CTIMES - 電晶體

ST推出低損耗1200V IGBT產品系列 (2009.10.16)
意法半導體（ST）推出新系列功率電晶體，可最大限度降低馬達控制電路的兩大能耗來源，減輕家電、HVAC系統以及工業機器等日用設備對環境的影響。STGW30N120KD和STGW40N120KD是兩款低導通損耗的絕緣柵雙極電晶體（IGBT；Insulated Gate Bipolar Transistor），可降低開關損耗

Diodes推出新型雙MOSFET組合式元件 (2009.07.07)
Diodes公司近日推出了新型的ZXMC10A816元件，它把一對互補性的100V增強式MOSFET結合於一個SO8封裝，性能可以媲美體積更大的個別封裝零件。ZXMC10A816適用於H橋電路，應用範圍包括DC散熱扇和反相器電路、D類放大器輸出級，以及其他多種類型的48V應用

英飛凌推出新型高功率LDMOS電晶體系列產品 (2009.06.18)
英飛凌科技於在美國波士頓所舉辦的IEEE MTT-S國際微波技術研討會(International Microwave Symposium)上宣佈推出可供設計寬頻無線網路基地台的高功率LDMOS電晶體系列產品。新型電晶體的功率位準高達300W，視訊頻寬超過90 MHz，完全支援由3G發展為4G無線網路所需的高峰值對均值功率比(peak to average power ratio)以及高資料傳輸速率規格

英飛凌發表搭載整合式分流器的MIPAQ base模組 (2009.06.16)
英飛凌科技日前於上海舉辦的PCIM China展覽會暨研討會上宣佈絕緣閘雙極性電晶體(IGBT) MIPAQ base模組之量產。 MIPAQ（整合電源、應用及品質的模組）base模組，整合IGBT六單元(six-pack)組態及電流感應分流器，非常適用於高達55 kW之工業驅動裝置和伺服機的低感應系統設計

ST推出創新的高壓電晶體技術 (2009.05.14)
意法半導體推出全新功率MOSFET系列產品，結合更高的擊穿電壓技術、更強的耐用性，以及更低的電能耗損率，相當適合液晶顯示器、電視及節能燈具整流器等需要高效能電源的應用

NXP針對L波段雷達應用推出RF功率電晶體 (2008.11.24)
恩智浦半導體（NXP Semiconductors）擴張其RF Power 電晶體產品線，推出最新針對L波段雷達應用的橫向擴散金屬氧化物半導體（Laterally Diffused Metal Oxide Semiconductor，以下簡稱LDMOS)電晶體，該電晶體在1.2GHz到1.4GHz的頻率之間提供高達500W的突破性的RF輸出功率

安森美推出新微型封裝的晶體和二極體 (2008.08.13)
安森美半導體(ON)擴充離散元件封裝系列，推出新微型封裝的電晶體和二極體。新的封裝技術能配合今日空間受限的可攜式裝置的嚴峻設計需求。安森美半導體標準產品部全球市場行銷副總裁麥滿權說：「對我們的可攜式產品客戶來說，小尺寸、低高度且同時具備功率密度都是設計流程中相當關鍵的參數

Sony投3.72億美元提高鋰電池產能 (2008.08.08)
外電消息報導，Sony日前表示，由於手機、數位相機以及其他消費性電子產品對鋰電池的需求量大幅成長，因此該公司將投資3.72億美元的經費，擴增鋰電池的生產設備，以提高鋰電池的生產能力

英飛凌推出新款無線基礎設施專用射頻功率晶體 (2008.06.30)
英飛凌科技(Infineon)宣佈推出新款 700 MHz 頻段無線基礎設施專用射頻功率晶體系列。這個頻段將在美國用來導入 4G（第四代）行動電話、行動電視廣播與其他行動寬頻服務，包括下一代的無線網路標準-LTE（長期演進技術）

英飛凌推出700 MHz頻段射頻功率晶體系列 (2008.06.27)
英飛凌科技 (Infineon)宣佈推出新款700 MHz頻段無線基礎設施專用射頻功率晶體系列。這個頻段將在美國用來導入4G（第四代）行動電話、行動電視廣播與其他行動寬頻服務，包括下一代的無線網路標準-LTE（長期演進技術）

