安森美(onsemi)宣佈將其碳化矽(SiC)系列命名為「EliteSiC」。在CES上，安森美展示EliteSiC 系列的3款新成員：一款1700 V EliteSiC MOSFET和兩款1700 V雪崩EliteSiC肖特基二極體。這些新的器件為能源基礎設施和工業驅動應用提供可靠、高能效的性能。

圖一 : 安森美將其碳化矽(SiC)系列命名為「EliteSiC」

安森美的1700 V EliteSiC MOSFET（NTH4L028N170M1），提供高功率工業應用所需的更高擊穿電壓（BV）的SiC方案。兩款1700 V雪崩EliteSiC肖特基二極體（NDSH25170A、NDSH10170A）讓設計人員能夠實現在高溫高壓下穩定運行、同時由SiC賦能高能效的設計。

安森美執行副總裁暨電源方案部總經理Simon Keeton說：「新的1700 V EliteSiC器件提供出色的能效和更低的功率損耗，加強了我們EliteSiC系列產品在性能和品質方面的高標準，同時也進一步擴大了安森美EliteSiC的深度和廣度。加上我們的端到端SiC製造能力，安森美提供的技術和供貨保證可以滿足工業能源基礎設施和工業驅動供應商的需求。」
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