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溝槽構造SiC-MOSFET可大幅降低導通電阻
協助工業設備等大功率設備的小型化與低功耗化

【作者: ROHM】   2015年08月14日 星期五

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ROHM近日研發出採用溝槽結構的SiC-MOSFET,並已建立完備的量產體制。與量產中的平面型SiC-MOSFET相比,同一晶片尺寸的導通電阻可降低50%,這將大幅降低太陽能發電用功率調節器和工業設備用電源、工業用變流器等所有相關設備的功率損耗。此次研發的SiC-MOSFET計畫將推出功率模組及離散式封裝產品,目前已建立完備的功率模組產品的量產體制。


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