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觀測空氣污染品質源頭 找出災防應對措施 (2025.01.24)
火災對於空氣品質的影響不容忽視，不僅對環境構成威脅，對人體健康的危害更是深遠。火災產生的污染物包括顆粒物（PM）、揮發性有機化合物（VOC）、鉛、石棉及其他化學殘留物 |
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半鑲嵌金屬化：後段製程的轉折點？ (2025.01.03)
五年多前，比利時微電子研究中心（imec）提出了半鑲嵌（semi-damascene）這個全新的模組方法，以應對先進技術節點銅雙鑲嵌製程所面臨的RC延遲增加問題。 |
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Intel Foundry使用減材釕 提升電晶體容量達25% (2024.12.24)
英特爾晶圓代工（Intel Foundry）在2024年IEEE國際電子元件會議（IEDM）上公佈了新的突破。包括展示了有助於改善晶片內互連的新材料，透過使用減材釕（subtractive Ruthenium）提升電晶體容量達25% |
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Bourns 推出符合 AEC-Q200 標準 車規級高隔離馳返式變壓器系列 (2024.12.24)
美商柏恩 Bourns，全新推出符合 AEC-Q200 標準車規級 HVMA03F40C-ST10S 馳返式變壓器。該系列專為在緊湊尺寸中實現高功率密度與更高效率而設計，以因應當今汽車、工業以及能源儲存設計對於功率密度的不斷增長需求 |
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半導體業界持續革命性創新 有助於實現兆級電晶體時代微縮需求 (2024.12.09)
隨著人工智慧（AI）應用迅速崛起，從生成式AI到自動駕駛和邊緣運算，對半導體晶片的需求也隨之激增。這些應用要求更高效能、更低功耗以及更高的設計靈活性。尤其在2030年實現單晶片容納1兆個電晶體的目標下，半導體產業面臨著重大挑戰：電晶體和晶片內互連的持續微縮、材料創新以突破傳統設計的限制，以及先進封裝技術的提升 |
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貿澤、ADI和Bourns出版全新電子書 探索電力電子裝置GaN優勢 (2024.12.03)
貿澤電子（Mouser Electronics）與ADI和Bourns合作出版最新的電子書，探索氮化鎵（GaN）技術在追求效率、效能和永續性的過程中所面對的挑戰和優勢所在。
《10 Experts Discuss Gallium Nitride Technology》（10位專家談論氮化鎵技術）探討GaN技術如何徹底改變電力電子技術，達到比矽更高的效率、更快的開關速度和更大的功率密度 |
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Power Integrations推1700V氮化鎵切換開關IC (2024.11.05)
Power Integrations推出其 InnoMux-2 系列的單級、獨立穩壓多路輸出離線式電源供應器 IC 的新成員。新裝置採用了業界首款透過該公司專有 PowiGaN 技術製造的 1700 V 氮化鎵切換開關 |
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AI數據中心：節能減碳新趨勢 (2024.10.28)
面臨GPU及AI資料中心耗費龐大電量，市面上各種冷卻散熱方案終究是治標不治本，而有國內外電源大廠開始從電網的中載變壓器、終端人與物料維運模式溯源減碳的全方位解決方案 |
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英飛凌CoolSiC蕭特基二極體2000 V直流母線電壓最高可達1500 VDC (2024.10.28)
許多工業應用如今可以透過提高直流母線電壓以求功率損耗最低時，也朝向更高的功率水準。因應此需求，英飛凌科技（Infineon）推出CoolSiC蕭特基二極體2000 V G5，這是市面上首款擊穿電壓達到2000 V的分立式SiC二極體，適用於直流母線電壓高達1500 VDC的應用，額定電流為10 A 至80 A，符合光伏、電動汽車充電等高直流母線電壓應用 |
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Bourns全新薄型高爬電距離隔離變壓器適用於閘極驅動和高壓電池管理系統 (2024.10.27)
