CTIMES - Igbt

英飛凌RC-E獨立式IGBT可直接升級既有設計 (2016.10.24)
【德國慕尼黑訊】電磁爐設備通常運用諧振拓樸，實現電流雙向流動，並且採用切換頻率為18 kHz至40 kHz時可達到最佳效能，且損耗率低的獨立IGBT。英飛凌科技（Infineon）推出全新獨立IGBT系列產品，滿足了上述需求

芯科推新隔離閘極驅動器為IGBT提供先進監測 (2016.09.12)
Silicon Labs(芯科科技) 近日推出ISOdriver產品系列之新型Si828x隔離閘極驅動器系列產品，其專為保護電源逆變器和馬達驅動應用中敏感的絕緣閘雙極電晶體(IGBT)而設計。Si828x ISOdriver系列產品提供了工業隔離等級(5kVrms)和最佳的特性整合，包括選配式DC-DC轉換器、業界最快速的去飽和檢測、良好的時序特性以及卓越的雜訊和瞬變抑制能力

Littelfuse將收購安森美半導體的精選產品組合 (2016.08.26)
Littelfuse(利特)宣佈已經正式達成協議，將以$1億400萬的總價收購安森美半導體（ON Semiconductor）汽車點火應用的產品組合，包括瞬態電壓抑制器（TVS）二極體、雙向晶閘管及絕緣柵型雙極電晶體（IGBT）

不僅功率元件驅動IC將朝向高頻化發展 (2016.08.03)
在功率設計領域中，驅動IC一向是相當重要的角色，它也廣泛出現在許多應用市場，所以也讓不少半導體業者趨之若鶩。然而，隨著雲端運算與物聯網等應用概念的興起，資料量的快速增加，使得資料中心與伺服器的需求快速成長，但畢竟機房的空間十分有限，若能提少功率密度或是減少系統體積，這是應用服務業者相當樂見的事情

華虹半導體深耕FS IGBT 聚焦新能源汽車應用 (2016.07.21)
全球200mm純晶圓代工廠─華虹半導體宣布，將充分利用在IGBT（絕緣?雙極型晶體管）技術方面的優勢，積極開拓新能源汽車市場，加速新能源汽車晶片國產化進程。 IGBT是新一代電能轉換和控制的核心器件

瑞薩電子第8代IGBT以超低功率損耗提升系統電源效率 (2016.06.14)
瑞薩電子(Renesas)推出六款第8代G8H系列絕緣閘雙極電晶體(IGBT)新產品，可降低太陽能發電系統的功率調節器的轉換損耗，以及降低不斷電系統(UPS)的變頻器應用。新推出的六款產品版本為650 V/40 A、50 A、75 A，以及1,250 V/25 A、40 A、75 A

鎖定IGBT測試明導幫客戶找出更多問題 (2016.05.27)
隨著模擬與驗證成為EDA（電子設計自動化）市場的主流後，各家大廠除了在軟體面外，也推出硬體產品來滿足晶片業者們的需求。然而，除了一般的矽製程的晶片外，像是IGBT（絕緣柵雙極性電晶體）等功率晶片，也引起了EDA業者的注意，明導國際就其中一例

Power Integrations的SCALE-iDriver IC將SCALE-2驅動器技術引入1200 V應用 (2016.05.24)
為中高壓變頻器應用提供 IGBT 和 MOSFET 驅動器技術廠商Power Integrations（簡稱 PI）宣佈，推出輸出電流範圍在 2.5 A 到 8 A 之間的電化隔離式單通道閘極驅動器 IC 系列，這是在不使用外部升壓器時可達到的超高輸出電流

TI再推GaN元件功率半導體市場波瀾漸生 (2016.05.23)
談到功率半導體市場，我們都知道英飛凌長年居於龍頭地位，當然，在該市場中，TI（德州儀器）也一直以主要供應商自居，在電源管理領域不斷推出新款的解決方案。自去年三月，TI推出了以GaN（氮化鎵）為基礎的80V功率模組，而今年五月，更推出了高達600V的整合方案LMG3410，試圖擴大在功率半導體市場的影響力

意法半導體新一代智慧功率模組可減少低功耗馬達耗散功率 (2016.05.23)
意法半導體（STMicroelectronics；簡稱ST）進一步擴大智慧功率模組產品陣容，推出SLLIMM - nano新一代產品，增加了更高功率和封裝選項，特別適用於對能效提升和成本降低有要求的應用

