CTIMES - 搜尋：蕭特基二極體

ROHM新款SiC蕭特基二極體支援xEV系統高電壓需求 (2024.11.14)
半導體製造商ROHM開發出引腳間沿面距離更長、絕緣電阻更高的表面安裝型SiC蕭特基二極體（SBD）。目前產品陣容中已經有適用於車載充電器（OBC）等車載應用的「SCS2xxxNHR」8款機型

ROHM參展2024慕尼黑電子展以E-Mobility、車用和工控為展示主軸 (2024.11.06)
現今電子系統的需求日益成長，尤其是在永續經營和急需創新的市場方面，先進技術將成為助力。半導體製造商ROHM將於11月12日至15日參加在德國慕尼黑舉辦的2024慕尼黑電子展（electronica 2024），展示提高車用和工控中功率密度、效率和可靠性的先進功率和類比技術，並進行技術交流合作

ROHM的EcoSiC導入COSEL的3.5Kw輸出AC-DC電源產品 (2024.10.30)
半導體製造商ROHM生產的EcoSiC產品—SiC MOSFET和SiC蕭特基二極體（SBD），被日本先進電源製造商COSEL生產的三相電源用3.5kW輸出AC-DC電源單元「HFA／HCA系列」採用。強制風冷型HFA系列和傳導散熱型HCA系列均搭載ROHM的SiC MOSFET和SiC SBD，實現最大的工作效率（94%）

英飛凌CoolSiC蕭特基二極體2000 V直流母線電壓最高可達1500 VDC (2024.10.28)
許多工業應用如今可以透過提高直流母線電壓以求功率損耗最低時，也朝向更高的功率水準。因應此需求，英飛凌科技（Infineon）推出CoolSiC蕭特基二極體2000 V G5，這是市面上首款擊穿電壓達到2000 V的分立式SiC二極體，適用於直流母線電壓高達1500 VDC的應用，額定電流為10 A 至80 A，符合光伏、電動汽車充電等高直流母線電壓應用

ROHM推出100V耐壓SBD「YQ系列」採用溝槽MOS結構 (2024.01.31)
半導體製造商ROHM針對車載設備、工業設備、消費性電子設備等電源電路和保護電路，推出業界最高等級trr的100V耐壓蕭特基二極體（SBD）「YQ系列」。二極體的種類有很多，其中高效率SBD被廣泛用於各種應用

東芝推出最新一代650V SiC SBD可提高工業設備效率 (2023.07.13)
東芝（Toshiba）推出TRSxxx65H系列碳化矽（SiC）蕭特基二極體（SBD），這是該公司第三代也是最新一代SiC SBD晶片，用於工業設備開關電源、電動汽車充電站、光伏逆變器為應用領域

ROHM SiC MOSFET/SiC SBD結合Apex Microtechnology模組提升工控設備功率 (2023.03.31)
電源和馬達占全世界用電量的一大半，為實現無碳社會，如何提高其效率已成為全球性的社會問題，而功率元件是提高效率的關鍵。ROHM的SiC MOSFET和SiC蕭特基二極體（簡稱SiC SBD）已被成功應用於大功率類比模組製造商Apex Microtechnology的功率模組系列產品

Littelfuse擴展eFuse保護IC系列滿足多樣化和高標準應用需求 (2023.03.21)
Littelfuse宣佈公司的電子保險絲（eFuse）保護IC產品系列最新推出四款多功能電路保護元件。最新推出的電子保險絲保護IC產品採用了創新設計，是3.3V至28V廣泛電源輸入應用的理想選擇，具有高度整合的保護功能

ROHM SiC SBD成功應用於Murata Power Solutions D1U系列 (2023.03.15)
ROHM（總公司：日本京都市）開發的第3代SiC蕭特基二極體（以下簡稱 SBD）已成功應用於Murata Power Solutions的產品上。Murata Power Solutions是擅長電子元件、電池、電源領域的日本著名製造商—村田製作所集團旗下的企業

