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德州儀器擴大氮化鎵半導體內部製造作業 將自有產能提升至四倍
 

【CTIMES/SmartAuto 王岫晨 報導】   2024年10月25日 星期五

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德州儀器 (TI) 已開始在日本會津的工廠生產氮化鎵 (GaN) 功率半導體。隨著會津廠進入生產,加上位於德州達拉斯的現有GaN製造作業,TI 現針對GaN功率半導體的自有產能可增加至四倍之多。GaN做為矽的替代方案,這款半導體材料可在許多領域中提供優勢,包括節能、開關速度、電源解決方案尺寸與重量、整體系統成本,以及在高溫與高壓條件下的性能等。

德州儀器於自有的第二家工廠生產GaN功率半導體
德州儀器於自有的第二家工廠生產GaN功率半導體

GaN晶片可提供更高的功率密度,也就是在更小的空間提供更多功率,使其能應用於筆記型電腦或行動電話的電源轉接器,或是更小、更節能的加熱與空調系統和家用電器馬達。現在,TI提供廣泛的整合式GaN功率半導體產品組合,從低電壓到高電壓都包含在內,藉此實現最為節能、可靠且具高功率密度的電子產品。

關鍵字: SiC  GaN  寬能隙半導體  化合物半導體  TI(德州儀器, 德儀TI(德州儀器, 德儀
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