 |
格棋：以碳化矽為核心 打造台灣第三類半導體新戰略地位 (2025.09.02)
隨著電動車、AI伺服器與儲能系統等高功率應用需求持續升溫，第三類半導體材料碳化矽（SiC）已成為能源轉換效率提升的關鍵核心。面對全球市場快速變化，格棋化合物半導體董事長張忠傑指出，雖然短期仍存在終端調整與庫存去化壓力，但碳化矽的長期前景無庸置疑，正進入以「品質、效率與供應安全」為主軸的新一輪成長週期 |
 |
格棋：以碳化矽為核心 打造台灣第三類半導體新戰略地位 (2025.09.02)
隨著電動車、AI伺服器與儲能系統等高功率應用需求持續升溫，第三類半導體材料碳化矽（SiC）已成為能源轉換效率提升的關鍵核心。面對全球市場快速變化，格棋化合物半導體董事長張忠傑指出，雖然短期仍存在終端調整與庫存去化壓力，但碳化矽的長期前景無庸置疑，正進入以「品質、效率與供應安全」為主軸的新一輪成長週期 |
 |
Power Integrations推1700V氮化鎵切換開關IC (2024.11.05)
Power Integrations推出其 InnoMux-2 系列的單級、獨立穩壓多路輸出離線式電源供應器 IC 的新成員。新裝置採用了業界首款透過該公司專有 PowiGaN 技術製造的 1700 V 氮化鎵切換開關 |
|
Power Integrations推1700V氮化鎵切換開關IC (2024.11.05)
Power Integrations推出其 InnoMux-2 系列的單級、獨立穩壓多路輸出離線式電源供應器 IC 的新成員。新裝置採用了業界首款透過該公司專有 PowiGaN 技術製造的 1700 V 氮化鎵切換開關 |
|
德州儀器擴大氮化鎵半導體內部製造作業 將自有產能提升至四倍 (2024.10.25)
德州儀器 （TI） 已開始在日本會津的工廠生產氮化鎵 （GaN） 功率半導體。隨著會津廠進入生產，加上位於德州達拉斯的現有GaN製造作業，TI 現針對GaN功率半導體的自有產能可增加至四倍之多 |
|
德州儀器擴大氮化鎵半導體內部製造作業 將自有產能提升至四倍 (2024.10.25)
德州儀器 （TI） 已開始在日本會津的工廠生產氮化鎵 （GaN） 功率半導體。隨著會津廠進入生產，加上位於德州達拉斯的現有GaN製造作業，TI 現針對GaN功率半導體的自有產能可增加至四倍之多 |
|
格棋化合物半導體中壢新廠落成 攜手中科院強化高頻通訊技術 (2024.10.23)
格棋化合物半導體中壢新廠落成，同時宣布與國家中山科學研究院（中科院）合作，雙方將共同強化在高頻通訊技術領域的應用。此外，格棋也和日本三菱綜合材料商貿株式會社簽署合作協議，雙方將致力於擴大日本民生用品和車用市場的布局 |
|
格棋化合物半導體中壢新廠落成 攜手中科院強化高頻通訊技術 (2024.10.23)
格棋化合物半導體中壢新廠落成，同時宣布與國家中山科學研究院（中科院）合作，雙方將共同強化在高頻通訊技術領域的應用。此外，格棋也和日本三菱綜合材料商貿株式會社簽署合作協議，雙方將致力於擴大日本民生用品和車用市場的布局 |
|
ASM雙腔體碳化矽磊晶平台 滿足先進碳化矽功率元件領域需求 (2024.10.07)
ASM 發布了全新PE2O8碳化矽磊晶系統。這款雙腔體碳化矽（SiC）磊晶 （Epi）平台旨在滿足先進碳化矽功率元件領域的需求，具備低缺陷率、高製程穩定性，成為業界標竿。PE2O8具備更高的產量和較低的擁有成本，促進了碳化矽元件的更廣泛應用 |
|
ASM雙腔體碳化矽磊晶平台 滿足先進碳化矽功率元件領域需求 (2024.10.07)
ASM 發布了全新PE2O8碳化矽磊晶系統。這款雙腔體碳化矽（SiC）磊晶 （Epi）平台旨在滿足先進碳化矽功率元件領域的需求，具備低缺陷率、高製程穩定性，成為業界標竿。PE2O8具備更高的產量和較低的擁有成本，促進了碳化矽元件的更廣泛應用 |
|
ROHM與UAES簽署SiC功率元件長期供貨協議 (2024.09.05)
半導體製造商ROHM與中國車界Tier1供應商—聯合汽車電子有限公司（United Automotive Electronic Systems，UAES）簽署了SiC功率元件的長期供貨協議。
UAES和ROHM自2015年開始技術交流以來，雙方在SiC功率元件的車載應用產品開發方面也建立了合作夥伴關係 |