英飛凌TRENCHSTOP Performance IGBT強化家電及工業應用的能源效率 (2016.05.13)
【德國慕尼黑訊】英飛凌科技（Infineon）發表新型 600 V TRENCHSTOP Performance IGBT，將能源效率推向全新境界。新款獨立式 IGBT 不但具備優異的能源效率及穩定性，且價格極具競爭力，適合空調、太陽能變頻器、馬達驅動控制器及不斷電系統（UPS）等應用

英飛凌SiC MOSFET新技術讓功率轉換設計效能再創高峰 (2016.05.11)
【德國慕尼黑訊】英飛凌科技（Infineon）推出革命性的 SiC (碳化矽) MOSFET 技術，讓產品設計達到前所未有的功率密度和效能水平。英飛凌的 CoolSiC MOSFET在提升效率與頻率上，提供更高的靈活度，協助功率轉換配置的開發人員達到節省空間和重量、減少冷卻需求、提升可靠性並縮減系統成本

Diodes閘極驅動器可在半橋或全橋組態下開關功率MOSFET與IGBT (2016.03.14)
Diodes公司新推出的DGD21xx系列包括6款半橋式閘極驅動器及6款高/低側600V閘極驅動器，可在半橋或全橋組態下輕易開關功率MOSFET與IGBT。目標應用包括大型家電的驅動馬達、工業自動化系統以及電動自行車和無人駕駛飛機等以電池供電的運載工具

Fairchild協助古瑞瓦特的太陽能逆變器實現高功效 (2016.01.07)
Fairchild宣佈其650 V 場截止溝槽式 IGBT應用於古瑞瓦特新能源公司最新一代太陽能逆變器中，該公司是家用與商用太陽能應用逆變器製造商。由於使用Fairchild的 IGBT，古瑞瓦特將其新型5K-HF太陽能逆變器的功率密度，與之前型號相比提升了20%

盛群IGBT Driver IC─HT45B1S適合於電磁爐、微波爐等產品應用 (2015.12.23)
盛群（Holtek）推出 HT45B1S IGBT Driver with LDO IC，應用於小家電電磁爐、微波爐等產品，與使用外接元件相比，使用HT45B1S可節省外部元件，減少PCB面積及加工成本，適合有驅動IGBT等產品應用

Mouser率先備貨英飛凌TRENCHSTOP 5系列的S5系列IGBT (2015.12.15)
Mouser Electronics為供應英飛凌TRENCHSTOP 5 S5絕緣柵雙極電晶體(IGBT)的全球授權代理商。此超薄晶圓TRENCHSTOP 5系列中的全新系列產品具備1.60 VCE(sat)低典型飽和電壓（於攝氏175度），即使在高溫運作環境中亦可維持高效率

瑞薩電子推出低功率損耗IGBT以提升空調電源效率 (2015.12.03)
瑞薩電子推出新款RJP65T54DPM-E0，它是適用於空調功率因數校正(PFC)電路的功率半導體裝置，並採用中低階空調廣為使用的部分開關。現代的空調必須符合高效率及開關噪音抑制標準

英飛凌全新TRENCHSTOP 5 S5 IGBT提升PV與UPS應用效率 (2015.11.19)
【德國慕尼黑訊】英飛凌科技（Infineon）持續提升IGBT效能，推出全新S5（S 代表軟切換）系列，採用超薄晶圓TRENCHSTOP 5 IGBT為基礎，專為工業應用中的 AC-DC 能源轉換所開發，最高切換頻率達 40 kHz，適用於光電逆變器（PV）或不斷電系統（UPS）

最小化半橋式馬達控制應用中的IGBT擊穿電流 (2015.09.21)
調節方法預期效應缺點 Rg_off ↓ 較低的Vge衝擊增大關斷dvce/dt和浪通電壓 Rg_on ↑ 低 dvce/dt e低Vge衝擊開關導通能

英飛凌再度蟬聯全球功率半導體市場寶座 (2015.09.18)
【德國慕尼黑訊】英飛凌科技（Infineon）連續十二年蟬聯全球功率半導體市場領導者地位。繼年初併購國際整流器公司（International Rectifier），英飛凌的市佔率達到19.2%，穩居市場龍頭地位（而根據美國市場研究機構 IHS Inc.前一年的調查結果，兩家公司於 2013 年的市佔率合計後約為17.5% )，領先最大競爭對手的幅度達 7.0%