CTIMES - Igbt

快捷IGBT榮獲 EPC 十大電源產品獎 (2013.09.23)
快捷半導體在《今日電子》雜誌主辦的第 11界年度十大直流-直流電源產品獎活動中榮獲殊榮。自提交高電壓場截止陽極短路溝槽 IGBT至最佳應用獎類評委會後，這已是快捷半導體第七次榮獲此著名獎項

用於單端諧振逆變器之FS SA T IGBT (2013.06.04)
高壓 IGBT 的性能已得到極大改進。當今最流行的 IGBT 技術為場截止 IGBT（Field Stop IGBT），該技術結合貫穿型（PT）及非貫穿型（NPT）IGBT 結構的優點，同時克服每種結構的缺點

電源管理市場反彈 IGBT成長亮眼 (2012.08.20)
據IHS iSuppli公司調查指出，電源管理市場在下滑了兩個季度後，在第二季已開始反彈，拉抬的動力則主要來自於智慧手機和媒體平板等消費產品對於能源使用效率的需求提升

IR為感應加熱應用推出全新超高速1200 V IGBT (2011.09.28)
國際整流器公司 (IR) 於昨（27）日，發表全新超高速溝道絕緣閘雙極電晶體 (IGBTs)，從而優化感應加熱和共振開關應用，例如焊接與高功率整流。該公司表示，全新1200 V IGBT元件利用IR的纖薄晶圓溝道技術，提供關鍵的性能效益，包括用來降低功率耗散和提升功率密度的低VCE (on) 及超高速開關

從電動車到智慧車英飛凌打通車電任督二脈 (2011.04.07)
全球汽車電子和類比電源晶片大廠英飛凌（Infineon）在出售旗下無線通訊事業群之後，已經完成另一波新型態的組織再造作業。展望未來成長可期的汽車電子領域，英飛凌除了繼續穩建地累積關鍵元件的技術優勢之外，同時也積極開創多層面的新商機

節能烹調研究專案省下高達25%電力 (2010.10.13)
德國三大產學機構攜手合作，尋找最耗電的家電，將節能理念落實於廚房。電磁爐的烹調方式只加熱於鍋具，而不會加熱爐具本身，因此可節省高達25%的電力。今日，德國只有10%到15%的家庭使用電磁爐烹調，原因之一就在於電磁爐的購置成本較高

優化電源管理設計 IR推線上IGBT選擇工具 (2010.08.19)
國際整流器（International Rectifier，IR）今日宣佈，推出全新線上絕緣閘雙極電晶體（IGBT）選擇工具。此工具有效優化多種應用設計，其中包括馬達驅動、不斷電系統（UPS），太陽能逆變器和焊接

英飛凌發表搭載整合式分流器的MIPAQ base模組 (2009.06.16)
英飛凌科技日前於上海舉辦的PCIM China展覽會暨研討會上宣佈絕緣閘雙極性電晶體(IGBT) MIPAQ base模組之量產。 MIPAQ（整合電源、應用及品質的模組）base模組，整合IGBT六單元(six-pack)組態及電流感應分流器，非常適用於高達55 kW之工業驅動裝置和伺服機的低感應系統設計

高振幅的任意/函數產生器 (2008.12.08)
本文說明產生高振幅信號的常規方法與外部放大器，然後討論典型的應用，並介紹整合高振幅階段使用新型任意/函數產生器的效益。

降低能源損耗「飛」我莫屬 (2008.10.13)
生活中各個角落無不需要使用電力，然而電源的損耗也正在這些電子設備與線路的傳遞處理中一點一滴流逝。也因此半導體廠商所汲汲營營的，正是不斷開發出更新的半導體架構，讓電能的使用效率能夠達到更高，降低損耗，不僅使用者能更節省能源支出，也相對為環境的保護多出一份心力

專訪：英飛淩多元市場資深技術總監Leo Lorenz (2008.10.13)
生活中各個角落無不需要使用電力，然而電源的損耗也正在這些電子設備與線路的傳遞處理中一點一滴流逝。也因此半導體廠商所汲汲營營的，正是不斷開發出更新的半導體架構，讓電能的使用效率能夠達到更高，降低損耗，不僅使用者能更節省能源支出，也相對為環境的保護多出一份心力

英飛凌推出三合一MIPAQ系列電源模組 (2008.06.09)
英飛凌科技公司(Infineon Technologies AG)於德國紐倫堡舉辦的2008年PCIM展覽會暨研討會上，宣佈推出全新MIPAQ家族的「絕緣閘雙極性電晶體」（Insulated Gate Bipolar Transistor，IGBT）模組，提供高度整合性

高尖峰電流閘極驅動光耦合器 (2008.06.05)
對馬達驅動、不斷電系統、交換式電源、高強度燈管整流器以及感應加熱等電壓轉換應用，IGBT的閘極必須以穩定的開關切換驅動電壓推動，同時需要相對較高的電流等級，以便能夠在導通與關斷狀態間快速切換

快捷IGBT提高感應加熱應用效率 (2008.03.26)
快捷半導體(Fairchild Semiconductor)推出全新1200V，Field Stop Trench IGBT系列元件FGA20N120FTD和FGA15N120FTD，為電磁感應加熱應用的系統設計人員提供了高效的解決方案。這些IGBT同時採用Field Stop(場終止層)結構和抗雪崩的Trench gate(溝道閘)技術，可在開關導通損耗和切換損耗之間提供最佳權衡，進而獲得最高的效率

Avago推出低耗電8mm爬電距離閘極驅動光耦合器 (2008.03.19)
安華高科技(Avago)宣佈推出一款新閘極驅動光耦合器產品，具備2.5A最高尖峰輸出電流，Avago的新ACPL-K312滿足了低耗電需求，並帶來高抗雜訊能力，快速的IGBT開關切換可以改善效率，讓這些新閘極驅動光耦合器相當適合IGBT/MOSFET閘極驅動、交流與無刷直流馬達驅動、工業變頻器以及交換式電源等應用

Vishay推出新系列半橋絕緣柵雙極型電晶體 (2008.03.17)
Vishay宣佈推出採用業界標準Int-A-Pak封裝的新系列半橋絕緣柵雙極型電晶體(IGBT)。該系列由八個600V及1200V器件組成，這些器件採用多種技術，可在標準及超快速度下實現高開關工作頻率

淺談IGBT模組併聯優勢 (2008.03.17)
併聯切換IGBT模組的參數變化，會導致各模組電流不平衡，造成模組間的溫度差異。若併聯IGBT模組使用蒙地卡羅模擬法，可以憑藉隨機模組參數與系統在設置時的失衡數據，計算出失衡電流、切換損耗與接面溫度