威世科技（Vishay Semiconductors）推出16款新型第三代1200 V碳化硅（SiC）肖特基二極體。Vishay器件採用混合PIN 肖特基（MPS）結構設計，具有高浪湧電流保護能力，低正向壓降、低電容電荷和低反向漏電流，有助於提升開關電源設計能效和可靠性。

圖一 : Vishay新型第三代1200 V SiC肖特基二極體採用MPS結構設計，額定電流5 A~ 40 A，低正向壓降、低電容電荷和低反向漏電流，有助於開關電源設計能效和可靠性。

新一代SiC二極體包括5 A至40 A器件，採用TO-220AC 2L、TO-247AD 2L和TO-247AD 3L插件封裝和D2PAK 2L（TO-263AB 2L）表面貼裝封裝。由於採用MPS結構—利用激光退火背面減薄技術—二極體電容電荷低至28 nC，正向壓降減小為1.35 V。此外，器件25?C下典型反向漏電流僅為2.5 μA，降低了導通損失，確保系統輕載和空載期間的高能效。

二極體典型應用包括FBPS和LLC轉換器AC/DC功率因數校正（PFC）和 DC/DC超高?輸出整流，適用於光伏逆變器、儲能系統、工業驅動器和工具、數據中心等。器件工作溫度可達+175°C，正向額定浪湧電流保護能力高達260 A。器件符合RoHS標準，無鹵素，具有高可靠性。新型SiC二極體現已提供樣品並已實現量產。
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