以降壓穩壓器解決電流迴路發送器功耗問題 (2022.10.27)
本文介紹如何使用 100 mA高速同步單晶片降壓型切換穩壓器取代LDO穩壓器，為電流迴路發送器設計精巧型電源。文中評估其性能，並選擇符合嚴格的工業標準的元件。並提供效率、啟動和漣波測試資料

HOLTEK推出6V/2A/1.2MHz同步降壓轉換器IC--HT74153 (2022.07.04)
盛群（Holtek）新推出同步降壓轉換器IC--HT74153，輸入電壓範圍2.5V至6V，可應用於3至4節乾電池及單節鋰電池的產品；2A的輸出電流能力，可提供穩定的電壓，能驅動低壓直流馬達及雷射二極體等大電流負載的應用，適用於攜帶式產品如按摩器、玩具及雷射投線儀等

羅姆推出小型PMDE封裝二極體助力應用小型化 (2022.04.11)
ROHM為滿足車電裝置、工控裝置和消費性電子裝置等各類型應用中，保護電路和開關電路的小型化需求，推出了PMDE封裝（2.5mm×1.3mm）產品，此次又在產品系列中新增了14款機型

Diodes推出反向放電理想二極體控制器提高保護電路效率 (2022.03.22)
Diodes公司宣布推出一款用於保護系統，免遭反向放電的理想二極體控制器產品。DZDH0401DW控制器驅動P通道MOSFET來模擬理想二極體，在高達40V的系統中，提供阻斷反向電流所需的高側導軌絕緣

HOLTEK推出新款低功耗200mA同步升壓轉換器--HT77xxFA (2021.11.29)
盛群半導體(Holtek)新推出一款高效同步升壓轉換器IC，HT77xxFA。適用於遙控器、無線滑鼠、血糖儀、電動剪及溫濕度計等產品。內置蕭特基二極體的設計可減少佈局面積，對於行動裝置的設備具有幫助

Littelfuse新增1700 V碳化矽蕭特基阻障二極體提供更快和低損耗開關 (2021.08.17)
Littelfuse公司今（17）日宣佈擴充其碳化矽（SiC）二極體產品組合，新增1700 V級產品適用於資料中心、建築物自動化和其他高功率電子應用。LSIC2SD170Bxx系列碳化矽蕭特基二極體採用TO-247-2L封裝，可選擇額定電流10A、25A或50A

ROHM擴大車電小型SBD RBR/RBQ產品線增至178款 (2021.08.11)
半導體製造商ROHM研發出小型高效蕭特基二極體（SBD）「RBR系列」、「RBQ系列」各12款產品，適用於車電、工控和消費性電子裝置等電路整流和保護用途。目前該二個系列的產品線總計已達178款

Microchip推出耐固性最強的碳化矽功率解決方案取代矽IGBT (2021.07.28)
Microchip Technology Inc.今日宣佈擴大其碳化矽產品組合，推出一系列高效率、高可靠性的1700V碳化矽MOSFET裸片、分離元件和電源模組。 Microchip的1700V碳化矽技術是矽IGBT的替代產品

ROHM內建SiC二極體IGBT（Hybrid IGBT）「RGWxx65C系列」損耗減少67% (2021.07.13)
半導體製造商ROHM開發出650V耐壓、內建SiC蕭特基二極體的IGBT（Hybrid IGBT）「RGWxx65C系列」（RGW60TS65CHR、RGW80TS65CHR、RGW00TS65CHR），且均符合汽車電子產品可靠性標準「AEC-Q101」

英飛凌推出全新650 V CoolSiC Hybrid IGBT分立元件系列 (2021.02.18)
英飛凌科技推出具 650 V 阻斷電壓，採獨立封裝的 650 V CoolSiC Hybrid IGBT 產品組合。新款 CoolSiC 混合型產品系列結合了 650 V TRENCHSTOP 5 IGBT 技術的主要優點及共同封裝單極結構的CoolSiC 蕭特基二極體

電源元件市場高成長激化品牌創新與縱橫合作 (2020.12.02)
再生能源、智慧運算與無線互聯的科技願景當前，尋獲最適的新興材料、元件架構與系統設計，成為全球電源元件供應大廠爭相追求的火種—迸發創新的束束火光，已然在全球前沿電力電子市場發散熱力