CTIMES - 半導體整合製造廠

Vishay 推出面向主端濾波緩沖器 (2006.02.13)
Vishay Intertechnology, Inc.推出面向主端濾波緩沖器且電容範圍介於68μF～820μF的新系列鋁電解電容器。這些電容器的容差為20%，在 +85°C時有效使用時間長達2,000小時。Vishay BCcomponents 093 PMG-SI系列電容器的額定電壓為400V、420V 及 450V，工作溫度範圍介於-25°C～+85°C

Freescale將於3G世界大會展示3G (2006.02.13)
Freescale將在3GSM世界大會展示由3G、HSDPA及DVB-H到UWB、ZigBee及WiMAX等頂尖的無線技術德州奧斯汀， 3GSM世界大會的與會人員將有機會用自己的雙手親自體驗飛思卡爾半導體的3G及無縫式行動裝置之威力，該公司會在現場向所有製造商展示全方位的無線解決方案

富士通推出「Milbeaut」LSI影像處理系統 (2006.02.13)
富士通微電子宣佈，日本富士通株式會社已開發出型號為MB91680的全新「Milbeaut」LSI影像處理器產品，可應用於數位單反相機（SLR），「Milbeaut」於即日起上市。「Milbeaut」是富士通首次運用90奈米CMOS（互補性金屬氧化半導體）技術製造的通用型LSI影像處理器

瑞薩科技與DoCoMo等發展W-CDMA行動電話平台 (2006.02.13)
NTT DoCoMo、瑞薩科技、富士通、三菱電機與夏普宣布將共同發展範圍廣泛的行動電話平台，該平台將包括支援HSDPA*2/W-CDMA和GSM/GPRS/EDGE的雙模行動電話，以及如作業系統之核心軟體

英特爾積極作為矢言奪回市占率 (2006.02.13)
根據工商時報報導，為了從超微手中搶回部分市占率，英特爾除積極搶攻利潤豐盈的數位媒體市場而推出新的Viiv晶片組之外，並針對表現最弱的伺服器市場，計畫在2007年初推出首款四核心處理器Clovertown

易立達讀書會-第一讀 ﹕《圖解半導體》科技業的黑色鍊金術。 (2006.02.13)
易立達讀書會-第一讀 ﹕《圖解半導體》科技業的黑色鍊金術。

Vishay推出新型5瓦Power Metal Strip電阻器 (2006.02.13)
Vishay Intertechnology,Inc.宣佈推出一款新型5瓦Power Metal Strip電阻器，該電阻器是業界在小型 2818封裝中能夠提供5瓦功率的首款器件。這款新型表面貼裝Power Metal Strip電阻採用0.280英寸×0.180英寸×0.032英寸[7.1毫米×4.6毫米×0.813毫米]封裝，並且具有1毫歐～100毫歐的超低電阻值

ST為低成本ST7Lite系列增添多款新型MCU (2006.02.13)
8位元微控制器供應商，ST，發表了ST7Lite產品線中的全新系列低成本微控制器，新元件提供16~20接腳封裝、2KB或4KB快閃記憶體等選項，以及能為大量低成本應用帶來更多附加功能的全新嵌入式週邊

飛利浦ARM9核心90奈米微控制器問世 (2006.02.10)
皇家飛利浦電子公司10日宣佈開始供應業界第一個ARM9核心90奈米微控制器LPC3180。這個新的32位元微控制器（MCU）不僅能夠提供高效能和低功耗的優勢，也是唯一提供向量浮點輔助處理器、整合式USB OTG、以及在0.9V電壓下操作極低消耗功率模式能力的ARM9核心微控制器

Microchip推出PIC18F45J10微控制器 (2006.02.10)
Microchip推出新款PIC18F45J10微控制器。新的微控制器系列以二十八接腳封裝，配備32 KB快閃程式記憶體，是八位元微控制器系列之一。新系列於3V電壓操作下，其性能可達40MHz，內含類比至數位轉換器、電壓比較器、USART、SPI、I2C和PWM週邊設備，與5V微控制器相比可節省30%的成本

