英飛凌科技公佈業界第一款900V的Superjunction(超級結)MOSFET,專門用於高效能SMPS(交換式電源供應)、工業及再生能源轉換。英飛凌推出新型節能CoolMos 900V功率MOSFET家族,突破功率電晶體製造上的"矽限制",提供使用標準型TO(電晶體管型)封裝即具高電壓設計的替代方案。Coolmos 900 V系列產品擁有極低靜態和動態損耗,協助工程師設計出更高效率、更具成本效益的各種轉換器拓撲,應用於液晶電視、太陽能發電系統、電腦大功率(silverbox)電源供應器及照明系統。
英飛凌Coolmos家族功率晶體採用創新技術突破矽晶體物理限制,這種特性在MOSFET半導體提高一倍阻擋電壓時,會導致RDS(on)(通態電阻)增加五倍 。在克服矽特性限制上, CoolMos 900V系列各種封裝類型皆擁有業界最低RDS(on),TO-247封裝的通態電阻為0.12歐姆,TO-220封裝0.34歐姆,D-PAK封裝1.2歐姆,都比起採傳統900V MOSFET同類封裝的通態電阻至少低75%。憑藉著低RDS(on)係數,新型Coolmos 900 V系列可提供低至34歐姆轉換電荷(nanocoulomb)的FOM(優位指數,計算公式為通態電阻乘以閘電荷),提供極低的傳導、驅動與轉換損耗,從而提高整體效率。