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Vishay推出新型第三代1200 V SiC肖特基二極體 (2024.07.01)
威世科技（Vishay Semiconductors）推出16款新型第三代1200 V碳化硅（SiC）肖特基二極體。Vishay器件採用混合PIN 肖特基（MPS）結構設計，具有高浪湧電流保護能力，低正向壓降、低電容電荷和低反向漏電流，有助於提升開關電源設計能效和可靠性 |
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Vishay推出新型第三代1200 V SiC肖特基二極體 (2024.07.01)
威世科技（Vishay Semiconductors）推出16款新型第三代1200 V碳化硅（SiC）肖特基二極體。Vishay器件採用混合PIN 肖特基（MPS）結構設計，具有高浪湧電流保護能力，低正向壓降、低電容電荷和低反向漏電流，有助於提升開關電源設計能效和可靠性 |
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Nexperia汽車級肖特基二極體採用R2P DPAK 封裝 (2024.06.11)
Nexperia宣布650V、10A 碳化矽（SiC）肖特基二極管現已通過汽車認證PSC1065H-Q，並採用真正的雙引腳（R2P） DPAK （TO -252-2）封裝，適合於電動車和其他汽車的各種應用。此外，為了擴展 SiC 二極體產品組合，Nexperia提供 TO-220-2、TO-247-2 和 D2PAK 額定電流為 6A、16A 和 20A 的工業級裝置-2 包裝有利於更大的設計靈活性 |
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Nexperia汽車級肖特基二極體採用R2P DPAK 封裝 (2024.06.11)
Nexperia宣布650V、10A 碳化矽（SiC）肖特基二極管現已通過汽車認證PSC1065H-Q，並採用真正的雙引腳（R2P） DPAK （TO -252-2）封裝，適合於電動車和其他汽車的各種應用。此外，為了擴展 SiC 二極體產品組合，Nexperia提供 TO-220-2、TO-247-2 和 D2PAK 額定電流為 6A、16A 和 20A 的工業級裝置-2 包裝有利於更大的設計靈活性 |
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保障下一代碳化矽元件的供需平衡 (2024.02.23)
本文敘述思考下一代SiC元件將如何發展，從而實現更高的效能和更小的尺寸，並討論建立穩健的供應鏈對轉用SiC技術的公司的重要性。 |
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意法半導體熱切換二極體控制器問世 適用於ASIL-D汽車安全關鍵應用 (2023.09.19)
意法半導體（STMicroelectronics，ST）推出的STPM801是率先業界所推出之車規整合熱切換的理想二極體控制器，適合汽車功能性安全應用。
這款理想二極體控制器驅動一個外部MOSFET開關二極體，取代過去在輸入反向保護和輸出電壓維持電路中常用的肖特基二極體 |
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意法半導體熱切換二極體控制器問世 適用於ASIL-D汽車安全關鍵應用 (2023.09.19)
意法半導體（STMicroelectronics，ST）推出的STPM801是率先業界所推出之車規整合熱切換的理想二極體控制器，適合汽車功能性安全應用。
(圖一)意法半導體推出熱切換理想二極體控制器，適用於ASIL-D汽車安全關鍵應用
這款理想二極體控制器驅動一個外部MOSFET開關二極體，取代過去在輸入反向保護和輸出電壓維持電路中常用的肖特基二極體 |
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智慧節點的遠端運動控制實現可靠的自動化 (2023.08.25)
本文介紹如何在自動化和工業場景中整合新的10BASE-T1L乙太網路實體層標準，將控制器和使用者介面與端點相連接，所有元件均使用標準乙太網路介面進行雙向通訊。 |
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貿澤電子2023年第二季推出近30,000項新品 (2023.07.20)
貿澤電子（Mouser Electronics）為原廠授權代理商，致力於快速導入新產品與新技術，協助超過1,200個半導體及電子元件製造商從設計鏈到供應鏈加快產品的上市速度，將新產品賣到全世界 |
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貿澤電子2023年第二季推出近30,000項新品 (2023.07.20)
貿澤電子（Mouser Electronics）為原廠授權代理商，致力於快速導入新產品與新技術，協助超過1,200個半導體及電子元件製造商從設計鏈到供應鏈加快產品的上市速度，將新產品賣到全世界 |
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貿澤即日起供貨安森美EliteSiC碳化矽系列解決方案 (2023.04.12)