NVIDIA將以電話會議形式舉行財報說明會 (2006.02.10)
可編程繪圖處理器技術領導廠商NVIDIA Corporation，將於太平洋時間2006年2月16日下午2:00(本地時間為2月17日早上6:00)以電話會議形式舉行2006會計年度第四季財報說明會。NVIDIA將在說明會中進行2006會計年度第四季財報簡報，隨後會以問答的方式針對與會的財務分析師與法人所提出的問題作說明

Humax三合一STB採用TI可程式DSP (2006.02.10)
德州儀器宣佈，機上盒製造商Humax利用TI可程式數位媒體處理器平台所開發的三合一機上盒RG-100已通過T-Online認證。RG-100是結合數位衛星機上盒、個人錄影機和網路隨選視訊解碼器於一身的獨特產品，可支援MPEG-4和H.264等多種先進視訊格式

Fairchild Motion-SPM專為200W以下的變頻馬達設計 (2006.02.09)
快捷半導體兩款新型Motion-SPM器件是特別為200W以下變頻馬達設計所量身訂製的，在加強冰箱應用的系統效能及可靠性的同時，還可減少使用電路板的空間及簡化設計。每一個FCBS0550(500V/5A)和FCBS0650(500V/6A) Motion-SPM都將6個MOSFET、3個HVIC (高壓積體電路)和1個LVIC (低壓積體電路)整合到單一緊湊而有高散熱效率的模組中

中國通訊採用亞德諾的晶片組在雙模3G作業 (2006.02.09)
美商亞德諾宣佈在ADI的SoftFone-LCR晶片組完成雙模3G TD-SCDMA/GSM作業。由兩家頂尖中國電訊業者所完成的網路測試證明了由ADI SoftFone-LCR晶片組所驅動的大唐移動DTivy A2000雙模手機解決方案，能在GSM和3G TD-SCDMA模式下成功運作並在網路間切換

TI、MIT與DARPA合作開發奈米SRAM晶片 (2006.02.09)
德州儀器宣佈，美國麻省理工學院的研究人員將在國際固態電路會議上展出利用TI先進65奈米CMOS製程生產的超低耗電256kb SRAM測試晶片。這顆SRAM晶片是專為需要高效能和低耗電的電池操作型產品所設計，不但操作電壓低於業界所有其它產品，TI還考慮將它應用在SmartReflex電源管理技術以延長行動產品的電池壽命

Vishay新元件系列擴展瓷盤電容器範圍 (2006.02.09)
Vishay Intertechnology推出兩個可實現RFI/EMI抑制的新型高可靠性元件系列，從而擴展其瓷盤電容器範圍。VY1與VY2電容器符合EN132400/IEC 60384–14第二版ENEC-VDE、UL1414及CSA標準要求，並且可用於線分流及跨接線配置，以抑制共模及差模干擾

Linear主螢幕/相機手機LED驅動器問世 (2006.02.09)
Linear Technology Corporation發表一款高整合、800kHz、低雜訊高效率的1x/1.5x/2x多重模式相機充電幫浦LTC3210，用來驅動手機之主螢幕及相機LED螢幕。提供5個LED電流來源，總輸出電流高達500mA:包括一組4x25mA LED主螢幕，以及一個高電流400mA相機LED螢幕，所有均來自一個緊密的3mmx3mm QFN封裝

瑞薩科技與力晶簽署1Gbit AG-AND技術授權合約 (2006.02.08)
瑞薩科技(Renesas Technology)七日宣佈與力晶半導體締結授權合約，內容涵蓋使用於1Gbit AG-AND快閃記憶體裝置的技術以及此類裝置的銷售。雙方在此之前即已簽訂了製造合約。瑞薩科技表示，新合約強化了雙方的合作關係，並容許力晶半導體以自有的品牌銷售AND快閃記憶體

IBM與飛思卡爾攜手推動Power Architecture技術 (2006.02.08)
IBM及飛思卡爾半導體在國際固態電路研討會(ISSCC)中，宣佈將攜手合作發展Power Architecture技術。飛思卡爾宣佈其已成為Power.org的一員，Power.org是由推動Power Architecture技術創新的公司所組成的產業團體

ST與飛思卡爾共同發表車用設備的廣泛技術協議 (2006.02.08)
飛思卡爾與STMicroelectronics即將展開廣泛的合作，以各自的長處共同研發展車用設備。雙方將成立一個聯合研發微控制器團隊、制定處理技術的方向並分享智慧財產權，其中也包括高功率MOS技術