美商柏恩Bourns推出新款符合AEC-Q200標準的車規級薄型、高爬電距離隔離變壓器。Bourns HVMA03F4A-LP8S系列馳返變壓器專為提供高功率密度設計，實現更高效能且具備緊湊的外形尺寸，適用於閘極驅動器和高壓電池管理系統(BMS)等多項應用場合， |
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德州儀器擴大氮化鎵半導體內部製造作業 將自有產能提升至四倍 (2024.10.25)
德州儀器 （TI） 已開始在日本會津的工廠生產氮化鎵 （GaN） 功率半導體。隨著會津廠進入生產，加上位於德州達拉斯的現有GaN製造作業，TI 現針對GaN功率半導體的自有產能可增加至四倍之多 |
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格棋化合物半導體中壢新廠落成 攜手中科院強化高頻通訊技術 (2024.10.23)
格棋化合物半導體中壢新廠落成，同時宣布與國家中山科學研究院（中科院）合作，雙方將共同強化在高頻通訊技術領域的應用。此外，格棋也和日本三菱綜合材料商貿株式會社簽署合作協議，雙方將致力於擴大日本民生用品和車用市場的布局 |
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ASM雙腔體碳化矽磊晶平台 滿足先進碳化矽功率元件領域需求 (2024.10.07)
ASM 發布了全新PE2O8碳化矽磊晶系統。這款雙腔體碳化矽（SiC）磊晶 （Epi）平台旨在滿足先進碳化矽功率元件領域的需求，具備低缺陷率、高製程穩定性，成為業界標竿。PE2O8具備更高的產量和較低的擁有成本，促進了碳化矽元件的更廣泛應用 |
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數位電源驅動雙軸轉型 綠色革命蓄勢待發 (2024.10.01)
CTIMES日前舉辦了「數位電源驅動雙軸轉型：電子系統開發的綠色革命」為主題的東西講座研討會，此次會議深入探討了數位電源技術在推動電子系統開發的雙軸轉型中的關鍵作用，即實現更高的能源效率和更快的產品創新 |
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電動壓縮機設計核心-SiC模組 (2024.09.29)
電動壓縮機是電動汽車熱管理的核心零組件，對於電驅動系統的溫度控制具有重要作用，對電池的使用壽命、充電速度和續航里程均至關重要，本文主要討論SiC MOSFET 離散元件方案 |
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2024台北國際自動化展後報導：機電大廠助迎接碳有價年代 (2024.09.29)
碳定價時代來臨之際，今年台北國際自動化展，機電大廠早已洞燭機先，紛紛推出AI數位化與節能減碳解決方案，展現產業齊心投入綠色轉型的決心。 |
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ROHM與UAES簽署SiC功率元件長期供貨協議 (2024.09.05)
半導體製造商ROHM與中國車界Tier1供應商—聯合汽車電子有限公司（United Automotive Electronic Systems，UAES）簽署了SiC功率元件的長期供貨協議。
UAES和ROHM自2015年開始技術交流以來，雙方在SiC功率元件的車載應用產品開發方面也建立了合作夥伴關係 |
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ROHM第4代SiC MOSFET裸晶片導入吉利電動車三款主力車型 (2024.08.29)
半導體製造商ROHM內建第4代SiC MOSFET裸晶片的功率模組，成功導入至浙江吉利控股集團（以下稱吉利）的電動車（以下稱EV）品牌「ZEEKR」的「X」、「009」、「001」三款車型的主機逆變器 |
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對整合式工廠自動化採取全面性作法 (2024.08.28)
連線能力是現代工廠的核心。工業乙太網路將設計、規劃、編程和生產活動連結起來，使工廠各部門能共享資訊，甚至連接至全世界。而使用單一供應商的完全整合式自動化平台，使得網路、組件和軟體元件設計能夠和諧運作 |
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[自動化展] 世協電機掌握減速機自製能力 滿足新一代智慧工廠需求 (2024.08.24)
因應近年來新一代智慧工廠導入人工智慧（AI）與自主移動型機器人（AMR）趨勢，世協電機公司也在今年台北國際自動化展發表多款客製化新品，包含：AGV/AMR、滾珠螺桿，以及超高剛性與扭矩、不鏽鋼材質等一系列專用行星式減速機、杯型/帽型諧波減速機、多輸出軸螺旋傘齒輪、齒輪馬達、小型感應式馬達等產品 |
