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賦能未來，勇往直前：SiC MOSFET問世10周年的思索 (2021.04.20)
在SiC MOSFET問世10周年之際，作者回顧科銳公司十年歷史所經歷的關鍵時刻，並認為未來的發展會比過去曾經歷的增長還要巨大，也為下一步即將增長的產業曲線提出卓見。 |
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意法半導體推出新一代車用數位音效功率放大器晶片 (2016.01.05)
意法半導體（STMicroelectronics；ST）擴大其在車用數位音效技術領域的優勢，推出第二代車用數位音效功率放大器晶片，不僅可協助汽車音響系統廠商簡化功率放大設計，更為駕乘及乘客帶來更出色的聽覺饗宴，而且音質不受車廂空間大小的影響 |
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宜普電源推出全新增?型氮化鎵功率電晶體 (2015.08.27)
宜普電源（EPC）推出EPC2039功率電晶體。該產品是一種具備高功率密度的增?型氮化鎵（eGaN）功率電晶體，其尺寸只是1.82mm2、80 VDS、6.8 A及在閘極上施加5 V電壓時的最大阻抗? 22 微歐姆 |
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溝槽構造SiC-MOSFET可大幅降低導通電阻 (2015.08.14)
ROHM近日研發出採用溝槽結構的SiC-MOSFET，並已建立完備的量產體制。與量產中的平面型SiC-MOSFET相比，同一晶片尺寸的導通電阻可降低50%，這將大幅降低太陽能發電用功率調節器和工業設備用電源、工業用變流器等所有相關設備的功率損耗 |
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宜普電源推出450 V增強型氮化鎵功率電晶體 (2015.01.15)
具備４奈秒上升時間特性的450 V氮化鎵場效應功率電晶體(eGaN FET)並適合於高頻直流-直流轉換器及醫療診斷儀器的應用。
宜普電源（EPC）推出450 V並通常處於關斷狀態的增?型功率電晶體（EPC2027），可用於需要高頻開關的應用，從而實現更高的效率及功率密度 |
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報告: 2010年光電半導體銷售將達195億美元 (2009.04.09)
ICInsights日前公佈了2009年光電、感測器及OSD元件的分析報告。報告中指出，雖然2008年下半年的經濟情勢嚴峻，但去年光電器件、MEMS加速計、CMOS影像感測器、功率電晶體和OSD元件的半導體銷售仍然創新高紀錄，達到了430億美元 |
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恩智浦半導體突破性提升LDMOS基地台功率效能 (2008.05.16)
恩智浦半導體(NXP Semiconductors)近日推出BLC7G22L（S）-130基地台功率電晶體，這是恩智浦應用第七代橫向擴散金屬氧化物半導體（Laterally Diffused Metal Oxide Semiconductor；LDMOS）技術的首款產品，專為高功耗和Doherty放大器應用進行最佳化 |
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英飛凌推出900 V的Superjunction MOSFET (2008.02.28)
英飛凌科技公佈業界第一款900V的Superjunction（超級結）MOSFET，專門用於高效能SMPS（交換式電源供應）、工業及再生能源轉換。英飛凌推出新型節能CoolMos 900V功率MOSFET家族，突破功率電晶體製造上的"矽限制"，提供使用標準型TO（電晶體管型）封裝即具高電壓設計的替代方案 |
