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格棋化合物半導體中壢新廠落成 攜手中科院強化高頻通訊技術
 

【CTIMES/SmartAuto 王岫晨 報導】   2024年10月23日 星期三

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格棋化合物半導體中壢新廠落成,同時宣布與國家中山科學研究院(中科院)合作,雙方將共同強化在高頻通訊技術領域的應用。此外,格棋也和日本三菱綜合材料商貿株式會社簽署合作協議,雙方將致力於擴大日本民生用品和車用市場的布局。

格棋化合物半導體技術長葉國偉、董事長張忠傑、副總經理賴柏帆
格棋化合物半導體技術長葉國偉、董事長張忠傑、副總經理賴柏帆

格棋成立於2022年,專注於化合物半導體長晶等第三代化合物半導體的工藝技術開發。研發團隊成員在化合物半導體領域擁有豐富經驗。格棋中壢新廠總投資金額達新台幣6億元,預計2024年第四季達到滿產。其中6吋碳化矽晶片月產能可達5,000片,至2024年底,新廠將安裝20台8吋長晶爐及100台6吋長晶爐,大幅提升整體產能。除此之外,新廠還可提供超過50個就業機會。因應全球ESG趨勢,格棋中壢新廠規劃導入能源管理系統及儲能系統,並整合再生能源系統,透過削峰填谷方式平衡能源需求,減少高峰時段的能源負荷,進一步降低能源成本及碳排放。

關鍵字: SiC  GaN  寬能隙半導體  化合物半導體  格棋化合物半導體 
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