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東芝推出最新一代650V SiC SBD可提高工業設備效率
 

【CTIMES/SmartAuto 陳玨報導】   2023年07月13日 星期四

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東芝(Toshiba)推出TRSxxx65H系列碳化矽(SiC)蕭特基二極體(SBD),這是該公司第三代也是最新一代SiC SBD晶片,用於工業設備開關電源、電動汽車充電站、光伏逆變器為應用領域。首批12款產品(全部為650V)已開始批量發貨,其中7款產品採用TO-220-2L封裝,5款產品採用DFN8×8封裝。

東芝第三代650V SiC TRSxxx65H系列碳化矽蕭特基二極體(SiC SBD)。(source:Toshiba)
東芝第三代650V SiC TRSxxx65H系列碳化矽蕭特基二極體(SiC SBD)。(source:Toshiba)

新產品在第三代SiC SBD晶片中採用了新金屬,優化第二代產品的蕭基二極體元件(JBS)結構,它們實現先進的1.2V(典型值)的低正向電壓,比上一代1.45V(典型值)低17%。它們還改善了正向電壓和總電容電荷之間以及正向電壓和反向電流之間的權衡,從而降低功耗且有助於提高設備效率。

關鍵字: SiC SBD  東芝(Toshiba
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