可靠性。

IR亚太区销售副总裁潘大伟表示：「IRFH7185TRPbF提供极低导通电阻，加上闸极电荷比同类型组件显著较低，所以从轻载到满载都能达致高效能。新100V FastIRFET组件提高雪崩电流密度达20%，藉以为DC-DC电讯电源提供行业最坚固耐用的解决方案。」

IR FastIRFET组件可配合各种控制器或驱动器操作，从而使设计更灵活，更以小占位面积实现更高电流、效率和频率。IRFH7185TRPbF符合工业级标准及第一级湿度敏感度 (MSL1) 标准，并采用了5x6 PQFN行业标准封装，备有不含铅且符合电子产品有害物质限制指令 (RoHS) 的环保物料列表。