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CTIMES / Igbt
科技
典故
第一顆電晶體(Transistor)的由來

第二次世界大戰末期,貝爾實驗室開始一項研究計畫,目標是研發出一種體積更小、功能更強大、更快速且可靠的裝置來取代真空管。1947年12月23日,由貝爾實驗室研發的電晶體取代了真空管,優點是體積更小、更可靠、且成本低廉,不僅孕育了今日遍及全球的電子半導體產業,同時也促成電訊電腦業、醫學、太空探測等領域產生戲劇性的改變。
安森美半導體將於歐洲PCIM 2019推出新款IGBT產品 (2019.04.30)
安森美半導體(ON Semiconductor)將於5月7日開始的德國紐倫堡歐洲PCIM 2019展會推出新的基於碳化矽(SiC)的混合IGBT和相關的隔離型大電流IGBT門極驅動器。 AFGHL50T65SQDC採用最新的場截止IGBT和SiC蕭特基二極體(Schottky Diode)技術
英飛凌CIPOS Micro IPM 新推出IM231 系列 採用IGBT具最高功率密度 (2019.04.23)
英飛凌科技旗下 CIPOS Micro 新增額定功率 600 V 的智慧功率模組 (IPM) IM231 系列,適用於嚴苛且潮濕的環境,並通過 1000 小時的高壓、高溫及高濕度的反向偏壓 (HV H3TRB) 壓力測試
英飛凌推出具備保護功能之逆導 IGBT 為感應加熱應用提供創新解決方案 (2019.01.10)
英飛凌科技股份有限公司針對感應加熱應用推出 TRENCHSTOP Feature IGBT保護型系列產品。相較於標準 RC-H5 逆導 IGBT,新款產品整合了邏輯功能與專用驅動 IC,可在單一裝置中提供多種可編程的保護功能
英飛凌推出 650 V TRENCHSTOP IGBT6 適用1 kW 小型馬達驅動 (2018.08.28)
英飛凌科技股份有限公司推出新一代 TRENCHSTOP IGBT6技術。此分立式產品具備 650 V 阻斷電壓,並針對需要長使用時間、高可靠性及高效率的特定應用進行最佳化,例如:主要家電與小型家電、工業縫紉機,以及用於風扇、幫浦及其他 BLDC 馬達中的通用型馬達
意法半導體電隔離柵極驅動器 控制並保護SiC、MOSGET、IGBT (2018.08.15)
意法半導體(STMicroelectronics)的STGAP2S單路隔離柵極驅動器提供26V的最大柵極驅動輸出電壓,能讓使用者選擇獨立的導通/關斷輸出或內部主動米勒鉗位功能,其可使用於各種開關拓撲控制碳化矽(SiC)或矽MOSFET和IGBT功率電晶體
英飛凌推出12吋晶圓的TRENCHSTOP 1200 V IGBT6分立元件 (2018.08.09)
英飛凌科技股份有限公司推出新一代1200 V IGBT產品TRENCHSTOP IGBT6,為首款以12吋晶圓生產的分立元件IGBT duopack。此全新 IGBT技術為滿足客戶日益提升的高效率與高功率密度需求所設計
工研院攜手強茂 前進電動車功率模組市場 (2018.06.28)
工研院與強茂公司今日簽署合作合約,工研院與強茂宣示攜手共同建立IGBT智慧功率模組試量產線,將生產工研院自行研發的IGBT智慧功率模組,該產品運作上可較傳統產品降低40%熱阻,同時降低晶片運作溫度達20°C,將以電動車市場為主要目標
英飛凌1EDC Compact系列單通道閘極驅動器 符合UL 1577認證 (2018.05.31)
英飛凌科技股份有限公司推出EiceDRIVER 1EDC Compact 300 mil系列的單通道閘極驅動器 IC。本系列電氣隔離驅動器可承受60秒的 VISO= 2500V(rms) 隔離電壓測試,符合UL 1577 認證。 由於切換頻率高達1,000kHz,不僅能驅動IGBT,也能整合至要求嚴苛的SiC MOSFET拓撲中
英飛凌推出表面黏著 D2PAK 封裝650V IGBT 提供最高功率密度 (2018.05.30)
英飛凌科技股份有限公司擴展TRENCHSTOP 5薄晶圓技術產品組合,推出IGBT與全額定電流 40 A 二極體共同封裝於表面黏著 TO-263-3 外型 (也就是 D2PAK) ,最高達40 A的 650V IGBT。 全新的 TRENCHSTOP 5 IGBT 採用 D2PAK 封裝,可滿足自動化表面黏著組裝的電源裝置對於更高功率密度日益增加的需求
