英飛凌科技近日發表應用於行動電子設備直流/直流轉換器的全新功率半導體產品。新款OptiMOS 3 M 30V N通道 MOSFET系列產品鎖定只使用5伏特驅動的應用，除了適用於一般行動和手持式裝置，還可應用在顯示卡、工業控制、內嵌轉換器、切換式電源供應器和筆記型電腦主機板上的許多插槽。

OptiMOS 3 M 30V N通道 MOSFET系列產品

OptiMOS 3 M系列裝置在4.5伏特製造下，具備最低導通電阻（RDS(on)），可大幅降低導通功率消耗。此外，閘電荷也大幅減少；例如BSC100N03MS G導通電阻為10毫歐姆（mΩ） ，最大額定閘極電荷為11 nC。這些關鍵特性上的改進，使導通電阻乘以閘電荷所產生的優值系數（FOM）比主要競爭對手高出20％，在效率上也提升4％。

OptiMOS 3 M MOSFET系列採用適合小尺寸應用的30 mm² SSO8（SuperSO8）和3 mm x 3 mm S3O8（Shrink SuperSO8）封裝。

採用 SuperSO8封裝的OptiMOS 3 M MOSFET系列產品，導通電阻在4.5伏特下為2.0 mΩ（在10伏特下為1.6 mΩ），比實力最接近的同類產品低38％。低導通電阻充份降低傳導損耗和導通功率消耗，提高了功率密度。此外，低閘極電荷使得驅動器的負荷降低，開關頻率若為300kHz，驅動器工作溫度降幅即高達13°C，可降低熱能消耗。

若採用S3O8封裝，導通電阻在4.5伏特下可降至4.3 mΩ，在10伏特下為3.5 mΩ，比採用相同封裝、實力最接近的競爭對手低了近50％。

全新OptiMOS 3 M MOSFET系列的特性，還包括降低接面溫度的低通導電阻溫度係數，以及將MOSFET歸入非潮濕敏感、並可在生產和儲存時簡化處理作業的一級潮濕敏感度（MSL1）等級。指定的30伏特崩潰電壓可確保出現電壓突波時仍能持續安全作業，這項製造技術使寄生電容降低，換言之，開關電荷減少了，如此便可在不犧牲效能的情況下增加開關速度。