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SEMI：2010年全球晶圓廠資本支出成長64% (2009.09.07)
國際半導體設備材料產業協會（SEMI），日前發表了最新的全球晶圓廠報告。報告中預測，2010年全球晶圓廠資本支出將達到240億美元，較今年成長64%。其中約有140億美元來自於台積電（TSMC）、GlobalFoundries、東芝（Toshiba）、三星（Samsung）、英特爾（Intel）和華亞（Inotera）等六家公司已宣佈的投資計畫 |
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營運第一年就獲利 華亞創12吋晶圓廠紀錄 (2005.01.17)
國內SRAM大廠南亞科技與德商英飛凌科技（Infineon）合資興建的12吋晶圓廠華亞科技總經理高啟全，於該公司年終晚會中指出，華亞2004年即創下全球首座12吋晶圓廠在第一年就獲利的紀錄，2005年將全力衝刺，朝第二階段月產能5.4萬片的目標邁進 |
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Aviza垂直熔爐系統獲華亞12吋晶圓廠採用 (2004.09.08)
半導體設備業者美商暐貰科技（Aviza Technology），宣佈該公司垂直熔爐及單片晶圓原子層沉積（ALD）機台獲得台灣DRAM 業者華亞科技（Inotera Memories）的12吋晶圓廠採用，Aviza表示將全力配合華亞12吋廠的第一階段與第二階段裝機需求 |
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台塑整合集團資源打造12吋晶圓王國 (2004.05.05)
工商時報消息，台塑集團宣佈建構12吋晶圓垂直整合體系，除將與英飛凌維持長期合資關係以掌握技術來源，南亞科也計劃斥資2700億元興建4座12吋晶圓廠。南亞副總經理吳嘉昭昨天指出，整個規劃案已進入先期的評估階段，未來將配合台塑小松電子與福懋科技今年的擴廠動作垂直整合，打造台塑集團12吋晶圓時代 |
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英飛凌將量產0.11微米256Mb DRAM (2003.04.30)
繼韓國三星日前宣佈以0.11微米量產DRAM後，德商DRAM廠英飛凌也宣佈以0.11微米溝槽式（Trench）製程試產256Mb DRAM，並且獲得英特爾驗證，目前已進入量產階段，未來該製程將授權華邦、華亞、中芯等策略夥伴 |
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華亞12吋廠動土 預計2004年產能達2萬片 (2002.12.02)
昨日南亞與德商英飛凌（Infineon）舉辦合資DRAM廠華亞半導體12吋晶圓廠動土典禮，並且對外表示，預計2004年下半年該廠完成建置，估計每月產能將達2萬片，到時將以0.11微米製程量產512Mb DRAM，2006可望達5萬片產能水準 |
USB的沿革歷史充滿曲折，其中各大廠商從本位主義的相互對抗，到嘗盡深刻教訓後的Wintel合作，能否給予後進有意「彼可取而代之」者一些深思與反省？