貿澤電子（Mouser Electronics）即日起供貨安森美（onsemi）EliteSiC碳化矽（SiC）系列解決方案。EliteSiC產品系列包括二極體、MOSFET、IGBT與SiC二極體功率整合模組（PIM），以及符合AEC-Q100標準的裝置 |
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貿澤即日起供貨安森美EliteSiC碳化矽系列解決方案 (2023.04.12)
貿澤電子（Mouser Electronics）即日起供貨安森美（onsemi）EliteSiC碳化矽（SiC）系列解決方案。EliteSiC產品系列包括二極體、MOSFET、IGBT與SiC二極體功率整合模組（PIM），以及符合AEC-Q100標準的裝置 |
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安森美的EliteSiC碳化矽系列方案提供更高能效 (2023.01.04)
安森美(onsemi)宣佈將其碳化矽(SiC)系列命名為「EliteSiC」。在CES上，安森美展示EliteSiC 系列的3款新成員：一款1700 V EliteSiC MOSFET和兩款1700 V雪崩EliteSiC肖特基二極體。這些新的器件為能源基礎設施和工業驅動應用提供可靠、高能效的性能 |
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安森美的EliteSiC碳化矽系列方案提供更高能效 (2023.01.04)
安森美(onsemi)宣佈將其碳化矽(SiC)系列命名為「EliteSiC」。在CES上，安森美展示EliteSiC 系列的3款新成員：一款1700 V EliteSiC MOSFET和兩款1700 V雪崩EliteSiC肖特基二極體。這些新的器件為能源基礎設施和工業驅動應用提供可靠、高能效的性能 |
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Bloom Energy選用英飛凌CoolSiC功率元件 助力電源供應 (2022.10.28)
當前的能源危機充分表明全球迫切需要尋找替代能源以建構氣候友善型的能源供應能力。總部位於美國加州的Bloom Energy公司近期選用了英飛凌科技股份有限公司的CoolSiC MOSFET和CoolSiC二極體產品，用於該公司燃料電池產品Bloom’s Energy Server以及Bloom Electrolyzer電解系統中的功率轉換 |
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Bloom Energy選用英飛凌CoolSiC功率元件 助力電源供應 (2022.10.28)
當前的能源危機充分表明全球迫切需要尋找替代能源以建構氣候友善型的能源供應能力。總部位於美國加州的Bloom Energy公司近期選用了英飛凌科技股份有限公司的CoolSiC MOSFET和CoolSiC二極體產品，用於該公司燃料電池產品Bloom’s Energy Server以及Bloom Electrolyzer電解系統中的功率轉換 |
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美超微攜手英飛凌 以高效率功率級產品降低資料中心耗電 (2022.10.27)
為了滿足資料中心的低碳化，雲端、AI/ML、儲存、5G/邊緣領域的需求，美超微電腦與英飛凌科技攜手合作，選用了英飛凌的高效率功率級半導體產品。
美超微伺服器技術副總裁Manhtien Phan表示：「在開發綠色運算平台時，我們會選擇和我們一樣著重於利用能效降低耗電量的廠商 |
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美超微攜手英飛凌 以高效率功率級產品降低資料中心耗電 (2022.10.27)
為了滿足資料中心的低碳化，雲端、AI/ML、儲存、5G/邊緣領域的需求，美超微電腦與英飛凌科技攜手合作，選用了英飛凌的高效率功率級半導體產品。
(圖一)美超微的綠色運算平台可顯著改善PUE |
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Diodes DC-DC轉換器符合汽車規格 提高輕負載效率降低EMI (2022.08.23)
Diodes公司宣佈其符合汽車規格的DC-DC轉換器系列又添新成員。AP64060Q是一款600mA的同步降壓轉換器元件，輸入電壓範圍為4.5V至40V。
(圖一)AP64060Q
它整合了600mΩ的高側功率MOSFET和300mΩ的低側功率MOSFET，可提供高效的降壓轉換（效率達90%），且佔用的PCB機板空間最小 |
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Diodes DC-DC轉換器符合汽車規格 提高輕負載效率降低EMI (2022.08.23)
Diodes公司宣佈其符合汽車規格的DC-DC轉換器系列又添新成員。AP64060Q是一款600mA的同步降壓轉換器元件，輸入電壓範圍為4.5V至40V。
它整合了600mΩ的高側功率MOSFET和300mΩ的低側功率MOSFET，可提供高效的降壓轉換（效率達90%），且佔用的PCB機板空間最小 |
