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CTIMES / Tarfsoi
科技
典故
第一顆電晶體(Transistor)的由來

第二次世界大戰末期,貝爾實驗室開始一項研究計畫,目標是研發出一種體積更小、功能更強大、更快速且可靠的裝置來取代真空管。1947年12月23日,由貝爾實驗室研發的電晶體取代了真空管,優點是體積更小、更可靠、且成本低廉,不僅孕育了今日遍及全球的電子半導體產業,同時也促成電訊電腦業、醫學、太空探測等領域產生戲劇性的改變。
東芝推出低插入損耗的智慧型手機射頻開關SOI製程 (2015.11.25)
東芝公司(Toshiba)半導體與儲存產品公司研發新一代TarfSOI(東芝先進的射頻絕緣矽(SOI))製程—TaRF8,該製程針對射頻(RF)開關應用進行最佳化,實現低插入損耗。採用新製程製造的SP12T射頻開關IC適用於智慧型手機,樣品出貨將於2016年1月啟動

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