Vishay推出新型20Vp通道TrenchFET功率MOSFET (2008.06.20)
Vishay Intertechnology, Inc.推出新型20Vp通道TrenchFET功率MOSFET，該器件採用MICRO FOOT晶片級封裝，具有業界最小占位面積以及1.2 V時業界最低的導通電阻。憑借1.2mm×1.0mm的超小占位面積，Si8445DB比業界大小僅次於它的器件小20%，同時具有0.59mm的相同超薄濃度

Vishay推出新型Siliconix功率MOSFET (2008.06.05)
Vishay Intertechnology, Inc.宣佈推出15款採用2 mm×2 mm的PowerPAK SC-70封裝、濃度為0.8 mm的新型功率MOSFET。新產品包括用於不同應用的各種配置及額定電壓，除了n通道及p通道的互補對外，還包括n通道及p通道的單路、單路帶肖特基二極體的及雙路的器件

安森美擴展MOSFET驅動器積體電路(IC)系列 (2008.04.15)
安森美半導體(ON Semiconductor)擴展MOSFET驅動器積體電路(IC)系列，推出四款新元件：NCP5106、NCP5104、NCP5111和NCP5304。這些新的功率門驅動器針對中低功率應用，適用於終端產品包括白家電、照明電子整流器和馬達控制等工業應用

Vishay推出新型VEMT系列矽NPN光電電晶體 (2008.04.13)
Vishay推出採用可與無鉛(Pb)焊接相容的PLCC-2表面貼裝封裝的新系列寬角光電電晶體。VEMT系列中的器件可作為當前TEMT系列光電電晶體的針腳對針腳及功能等同的器件，從而可實現快速輕鬆的替代，以滿足無鉛(Pb)焊接要求

英飛凌推出新型LDMOS射頻功率電晶體 (2008.04.07)
英飛凌科技(Infineon)發表兩款新型LDMOS射頻功率電晶體，適用於無線通訊基礎架構應用領域，例如2.5 GHz至2.7 GHz之WiMAX。這兩款新產品提供之輸出功率峰值可達170瓦，進一步擴大英飛凌為WiMAX領域所提供射頻功率電晶體之產品種類，現有產品功率包括10瓦、45瓦及130瓦

Vishay推出新系列半橋絕緣柵雙極型電晶體 (2008.03.17)
Vishay宣佈推出採用業界標準Int-A-Pak封裝的新系列半橋絕緣柵雙極型電晶體(IGBT)。該系列由八個600V及1200V器件組成，這些器件採用多種技術，可在標準及超快速度下實現高開關工作頻率

Zetex新型無鉛MOSFET成功把電路面積減一半 (2008.03.11)
類比訊號處理及功率管理方案供應商Zetex Semiconductors(捷特科)公司，推出其首項採用無鉛式2 x 2毫米DFN封裝的MOSFET產品。這款ZXMN2F34MA元件的PCB面積比業內採用標準SOT23封裝的元件小50%，離板高度只有0.85毫米，適用於各類型空間有限的開關和功率管理應用，例如降壓/升壓負載點轉換器中的外部開關裝置

IR推出600V絕緣柵雙極電晶體(IGBT)系列 (2008.03.07)
國際整流器公司(International Rectifier，簡稱IR)推出600V絕緣柵雙極電晶體(IGBT)系列，能夠在最高3kW的不斷電系統(UPS)及太陽能轉換器，減少高達30%的功率耗損。這款新特定應用元件利用IR最新一代的場終止溝道技術降低傳導和開關損耗，並為低短路要求的20kHZ開關作出優化，提升UPS和太陽能轉換器應用的功率轉換效率

Digi-Key開始庫存Cree的SiC RF Power MESFET (2008.03.06)
Digi-Key與寬頻隙電晶體及射頻積體電路(RFIC)廠商Cree宣佈，Cree的碳化矽(SiC)金屬半導體場效電晶體(MESFET)已由Digi-Key庫存，並已可開始出貨。 Digi-Key Corporation是板級元件之電子元件及配件多元經銷商，該公司專注於產品選擇與其對目錄上產品建立100%庫存的承諾，使其能便利地提供各種工業和商業領域等廣泛客戶所需

新型英飛凌MOSFET家族降低功率損耗達30% (2008.02.27)
英飛凌科技(Infineon)在應用電源電子研討會（APEC）上宣佈在OptiMOS 3 N通道MOSFET(場效應電晶體)產品陣容，新增三個新的功率半導體家族：OptiMOS 3 40V、60V和80V，在關鍵功率轉換規格如通態電組的指標性能，可降低標準晶體管型封裝(TO)的功率損失達30％