貿澤供貨STMicroelectronics ACEPACK IGBT模組 (2018.05.15)
貿澤電子即日起開始供應STMicroelectronics (ST)的ACEPACK IGBT模組。 Adaptable Compact Easier PACKage (ACEPACK) 模組屬於專門針對工業應用所設計的最新塑膠功率模組系列,為3 kW至30 kW的工業和電源管理解決方案提供經濟且高整合度的功率轉換
ROHM開發出業界頂級650V耐壓IGBT RGTV/RGW系列 (2018.04.30)
半導體製造商ROHM新開發出兼具業界頂級低導通損耗※1和高速開關特性的650V耐壓IGBT※2 “RGTV系列(同級短路承受※3能力版)”和“RGW系列(高速開關版)”,共計21種型號
Infineon超軟切換IGBT 飛輪二極體提供領先低損耗技術 (2018.04.17)
英飛凌關係企業Infineon Technologies Bipolar公司針對現今IGBT應用推出全新專用二極體系列產品:Infineon Prime Soft,具有改良的5 kA/μs軟關斷功能。Prime Soft 以單晶矽設計且廣受好評的IGCT飛輪二極體做為技術基礎,典型應用包括HVDC/FACT以及使用電壓來源轉換器的中電壓馬達
東芝針對輸出型光耦合器推出新封裝選項SO6L(LF4) (2018.04.03)
東芝電子元件及儲存裝置株式會社宣布為擴大原輸出型光耦合器陣容,即日起為SO6L系列推出全新封裝類型;新封裝SO6L(LF4)為寬引腳間距封裝,SO6L(LF4)封裝爬電距離為8mm,其符合產業規格標準
英飛凌推出EconoDUAL 3 IGBT 模組 搭載整合式分流器 (2018.02.21)
英飛凌科技股份有限公司 將 EconoDUAL 3 模組整合度推升至更高境界:推出搭載整合分流器電阻的模組,可在交流路徑進行電流監控。透過該產品,變頻器製造商可降低成本、提升效能,並簡化變頻器的設計
透過IGBT 閘極驅動器的先進裝置簡化高電壓、高電流變頻器 (2017.11.02)
本文聚焦於 EV 變頻器,探討在降低成本的同時,提高系統效率及功能安全性的未來趨勢。
瞭解現代電磁爐的工作原理 (2017.10.18)
電磁鍋是通過電磁感應在鐵磁體鍋具內部產生渦流,從而產生熱量。
電動車時代加速來臨 (2017.09.05)
至2025年,新能源車佔全球車市的比重將來到兩成,這個數據看起來微小,但相較2016年不到3%的占比,已有相當大的成長幅度。
英飛凌分離式IGBT推出TRENCHSTOP先進絕緣封裝版本 (2017.05.18)
【德國慕尼黑訊】英飛凌科技(Infineon)推出最新的TRENCHSTOP先進絕緣封裝技術,包括 TRENCHSTOP 和 TRENCHSTOP Highspeed 3 IGBT 兩種版本,擁有同級最佳的散熱效能以及更簡易的製程
英飛凌新款IGBT模組以62 mm封裝提供更高的功率密度 (2017.03.22)
【德國慕尼黑訊】英飛凌科技(Infineon)擴展旗下62 mm IGBT模組陣容。全新電源模組能在尺寸不變下,滿足對更高功率密度日益增加的需求。業經驗證的62 mm封裝中採用較大的晶片區域及調整過的DCB基板,以實現更高的功率密度
英飛凌閘極驅動 IC 1EDN提供低功耗和高穩定度 (2016.11.09)
【德國慕尼黑訊】英飛凌科技(Infineon)推出 1EDN EiceDRIVER 系列產品。該款 1 通道的低側閘極驅動 IC 適用於驅動 MOSFET、IGBT 以及 GaN 等功率裝置。其腳位輸出與封裝方式完全相容於業界標準,便於直接在現有設計中作替換

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1 ROHM推出4款工業電源適用SOP封裝通用AC-DC控制器IC
2 Vishay IGBT和MOSFET驅動器拉伸封裝可實現緊湊設計、快速開關

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