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工研院與台達開發SiC模組 搶攻高功率電子市場
 

【作者: 陳念舜】   2025年02月08日 星期六

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基於現今電動車為了符合低碳永續趨勢及續航力,兼顧在高壓、高溫下穩定運行,使得具備高功率密度的寬能隙化合物半導體(Wide-bandgap Semiconductor;WBG),成為該領域深受關注的元件材料。工研院也在近期海外參展時,發表最新與台達合作車用碳化矽(SiC)技術解決方案。


圖一 : 工研院攜手台達共同展出「1200V/660A T2系列碳化矽功率模組」,有效降低變頻器產品的體積與重量,延長電動車續航里程。
圖一 : 工研院攜手台達共同展出「1200V/660A T2系列碳化矽功率模組」,有效降低變頻器產品的體積與重量,延長電動車續航里程。

其中透過「電動車驅動及充電方案」、「功率氮化鎵(GaN)」、「功率氧化鎵(Ga2O3)」以及「400kW大電力直流變壓器」4大專區,展示工研院逾10項新一代寬能隙功率半導體前瞻技術成果,以及台灣車載半導體的元件設計到驗證能力。


工研院電子與光電系統研究所所長張世杰表示,目前由工研院長期投入化合物功率半導體的發展,提供完整且高轉換效率的「車載碳化矽技術解決方案」,已涵蓋致力設計開發的碳化矽功率元件與模組化、馬達驅動、車載充電與充電樁等電動車核心技術,吸引眾多國內外車輛零件商、車廠製造商洽談合作,為電動車與半導體產業成長注入更多動能。
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