|
ROHM與UAES簽署SiC功率元件長期供貨協議 (2024.09.05)
半導體製造商ROHM與中國車界Tier1供應商—聯合汽車電子有限公司（United Automotive Electronic Systems，UAES）簽署了SiC功率元件的長期供貨協議。
(圖一)UAES副總經理 郭曉潞（右）、
ROHM執行董事 功率元件事業本部 本部長 野間 亞樹（左）
UAES和ROHM自2015年開始技術交流以來，雙方在SiC功率元件的車載應用產品開發方面也建立了合作夥伴關係 |
|
ROHM第4代SiC MOSFET裸晶片導入吉利電動車三款主力車型 (2024.08.29)
半導體製造商ROHM內建第4代SiC MOSFET裸晶片的功率模組，成功導入至浙江吉利控股集團（以下稱吉利）的電動車（以下稱EV）品牌「ZEEKR」的「X」、「009」、「001」三款車型的主機逆變器 |
|
意法半導體於義大利打造世界首座一站式碳化矽產業園區 (2024.06.24)
意法半導體（STMicroelectronics，ST），將於義大利卡塔尼亞打造一座結合8吋碳化矽（SiC）功率元件和模組製造、封裝、測試於一體的綜合性大型製造基地。透過整合同一地點現有之碳化矽基板製造廠，意法半導體將打造一個碳化矽產業園區，達成在同一個園區內全面垂直整合製造及量產碳化矽之願景 |
|
意法半導體於義大利打造世界首座一站式碳化矽產業園區 (2024.06.24)
意法半導體（STMicroelectronics，ST），將於義大利卡塔尼亞打造一座結合8吋碳化矽（SiC）功率元件和模組製造、封裝、測試於一體的綜合性大型製造基地。透過整合同一地點現有之碳化矽基板製造廠，意法半導體將打造一個碳化矽產業園區，達成在同一個園區內全面垂直整合製造及量產碳化矽之願景 |
|
安森美於捷克打造端到端碳化矽工廠 完備先進功率半導體供應鏈 (2024.06.20)
電氣化、再生能源和人工智慧是全球大勢所趨，激發了市場對可最佳化能源轉換和管理的先進功率半導體的空前需求。為滿足這些需求，安森美採取了戰略舉措，宣佈將在捷克建造先進的垂直整合碳化矽 (SiC) 製造工廠 |
|
安森美於捷克打造端到端碳化矽工廠 完備先進功率半導體供應鏈 (2024.06.20)
電氣化、再生能源和人工智慧是全球大勢所趨，激發了市場對可最佳化能源轉換和管理的先進功率半導體的空前需求。為滿足這些需求，安森美採取了戰略舉措，宣佈將在捷克建造先進的垂直整合碳化矽 (SiC) 製造工廠 |
|
Power Integrations收購Odyssey 為GaN技術的持續發展提供支援 (2024.05.08)
Power Integrations這家節能型電源轉換領域的高壓積體電路領導廠商，宣佈收購垂直氮化鎵 (GaN) 電晶體技術開發者 Odyssey Semiconductor 的資產。這項交易預計將於 2024 年 7 月完成，之後 Odyssey 的所有重要員工預期會加入 Power Integrations 的技術組織 |
|
Power Integrations收購Odyssey 為GaN技術的持續發展提供支援 (2024.05.08)
Power Integrations這家節能型電源轉換領域的高壓積體電路領導廠商，宣佈收購垂直氮化鎵 (GaN) 電晶體技術開發者 Odyssey Semiconductor 的資產。這項交易預計將於 2024 年 7 月完成，之後 Odyssey 的所有重要員工預期會加入 Power Integrations 的技術組織 |
|
意法半導體碳化矽協助理想汽車加速進軍高壓純電動車市場 (2024.01.05)
意法半導體（STMicroelectronics，ST）與中國新能源汽車商理想汽車簽立一項碳化矽（SiC）長期供貨協議，而意法半導體將為理想汽車提供碳化矽MOSFET，支援理想汽車進軍高壓電池純電動車市場的策略 |
IETF是Internet Engineering Task Force (國際網路工程研究團隊)是一個開放性的國際組織，其作用在於匯集網路設計師、網路操作員、網路廠商，以及研究人員共同研發改進網路的工程架構與建立起一個平穩的網路環境。
