磷化銦與氮化鎵在太赫茲頻段的技術挑戰

無線通訊技術即將從5G邁向6G，頻譜資源的開發已從毫米波（mmWave）進一步延伸至太赫茲（THz）頻段。太赫茲波通常定義為0.1至10THz之間的電磁波，其位於微波與紅外線之間，不僅具備極其寬廣的可用頻寬，還擁有獨特的穿透性與空間解析度。

對於6G而言，太赫茲技術是實現每秒兆位元（Tbps）數據傳輸速率、全息通訊、高精度感測以及智慧反射空間的核心使能技術。然而，隨著頻率攀升至次太赫茲（sub-THz）乃至太赫茲領域，傳統基於矽（Silicon）的互補金屬氧化物半導體（CMOS）技術在輸出功率、雜訊係數以及截止頻率等方面已達物理極限。

在這種背景下，化合物半導體，特別是磷化銦（InP）與氮化鎵（GaN），憑藉其優越的電子輸送特性與功率處理能力，成為太赫茲前端電路（Front-end）開發的核心技術材料。
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